MOSFET的漏極伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對應于GTR的截止區(qū)）；飽和區(qū)（對應于GTR的放大區(qū)）；非飽和區(qū)（對應于GTR的飽和區(qū)）。電力 MOSFET工作在開關狀態(tài)，即在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間來回轉(zhuǎn)換。電力MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時器件導通。電力 MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對器件并聯(lián)時的均流有利。動態(tài)特性：td(on)導通延時時間——導通延時時間是從當柵源電壓上升到10%柵驅(qū)動電壓時到漏電流升到規(guī)定電流的10%時所經(jīng)歷的時間。tr上升時間——上升時間是漏極電流從10%上升到90%所經(jīng)歷的時間。iD穩(wěn)態(tài)值由漏極電源電壓UE和漏極負載電阻決定。UGSP的大小和iD的穩(wěn)態(tài)值有關，UGS達到UGSP后，在up作用下繼續(xù)升高直至達到穩(wěn)態(tài)，但iD已不變。MOSFET在導通時的通道電阻低，而截止時的電阻近乎無限大，所以適合作為模擬信號的開關。上海DUAL P-CHANNELMOSFET封裝

MOSFET需求增長源于物聯(lián)網(wǎng)、3C產(chǎn)品、云端運算及服務器等的快速發(fā)展。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，簡稱包括NMOS、PMOS等。MOSFET的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時關注以下主要參數(shù)：1、IDSS—飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應管中，柵極電壓UGS=0時的漏源電流。2、UP—夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。3、UT—開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。4、gM—跨導。是表示柵源電壓UGS—對漏極電流ID的控制能力，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM是衡量場效應管放大能力的重要參數(shù)。西安高壓MOSFETMOSFET的尺寸變小意味著柵極面積減少。

MOSFET箭頭方向永遠從P端指向N端，所以箭頭從通道指向基極端的為P型的MOSFET，或簡稱PMOS（表示此元件的通道為P型）；反之若箭頭從基極指向通道，則表示基極為P型，而通道為N型，此元件為N型的MOSFET，簡稱NMOS。在一般分布式MOSFET元件（discrete device）中，通常把基極和源極接在一起，故分布式MOSFET通常為三端元件。而在集成電路中的MOSFET通常因為使用同一個基極（common bulk），所以不標示出基極的極性，而在PMOS的柵極端多加一個圓圈以示區(qū)別。MOSFET有4種類型：P溝道增強型，P溝道耗盡型，N溝道增強型，N溝道耗盡型。

雙柵極MOSFET雙柵極（dual-gate）MOSFET通常用在射頻（Radio Frequency,RF）集成電路中，這種MOSFET的兩個柵極都可以控制電流大小。在射頻電路的應用上，雙柵極MOSFET的第二個柵極大多數(shù)用來做增益、混頻器或是頻率轉(zhuǎn)換的控制。耗盡型MOSFET一般而言，耗盡型（depletion mode）MOSFET比前述的增強型（enhancement mode）MOSFET少見。耗盡型MOSFET在制造過程中改變摻雜到通道的雜質(zhì)濃度，使得這種MOSFET的柵極就算沒有加電壓，通道仍然存在。如果想要關閉通道，則必須在柵極施加負電壓。耗盡型MOSFET 的應用是在“常閉型”（normally-off）的開關，而相對的，加強式MOSFET則用在“常開型”（normally-on）的開關上。MOSFET本身的操作速度越來越快，幾乎成為各種半導體主動元件中極快的一種。

上海光宇睿芯微電子有限公司MOSFET日本命名法日本生產(chǎn)的半導體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到個部分，其各部分的符號意義如下：部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結(jié)的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類推。第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊登記的半導體分立器件。第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結(jié)晶體管、J-P溝道場效應管、K-N溝道場效應管、M-雙向可控硅。第四部分：用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數(shù)-從“11”開始，表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號；數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。第五部分：用字母表示同一型號的改進型產(chǎn)品標志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產(chǎn)品的改進產(chǎn)品。如2SK134為N溝道MOSFET，2SJ49為P溝道MOSFET。 MOSFET的面積越小，制造芯片的成本就可以降低，在同樣的封裝里可以裝下更高密度的芯片。蘇州低壓N+NMOSFET技術參數(shù)

理論上MOSFET的柵極應該盡可能選擇電性良好的導體。上海DUAL P-CHANNELMOSFET封裝

場效應管是利用多數(shù)載流子導電，所以稱之為單極型器件，而雙極結(jié)型晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導電。因此被稱之為雙極型器件。4、場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了 的應用。MOSFET在1960年由貝爾實驗室（Bell Lab.）的D. Kahng和 Martin Atalla 實作成功，這種元件的操作原理和1947年蕭克萊（William Shockley）等人發(fā)明的雙載流子結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor,BJT）截然不同，且因為制造成本低廉與使用面積較小、高整合度的優(yōu)勢，在大型集成電路（Large-Scale Integrated Circuits,LSI）或是超大型集成電路（Very Large-Scale Integrated Circuits,VLSI）的領域里，重要性遠超過BJT。上海DUAL P-CHANNELMOSFET封裝

上海光宇睿芯微電子有限公司是一家上海光宇睿芯微電子有限公司座落于上海浦東張江高科技園區(qū)內(nèi)，是專業(yè)從事半導體過電壓保護器件、功率MOSFT頁件、集成電照的設計與銷售的****，是國內(nèi)掌握半導體過壓保護器件和集成電路設計的供應商之一。公司產(chǎn)品品種多，覆蓋范圍廣，已廣泛應用于通訊系統(tǒng)的接口保護、手機接口保護、掌上數(shù)碼產(chǎn)品接口保護、電源系統(tǒng)的過壓保護、鋰電池的BMS和電機驅(qū)動。 的公司，致力于發(fā)展為創(chuàng)新務實、誠實可信的企業(yè)。光宇睿芯微電子深耕行業(yè)多年，始終以客戶的需求為向?qū)В瑸榭蛻籼峁?**的MOSFET場效應管，ESD保護器件，穩(wěn)壓管價格，傳感器。光宇睿芯微電子始終以本分踏實的精神和必勝的信念，影響并帶動團隊取得成功。光宇睿芯微電子始終關注自身，在風云變化的時代，對自身的建設毫不懈怠，高度的專注與執(zhí)著使光宇睿芯微電子在行業(yè)的從容而自信。