ESD保護(hù)器件具有什么特點(diǎn)？ESD靜電保護(hù)器件特點(diǎn)特性：低電容，至低可達(dá)到零點(diǎn)幾皮法；快速響應(yīng)時(shí)間：通常小于1.0PS；體積小，小型化器件，節(jié)約PCB空間；工作電壓可以根據(jù)IC的工作電壓設(shè)計(jì)，比如：2.8V、3.3V、5V、12V、15V等等；靈活度高，可以根據(jù)應(yīng)用需求設(shè)計(jì)電容、封裝形式、浪涌承受能力等參數(shù)；封裝形式多樣化。ESD保護(hù)對(duì)高密度、小型化和具有復(fù)雜功能的電子設(shè)備而言具有重要意義。在ESD保護(hù)領(lǐng)域，目前主流的是TVS管、壓敏電阻、自恢復(fù)保險(xiǎn)絲等。ESD保護(hù)元件的作用是轉(zhuǎn)移來自敏感元件的ESD應(yīng)力；寧波ESD保護(hù)器件設(shè)計(jì)

芯片級(jí)保護(hù)器件：正向?qū)ǘO管具有很強(qiáng)的泄放能力，是重要的保護(hù)器件，在射頻、數(shù)字端口保護(hù)中常用。但是反向二極管電流能力弱，若作為ESD保護(hù)，需要較大的芯片面積。三極管和GGNMOS在反偏結(jié)擊穿后，整體器件進(jìn)入電導(dǎo)調(diào)制的滯回狀態(tài)，形成S形滯回曲線，泄放電流。SCR是重要的ESD保護(hù)器件，通過PNPN結(jié)構(gòu)形成反饋環(huán)路，這是典型的特性曲線，具有Vt1高，VH低，開啟速度慢的特點(diǎn)。注意對(duì)于SCR來說，反向特性雖然也是一個(gè)二極管，但是串聯(lián)了Rpsub和RNW，會(huì)影響導(dǎo)通電阻，直接影響鉗位特性和導(dǎo)通電阻，所以通常并聯(lián)一個(gè)Dp。武漢ESD保護(hù)器件批發(fā)為了防止由于ESD侵入被觸摸的電子設(shè)備而導(dǎo)致的產(chǎn)品或系統(tǒng)破壞，需要安裝抑制或消除ESD的對(duì)應(yīng)元器件。

什么是ESD呢?這是當(dāng)兩個(gè)帶電物體(例如人體和電子設(shè)備)彼此接觸時(shí)，便會(huì)釋放出靜電，這種現(xiàn)象便稱為ESD。從人體產(chǎn)生的ESD可以是幾千伏的量級(jí)，當(dāng)該高壓脈沖進(jìn)入被觸摸的電子設(shè)備時(shí)，將導(dǎo)致其內(nèi)部的IC電路的故障或破壞。為了防止由于ESD侵入被觸摸的電子設(shè)備而導(dǎo)致的產(chǎn)品或系統(tǒng)破壞，便需要安裝抑制或消除ESD的對(duì)應(yīng)元器件。在高速電量傳輸過程中易產(chǎn)生潛在的破壞電壓、電流及電磁場(chǎng)，ESD防護(hù)器件能夠有效保護(hù)電子線路中的精密元器件免受各種浪涌脈沖和靜電的損壞。

ESD保護(hù)器件防護(hù)原理及選型：當(dāng)系統(tǒng)沒有干擾，正常工作時(shí)，ESD器件可以忽略，幾乎不起作用。當(dāng)外部接口電壓超過ESD器件的擊穿電壓（VBR）,ESD器件開始起作用，并將電流分流到地。實(shí)際ESD器件的工作電壓（VRWM）與擊穿電壓（VBR）的區(qū)別，選擇ESD器件應(yīng)該選擇系統(tǒng)工作電壓小于ESD器件的工作電壓（VRWM），例如系統(tǒng)是0~5V，那么我們應(yīng)該選擇工作電壓（VRWM）大于5V的TVS。單向ESD器件和雙向ESD器件，雙向ESD器件可以通過正負(fù)擊穿電壓（VBR）的信號(hào)，而單向ESD器件只可以通過正擊穿電壓（VBR）的信號(hào)，如果通過負(fù)的就會(huì)造成ESD器件擊穿。雙向ESD器件和單向ESD器件的特點(diǎn)，單向ESD器件對(duì)于負(fù)壓的保護(hù)更好。ESD保護(hù)器件在測(cè)試時(shí)會(huì)在電路中包括150pF電容器和330Ω的內(nèi)部電阻。

常用的ESD保護(hù)器件主要有Diode、Resistor、P/NMOS、BJT、SCR等，因其具有雪崩擊穿、雪崩與注入等特性，能夠瞬間進(jìn)入低阻態(tài)，故具有良好的電流泄放能力，可以作為ESD防護(hù)器件。在ESD設(shè)計(jì)中，Diode是一種常見的器件。在VDD相對(duì)于VSS發(fā)生Positive ESD Pulse時(shí)，Diode發(fā)生雪崩擊穿并釋放ESD電流，從而保護(hù)內(nèi)部電路不受ESD影響。但由于二極管完全通過雪崩擊穿釋放ESD電流，在大電流下器件的功耗很大，因此這種模式下二極管的抗ESD能力往往很低，器件的微分電阻也較大；而在VDD相對(duì)于VSS發(fā)生Negative ESD Pulse時(shí)，該Diode為正偏并釋放ESD電流，由于二極管的正向?qū)妷汉苄?，此模式下器件的功耗很小，因此其抗ESD能力非常強(qiáng)。ESD保護(hù)器件能夠瞬間進(jìn)入低阻態(tài)；常見ESD保護(hù)器件怎么樣

雙向ESD保護(hù)器件可以通過正負(fù)擊穿電壓（VBR）的信號(hào)。寧波ESD保護(hù)器件設(shè)計(jì)

ESD保護(hù)器件分類：壓敏電阻：壓敏電阻是一種限壓型ESD保護(hù)器件。利用壓敏電阻的非線性特性，當(dāng)過電壓出現(xiàn)在壓敏電阻的兩極間，壓敏電阻可以將電壓鉗位到一個(gè)相對(duì)固定的電壓值，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)后級(jí)電路的保護(hù)。壓敏電阻的主要參數(shù)有：壓敏電壓、通流容量、結(jié)電容、響應(yīng)時(shí)間等。壓敏電阻的響應(yīng)時(shí)間為ns級(jí)，比空氣放電管快，比TVS管稍慢一些，一般情況下用于電子電路的過電壓保護(hù)其響應(yīng)速度可以滿足要求。壓敏電阻主要可用于直流電源、交流電源、低頻信號(hào)線路、帶饋電的天饋線路。壓敏電阻的失效模式主要是短路，當(dāng)通過的過電流太大時(shí)，也可能造成閥片被炸裂而開路。壓敏電阻使用壽命較短，多次沖擊后性能會(huì)下降。因此由壓敏電阻構(gòu)成的防雷器長(zhǎng)時(shí)間使用后存在維護(hù)及更換的問題。寧波ESD保護(hù)器件設(shè)計(jì)

上海光宇睿芯微電子有限公司坐落在張衡路198弄10號(hào)樓502A，是一家專業(yè)的上海光宇睿芯微電子有限公司座落于上海浦東張江高科技園區(qū)內(nèi)，是專業(yè)從事半導(dǎo)體過電壓保護(hù)器件、功率MOSFT頁件、集成電照的設(shè)計(jì)與銷售的****，是國(guó)內(nèi)掌握半導(dǎo)體過壓保護(hù)器件和集成電路設(shè)計(jì)的供應(yīng)商之一。公司產(chǎn)品品種多，覆蓋范圍廣，已廣泛應(yīng)用于通訊系統(tǒng)的接口保護(hù)、手機(jī)接口保護(hù)、掌上數(shù)碼產(chǎn)品接口保護(hù)、電源系統(tǒng)的過壓保護(hù)、鋰電池的BMS和電機(jī)驅(qū)動(dòng)。 公司。一批專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，是實(shí)現(xiàn)企業(yè)戰(zhàn)略目標(biāo)的基礎(chǔ)，是企業(yè)持續(xù)發(fā)展的動(dòng)力。公司業(yè)務(wù)范圍主要包括：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管，ESD保護(hù)器件，穩(wěn)壓管價(jià)格，傳感器等。公司奉行顧客至上、質(zhì)量為本的經(jīng)營(yíng)宗旨，深受客戶好評(píng)。公司深耕MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管，ESD保護(hù)器件，穩(wěn)壓管價(jià)格，傳感器，正積蓄著更大的能量，向更廣闊的空間、更寬泛的領(lǐng)域拓展。