單一MOSFET開(kāi)關(guān)：當(dāng)NMOS用來(lái)做開(kāi)關(guān)時(shí)，其基極接地，柵極為控制開(kāi)關(guān)的端點(diǎn)。當(dāng)柵極電壓減去源極電壓超過(guò)其導(dǎo)通的臨界電壓時(shí)，此開(kāi)關(guān)的狀態(tài)為導(dǎo)通。柵極電壓繼續(xù)升高，則NMOS能通過(guò)的電流就更大。NMOS做開(kāi)關(guān)時(shí)操作在線(xiàn)性區(qū)，因?yàn)樵礃O與漏極的電壓在開(kāi)關(guān)為導(dǎo)通時(shí)會(huì)趨向一致。PMOS做開(kāi)關(guān)時(shí)，其基極接至電路里電位高的地方，通常是電源。柵極的電壓比源極低、超過(guò)其臨界電壓時(shí)，PMOS開(kāi)關(guān)會(huì)打開(kāi)。NMOS開(kāi)關(guān)能容許通過(guò)的電壓上限為（Vgate-Vthn），而PMOS開(kāi)關(guān)則為（Vgate+Vthp），這個(gè)值通常不是信號(hào)原本的電壓振幅，也就是說(shuō)單一MOSFET開(kāi)關(guān)會(huì)有讓信號(hào)振幅變小、信號(hào)失真的缺點(diǎn)。為何要把MOSFET的尺寸縮小？深圳低壓P管MOSFET失效分析

常用于MOSFET的電路符號(hào)有很多種變化， 常見(jiàn)的設(shè)計(jì)是以一條直線(xiàn) 通道，兩條和通道垂直的線(xiàn) 源極與漏極，左方和通道平行而且較短的線(xiàn) 柵極，如下圖所示。有時(shí)也會(huì)將 通道的直線(xiàn)以破折線(xiàn)代替，以區(qū)分增強(qiáng)型MOSFET（enhancement mode MOSFET）或是耗盡型MOSFET（depletion mode MOSFET）另外又分為NMOSFET和PMOSFET兩種類(lèi)型，電路符號(hào)如圖所示（箭頭的方向不同）。由于集成電路芯片上的MOSFET為四端元件，所以除了柵極、源極、漏極外，尚有一基極（Bulk或是Body）。MOSFET電路符號(hào)中，從通道往右延伸的箭號(hào)方向則可表示此元件為N型或是P型的MOSFET。箭頭方向永遠(yuǎn)從P端指向N端，所以箭頭從通道指向基極端的為P型的MOSFET，或簡(jiǎn)稱(chēng)PMOS（ 此元件的通道為P型）DUAL P-CHANNELMOSFET開(kāi)關(guān)管越小的MOSFET象征其通道長(zhǎng)度減少。

MOSFET在概念上屬于“絕緣柵極場(chǎng)效晶體管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的柵極絕緣層有可能是其他物質(zhì)而非MOSFET使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場(chǎng)效晶體管元件時(shí)比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是MOSFET。MOSFET里的氧化層位于其通道上方，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的厚度至少有數(shù)十至數(shù)百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide,SiO2），不過(guò)有些新的進(jìn)階制程已經(jīng)可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride,SiON）做為氧化層之用。

制程變異更難掌控現(xiàn)代的半導(dǎo)體制程工序復(fù)雜而繁多，任何一道制程都有可能造成集成電路芯片上的元件產(chǎn)生些微變異。當(dāng)MOSFET等元件越做越小，這些變異所占的比例就可能大幅提升，進(jìn)而影響電路設(shè)計(jì)者所預(yù)期的效能，這樣的變異讓電路設(shè)計(jì)者的工作變得更為困難。MOSFET的柵極材料 播報(bào)理論上MOSFET的柵極應(yīng)該盡可能選擇電性良好的導(dǎo)體，多晶硅在經(jīng)過(guò)重（讀作zhong）摻雜之后的導(dǎo)電性可以用在MOSFET的柵極上，但是并非完美的選擇。MOSFET使用多晶硅作為的理由如下：⒈ MOSFET的臨界電壓（threshold voltage）主要由柵極與通道材料的功函數(shù)（work function）之間的差異來(lái)決定，而因?yàn)槎嗑Ч璞举|(zhì)上是半導(dǎo)體，所以可以藉由摻雜不同極性的雜質(zhì)來(lái)改變其功函數(shù)。更重要的是，因?yàn)槎嗑Ч韬偷紫伦鳛橥ǖ赖墓柚g能隙（bandgap）相同，因此在降低PMOS或是NMOS的臨界電壓時(shí)可以藉由直接調(diào)整多晶硅的功函數(shù)來(lái)達(dá)成需求。反過(guò)來(lái)說(shuō)，金屬材料的功函數(shù)并不像半導(dǎo)體那么易于改變，如此一來(lái)要降低MOSFET的臨界電壓就變得比較困難。而且如果想要同時(shí)降低PMOS和NMOS的臨界電壓，將需要兩種不同的金屬分別做其柵極材料，對(duì)于制程又是一個(gè)很大的變量。MOSFET的重要部位有哪些？

功率MOSFET的種類(lèi)：按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道，增強(qiáng)型；對(duì)于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時(shí)才存在導(dǎo)電溝道，功率MOSFET主要是N溝道增強(qiáng)型。功率MOSFET導(dǎo)通時(shí)只有一種極性的載流子（多子）參與導(dǎo)電，是單極型晶體管。導(dǎo)電機(jī)理與小功率MOS管相同，但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別，小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷β蔒OSFET大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，又稱(chēng)為VMOSFET（Vertical MOSFET），大幅提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。MOSFET的使用應(yīng)該注意什么事項(xiàng)？低壓P管MOSFET開(kāi)關(guān)管

MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的。深圳低壓P管MOSFET失效分析

怎么選擇正確的MOSFET？1）溝道的選擇，為設(shè)計(jì)選擇正確器件的第1步是決定采用N溝道還是P溝道 MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOSFET接地，而負(fù)載連接到干線(xiàn)電壓上時(shí)，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開(kāi)關(guān)。在低壓側(cè)開(kāi)關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOSFET,這是出于對(duì)關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOSFET連接到總線(xiàn)及負(fù)載接地時(shí)，就要用高壓側(cè)開(kāi)關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道 MOSFET,這也是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)的考慮。2）電壓和電流的選擇，額定電壓越大，器件的成本就越高。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓，即較大VDS。設(shè)計(jì)工程師需要考慮的其他安全因素包括由開(kāi)關(guān)電子設(shè)備（如電機(jī)或變壓器）誘發(fā)的電壓瞬變。不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同；通常，便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源 為20~30V、85~220VAC應(yīng)用為450~600V。在連續(xù)導(dǎo)通模式下，MOSFET處于穩(wěn)態(tài)，此時(shí)電流連續(xù)通過(guò)器件。脈沖尖峰是指有大量電涌（或尖峰電流）流過(guò)器件。一旦確定了這些條件下的電流，只需直接選擇能承受這個(gè)電流的器件便可。深圳低壓P管MOSFET失效分析

上海光宇睿芯微電子有限公司擁有上海光宇睿芯微電子有限公司座落于上海浦東張江高科技園區(qū)內(nèi)，是專(zhuān)業(yè)從事半導(dǎo)體過(guò)電壓保護(hù)器件、功率MOSFT頁(yè)件、集成電照的設(shè)計(jì)與銷(xiāo)售的****，是國(guó)內(nèi)掌握半導(dǎo)體過(guò)壓保護(hù)器件和集成電路設(shè)計(jì)的供應(yīng)商之一。公司產(chǎn)品品種多，覆蓋范圍廣，已廣泛應(yīng)用于通訊系統(tǒng)的接口保護(hù)、手機(jī)接口保護(hù)、掌上數(shù)碼產(chǎn)品接口保護(hù)、電源系統(tǒng)的過(guò)壓保護(hù)、鋰電池的BMS和電機(jī)驅(qū)動(dòng)。 等多項(xiàng)業(yè)務(wù)，主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管，ESD保護(hù)器件，穩(wěn)壓管價(jià)格，傳感器。目前我公司在職員工以90后為主，是一個(gè)有活力有能力有創(chuàng)新精神的團(tuán)隊(duì)。上海光宇睿芯微電子有限公司主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管，ESD保護(hù)器件，穩(wěn)壓管價(jià)格，傳感器，堅(jiān)持“質(zhì)量保證、良好服務(wù)、顧客滿(mǎn)意”的質(zhì)量方針，贏(yíng)得廣大客戶(hù)的支持和信賴(lài)。公司憑著雄厚的技術(shù)力量、飽滿(mǎn)的工作態(tài)度、扎實(shí)的工作作風(fēng)、良好的職業(yè)道德，樹(shù)立了良好的MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管，ESD保護(hù)器件，穩(wěn)壓管價(jià)格，傳感器形象，贏(yíng)得了社會(huì)各界的信任和認(rèn)可。