MOSFET的型號命名：場效應(yīng)管通常有下列兩種命名方法。第1種命名方法是使用“中國半導(dǎo)體器件型號命名法”的第3、第4和第5部分來命名，其中的第3部分用字母CS表示場效應(yīng)管，第4部分用阿拉伯?dāng)?shù)字表示器件序號，第5部分用漢語拼音字母表示規(guī)格號。例如CS2B、CS14A、CS45G等。第二種命名方法與雙極型三極管相同，第1位用數(shù)字表示電極數(shù)；第二位用字母表示極性（其中D是N溝道，C是P溝道）；第三位用字母表示類型（其中J表示結(jié)型場效應(yīng)管，O表示絕緣柵場效應(yīng)管）。例如，3DJ6D是N溝道結(jié)型場效應(yīng)三極管，3D06C是N溝道絕緣柵型場效應(yīng)三極管。MOSFET本身的操作速度越來越快，幾乎成為各種半導(dǎo)體主動(dòng)元件中極快的一種。廈門MOSFET失效分析

從名字表面的角度來看MOSFET的命名，事實(shí)上會(huì)讓人得到錯(cuò)誤的印象。因?yàn)镸OSFET里 “metal”的 個(gè)字母M在當(dāng)下大部分同類的元件里是不存在的。早期MOSFET的柵極（gate electrode）使用金屬作為其材料，但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，隨后MOSFET柵極使用多晶硅取代了金屬。在處理器中，多晶硅柵已經(jīng)不是主流技術(shù)，從英特爾采用45納米線寬的P1266處理器開始，柵極開始重新使用金屬。MOSFET在概念上屬于“絕緣柵極場效晶體管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的柵極絕緣層有可能是其他物質(zhì)而非MOSFET使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場效晶體管元件時(shí)比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是MOSFET。高壓P管MOSFET技術(shù)參數(shù)MOSFET有什么應(yīng)用優(yōu)勢？

降低高壓MOSFET導(dǎo)通電阻的原因：不同耐壓的MOSFET，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOSFET，其外延層電阻至少為 總導(dǎo)通電阻的29%，耐壓600V的MOSFET的外延層電阻則是總導(dǎo)通電阻的96.5%。由此可以推斷耐壓800V的MOSFET的導(dǎo)通電阻將幾乎被外 延層電阻占據(jù)。欲獲得高阻斷電壓，就必須采用高電阻率的外延層，并增厚。這就是常規(guī)高壓MOSFET結(jié)構(gòu)所導(dǎo)致的高導(dǎo)通電阻的根本原因。增加管芯面積雖能降低導(dǎo)通電阻，但成本的提高所付出的代價(jià)是商業(yè)品所不允許的。引入少數(shù)載流子導(dǎo)電雖能降低導(dǎo)通壓降，但付出的代價(jià)是開關(guān)速度的降低并出現(xiàn)拖尾電流，開關(guān)損耗增加，失去了MOSFET的高速的優(yōu)點(diǎn)。

隨半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)步，對于整合更多功能至單一芯片的需求也跟著大幅提升，此時(shí)用MOSFET設(shè)計(jì)模擬電路的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)也隨之浮現(xiàn)。為了減少在印刷電路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的集成電路數(shù)量、減少封裝成本與縮小系統(tǒng)的體積，很多原本單獨(dú)的類比芯片與數(shù)位芯片被整合至同一個(gè)芯片內(nèi)。MOSFET原本在數(shù)位集成電路上就有很大的競爭優(yōu)勢，在類比集成電路上也大量采用MOSFET之后，把這兩種不同功能的電路整合起來的困難度也明顯的下降。另外像是某些混合信號電路（Mixed-signal circuits），如類比/數(shù)位轉(zhuǎn)換器（Analog-to-Digital Converter,ADC），也得以利用MOSFET技術(shù)設(shè)計(jì)出效能更好的產(chǎn)品。MOSFET電路符號中，從通道往右延伸的箭號方向則可表示此元件為N型或是P型的MOSFET。

MOSFET里的氧化層位于其通道上方，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的厚度 有數(shù)十至數(shù)百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide,SiO2），不過有些新的進(jìn)階制程已經(jīng)可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride,SiON）做為氧化層之用。 半導(dǎo)體元件的材料通常以硅（silicon）為 ，但是也有些半導(dǎo)體公司發(fā)展出使用其他半導(dǎo)體材料的制程，當(dāng)中 的例如IBM使用硅與鍺（germanium）的混合物所發(fā)展的硅鍺制程（silicon-germanium process,SiGe process）。而可惜的是很多擁有良好電性的半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（gallium arsenide,GaAs），因?yàn)闊o法在表面長出品質(zhì)夠好的氧化層，所以無法用來制造MOSFET元件。Power MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。西安低壓N+NMOSFET失效分析

在集成電路中的MOSFET通常因?yàn)槭褂猛粋€(gè)基極（common bulk），所以不標(biāo)示出基極的極性。廈門MOSFET失效分析

常用于MOSFET的電路符號有很多種變化，較常見的設(shè)計(jì)是以一條直線表明通道，兩條和通道垂直的線表明源極與漏極，左方和通道平行而且較短的線表明柵極，如下圖所示。有時(shí)也會(huì)將表明通道的直線以破折線代替，以區(qū)分增強(qiáng)型MOSFET（enhancement mode MOSFET）或是耗盡型MOSFET（depletion mode MOSFET）另外又分為NMOSFET和PMOSFET兩種類型。由于集成電路芯片上的MOSFET為四端元件，所以除了柵極、源極、漏極外，尚有一基極（Bulk或是Body）。MOSFET電路符號中，從通道往右延伸的箭號方向則可表示此元件為N型或是P型的MOSFET。箭頭方向永遠(yuǎn)從P端指向N端，所以箭頭從通道指向基極端的為P型的MOSFET，或簡稱PMOS（表明此元件的通道為P型）；反之若箭頭從基極指向通道，則表明基極為P型，而通道為N型，此元件為N型的MOSFET，簡稱NMOS。在一般分布式MOSFET元件（discrete device）中，通常把基極和源極接在一起，故分布式MOSFET通常為三端元件。廈門MOSFET失效分析

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