半導體基類型的ESD保護器件使用稱為齊納二極管方法的機制。齊納二極管由P型半導體(電子不足的條件)和N型半導體(電子過剩的條件)的組合構成。當施加超過擊穿電壓的過電壓(ESD)時，硅基ESD保護器件利用該二極管的技術將電流傳遞到地。即使應用范圍只限于日常生活中使用的電子和電氣設備，使用ESD保護器件的地方也非常多樣化。ESD保護器件在出廠時都需要通過測試，其測試規范包含在標準IEC61000-4-2之中。在測試時會在電路中包括150pF電容器和330Ω的內部電阻，并且通過以2kV、4kV、6kV和8kV的順序放電四個ESD電壓，來評估產品的擊穿電阻，以了解這些器件的情況。ESD是由多個TVS晶粒或二極管采用不同的布局設計成具有特定功能的單路或多路ESD保護器件。常見ESD保護器件訂購

芯片級保護器件：正向導通二極管具有很強的泄放能力，是重要的保護器件，在射頻、數字端口保護中常用。但是反向二極管電流能力弱，若作為ESD保護，需要較大的芯片面積。三極管和GGNMOS在反偏結擊穿后，整體器件進入電導調制的滯回狀態，形成S形滯回曲線，泄放電流。SCR是重要的ESD保護器件，通過PNPN結構形成反饋環路，這是典型的特性曲線，具有Vt1高，VH低，開啟速度慢的特點。注意對于SCR來說，反向特性雖然也是一個二極管，但是串聯了Rpsub和RNW，會影響導通電阻，直接影響鉗位特性和導通電阻，所以通常并聯一個Dp。紹興ESD保護器件供貨商預計從2020年至2024年，全球ESD保護器件市場復合年均增長率為5%。

ESD保護器件防護原理及選型：當系統沒有干擾，正常工作時，ESD器件可以忽略，幾乎不起作用。當外部接口電壓超過ESD器件的擊穿電壓（VBR）,ESD器件開始起作用，并將電流分流到地。實際ESD器件的工作電壓（VRWM）與擊穿電壓（VBR）的區別，選擇ESD器件應該選擇系統工作電壓小于ESD器件的工作電壓（VRWM），例如系統是0~5V，那么我們應該選擇工作電壓（VRWM）大于5V的TVS。單向ESD器件和雙向ESD器件，雙向ESD器件可以通過正負擊穿電壓（VBR）的信號，而單向ESD器件只可以通過正擊穿電壓（VBR）的信號，如果通過負的就會造成ESD器件擊穿。雙向ESD器件和單向ESD器件的特點，單向ESD器件對于負壓的保護更好。

ESD 保護器件對結構設計和工藝要求更高，結構更加復雜，一般設計成多路PN 結集成結構，采用多次外延、雙面擴結或溝槽設計。ESD 保護器件能夠確保小型化的集成電路芯片得到有效保護，表示著當前TVS 的技術水平和發展方向。TVS/ESD 保護器件的應用領域普遍，隨著在5G 基礎設施和5G 手機、電動汽車充電樁、個人電腦、工業電子等市場的推動下，業內人士預計TVS/ESD 保護器件將大幅度增長。ESD (Electro-Static Discharge，靜電放電)對于我們來說是一種常見的現象，然而對電子產品而言，ESD 往往是致命的——它可能導致元器件內部線路受損，直接影響產品的正常使用壽命，甚至造成產品的損壞。因此，ESD 防護一直以來都是工程師們的工作重點。對于剛開始職業生涯的電子工程師而言，在掌握專業技能之前通常都要接受一些ESD相關知識的培訓，足見ESD 防護的地位與重要性。ESD保護器件低導通電壓；

高速電路設計的系統工程師或者硬件工程師必須仔細選擇在設計中所需要的所有元器件，選擇合適的ESD保護元件就具有比以前更大的挑戰性，因為ESD保護器件在一些高速電路接口上已經變得不再是一個簡單的ESD器件，還包含了雜散的寄生參數，以及安裝到PCB板上時的寄生電感等參數。雖然目前很多公司都無法提供ESD器件的S參數，但是對于高速電路而言，這確實是需要考慮的影響因子之一。所以在選擇器件時，不但要看器件的防護等級，還需要注意其寄生效應。在多重應力作用下ESD保護器件的功能不會下降。成都ESD保護器件設計公司

ESD保護器件本身必須具有ESD抑制能力；常見ESD保護器件訂購

ESD靜電保護元器件選型注意事項：1）ESD一般用于各類通信端口靜電防護，在一些高速數據線路，比如USB3.0、HDMI、IEEE1394等接口，ESD靜電保護二極管的結電容應盡量選擇小的，以避免影響通信質量； 2）ESD有單向（A）和雙向（C）之分，根據工作的信號進行選擇，單極性的信號可以選擇單向的 ESD或雙向的ESD， 雙極性的信號要選擇雙向的ESD；3）具體選擇什么型號的ESD靜電二極管做靜電防護，還需要在專業的電子工程師指導下選擇。ESD靜電保護元器件應用于通信、安防、工業、汽車、消費類產品、智能穿戴設備等電子產品的通信線及I/O口等靜電保護。常見ESD保護器件訂購

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