ESD保護器件的主要性能參數：1、較大工作電壓(MaxWorkingVoltage)，允許長期連續施加在ESD保護器件兩端的電壓(有效值)，在此工作狀態下ESD器件不導通，保持高阻狀態，反向漏電流很小。2、擊穿電壓(BreakdownVoltage)，ESD器件開始動作(導通)的電壓。一般地，TVS管動作電壓比壓敏電阻低。3、鉗位電壓(ClampingVoltage)，ESD器件流過峰值電流時，其兩端呈現的電壓，超過此電壓，可能造成ESD永遠性損傷。4、漏電流(LeakageCurrent)，在指定的直流電壓(一般指不超過工作電壓)的作用下面，流過ESD器件的電流。一般地，TVS管的反向漏電流是nA級，壓敏電阻漏電流是μA級，此電流越小，對保護電路影響越小。ESD保護器件可以安全、迅速、有效的消除已產生的靜電荷。商用ESD保護器件廠家供應

如何選擇ESD保護器件？要選擇適當的ESD保護器件(通常是TVS）構建ESD電路，應考慮較大工作電壓、寄生電容(Cin）、引腳配置、鉗制電壓、封裝類型和ESD抵抗力等。確定ESD保護器件工作電壓之前，需要了解保護電路的工作電壓。在選擇ESD保護器件工作電壓后，可以決定其寄生電容(Cin）。Cin從小于0.5pF到超過數百pF不等，影響產品速度。為了保護高速接口信號，Cin需要小；而對于電源線，Cin將相對不受限制。還應權衡Cin失真對高速接口信號的影響。眼圖通常用于檢查信號是否受到Cin的影響或衰變。此外，還需要確定單向或雙向特性、ESD保護器件的鉗制電壓，ESD器件的另一個重要參數是封裝。不同終端產品可選擇不同的封裝ESD器件ESD保護器件本身必須具有ESD抑制能力，至少該器件必須通過IEC 61000-4-2 level 4，即在接觸模式下達到±8kV，在空氣模式下達到±15kV。北京ESD保護器件哪里有ESD靜電保護二極管響應速度快（小于0.5ns）；

ESD保護器件的歸類：ESD脈沖、電源瞬變、浪涌等現象是損壞芯片的主要原因。ESD保護器件能抑制靜電荷的積累和靜電壓的產生；安全、迅速、有效的消除已產生的靜電荷。ESD保護器件一般包括三種：TVS二極管、壓敏電阻和聚合物靜電抑制器。TVS二極管：瞬態抑制二極管(Transient Vo1 tage Suppressor) 簡稱TVS， 是一種二極管形式的高效能保護器件，利用P-N結的反向擊穿工作原理，將靜電的高壓脈沖導入地，從而保護了電器內部對靜電敏感的元件。壓敏電阻：多層壓敏電阻及金屬氧化物壓敏電阻利用Zn0（氧化鋅）等壓敏材料的壓敏特性，實現了對靜電的防護。壓敏電阻器的電阻體材料是半導體，當施加于壓敏電阻器兩端電壓小于其壓敏電壓，壓敏電阻器相當于10MQ 以上絕緣電阻；當在壓敏電阻器兩端施加大于壓敏電壓的過電壓時，壓敏電阻器的電阻急劇下降呈現低阻態，從而把電荷快速導走，有效地保護了電路中的其它元器件不致過壓而損壞。其屬于可變電阻器。

ESD保護器件種類包括Zener二極管、壓敏電阻(varistors），SCR(可控硅整流器）和TVS(瞬時電壓抑制器）等。其中，TVS應用較廣，因為它具有很強的電容和快速開啟速度，保護內部電路的能力。資料顯示，預計從2020年至2024年，全球ESD保護器件市場復合年均增長率為5%。ESD原理和模型：當兩個具有不同電荷的物體彼此靠近時，可能會形成靜電放電(ESD）脈沖。對于任何電子設備，ESD電流可能會造成不可逆轉的損壞。因此，ESD保護電路變得極為重要。由ESD保護器件組成的保護電路在ESD電流發生時，提供放電路徑，保護電子設備。電阻低的放電路徑允許電流通過，并將電壓鉗制在相對較低的水平，避免對I/O或內部電路造成任何損壞。靜電放電即ESD，是指具有不同靜電電位的物體互相靠近或直接接觸引起的電荷轉移。

ESD對IC的損傷主要有兩類，即大電流產生局部熱量、高電場損傷絕緣層，都會導致電路或者器件功能性能的異常。ESD保護的基本原理就是并聯保護器件，以此泄放大電流和鉗位高電壓，避免對內部電路造成損傷。保護的原理已經非常清楚，那么在具體實施過程中，一種方式是減少靜電的產生，例如靜電手套、指套、離子風扇等中和靜電，這樣就減少了芯片受到的ESD威脅；另一種就是讓自身變得更加強大，既然無法避免強大靜電的產生，那么盡可能增強自身的抗ESD沖擊能力，這可以通過系統級和ESD保護器件來實現。ESD保護器件高集成度、小體積；西安ESD保護器件市場

ESD保護器件和對策組件的主要功能是使進入器件的ESD能夠逃逸到地面。商用ESD保護器件廠家供應

ESD 保護器件與保護電路：由于IC上ESD 保護電路能力有限，為保證整個系統有較好的ESD 防護能力，外部ESD 保護器件是必不可少的。比較常見的有硅基ESD,聚合物PESD和壓敏MOV。硅基ESD：VB擊穿電壓可以低到3.5V；VC鉗位電壓可以低到3.8V；IPP抗浪涌能力可以達100A；Cp電容可以低到0.2PF；反應速度小于1nS;封裝尺寸可以小到0201尺寸；封裝樣式可以多到20多個引腳；壽命和IC 一樣長。聚合物PESD：VB擊穿電壓5V；VC鉗位電壓常規40V；無IPP抗浪涌能力；Cp電容可以低到0.02PF；反應速度小于20nS;封裝尺寸可以小到0201尺寸；封裝樣式不能多樣化，一般是2個腳的二極管。壽命短，自身容易氧化。VC鉗位電壓常規40V；無IPP抗浪涌能力；Cp電容可以低到0.02PF；反應速度小于25nS;封裝尺寸可以小到0402尺寸；封裝樣式不能多樣化，一般是2個腳的二極管。壽命短，自身容易氧化。電子產品輕薄化的發展趨勢使其對ESD 防護要求越來越高，MOV 漸漸有些力不從心，硅基ESD二極管則開始嶄露頭角。商用ESD保護器件廠家供應

上海光宇睿芯微電子有限公司是一家上海光宇睿芯微電子有限公司座落于上海浦東張江高科技園區內，是專業從事半導體過電壓保護器件、功率MOSFT頁件、集成電照的設計與銷售的****，是國內掌握半導體過壓保護器件和集成電路設計的供應商之一。公司產品品種多，覆蓋范圍廣，已廣泛應用于通訊系統的接口保護、手機接口保護、掌上數碼產品接口保護、電源系統的過壓保護、鋰電池的BMS和電機驅動。 的公司，致力于發展為創新務實、誠實可信的企業。公司自創立以來，投身于MOSFET場效應管，ESD保護器件，穩壓管價格，傳感器，是數碼、電腦的主力軍。光宇睿芯微電子不斷開拓創新，追求出色，以技術為先導，以產品為平臺，以應用為重點，以服務為保證，不斷為客戶創造更高價值，提供更優服務。光宇睿芯微電子始終關注數碼、電腦行業。滿足市場需求，提高產品價值，是我們前行的力量。