MOSFET中米勒效應分析：MOSFET中柵-漏間電容，構成輸入（GS）輸出（DS）的反饋回路，MOSFET中的米勒效應就形成了。幾乎所有的MOSFET規格書中，會給出柵極電荷的參數。柵極電荷讓設計者很容易計算出驅動電路開啟MOSFET所需要的時，Q=I*t間。例如一個器件柵極電荷Qg為20nC，如果驅動電路提供1mA充電電流的話，需要20us來開通該器件；如果想要在20ns就開啟，則需要把驅動能力提高到1A。如果利用輸入電容的話，就沒有這么方便的計算開關速度了。MOSFET特點是用柵極電壓來控制漏極電流，驅動電路簡單；無錫低壓N管MOSFET

MOSFET的重要部位：金屬—氧化層—半導體電容，金屬—氧化層—半導體結構MOSFET在結構上以一個金屬—氧化層—半導體的電容為重要，氧化層的材料多半是二氧化硅，其下是作為基極的硅，而其上則是作為柵極的多晶硅。這樣子的結構正好等于一個電容器（capacitor），氧化層扮演電容器中介電質（dielectric material）的角色，而電容值由氧化層的厚度與二氧化硅的介電常數（dielectric constant）來決定。柵極多晶硅與基極的硅則成為MOS電容的兩個端點。南通高壓MOSFET失效分析MOSFET簡稱金氧半場效晶體管。

MOSFET工作原理：要使增強型N溝道MOSFET工作，要在G、S之間加正電壓VGS及在D、S之間加正電壓VDS，則產生正向工作電流ID。改變VGS的電壓可控制工作電流ID。若先不接VGS（即VGS=0），在D與S極之間加一正電壓VDS，漏極D與襯底之間的PN結處于反向，因此漏源之間不能導電。如果在柵極G與源極S之間加一電壓VGS。此時可以將柵極與襯底看作電容器的兩個極板，而氧化物絕緣層作為電容器的介質。當加上VGS時，在絕緣層和柵極界面上感應出正電荷，而在絕緣層和P型襯底界面上感應出負電荷。這層感應的負電荷和P型襯底中的多數載流子（空穴）的極性相反，所以稱為“反型層”，這反型層有可能將漏與源的兩N型區連接起來形成導電溝道。

理論上MOSFET的柵極應該盡可能選擇電性良好的導體，多晶硅在經過重（讀作zhong）摻雜之后的導電性可以用在MOSFET的柵極上，但是并非完美的選擇。MOSFET使用多晶硅作為的理由如下： MOSFET的臨界電壓（threshold voltage）主要由柵極與通道材料的功函數（work function）之間的差異來決定，而因為多晶硅本質上是半導體，所以可以藉由摻雜不同極性的雜質來改變其功函數。更重要的是，因為多晶硅和底下作為通道的硅之間能隙（bandgap）相同，因此在降低PMOS或是NMOS的臨界電壓時可以藉由直接調整多晶硅的功函數來達成需求。反過來說，金屬材料的功函數并不像半導體那么易于改變，如此一來要降低MOSFET的臨界電壓就變得比較困難。而且如果想要同時降低PMOS和NMOS的臨界電壓，將需要兩種不同的金屬分別做其柵極材料，對于制程又是一個很大的變量。多晶硅的融點比大多數的金屬高，而在現代的半導體制程中習慣在高溫下沉積柵極材料以增進元件效能。金屬的融點低，將會影響制程所能使用的溫度上限。一個完整的MOSFET結構需要一個提供多數載流子的源極以及接受這些多數載流子的漏極。

MOSFET的柵極材料有哪些？ 理論上MOSFET的柵極應該盡可能選擇電性良好的導體，多晶硅在經過重摻雜之后的導電性可以用在MOSFET的柵極上，但是并非完美的選擇。MOSFET使用多晶硅作為的理由如下：硅—二氧化硅接面經過多年的研究，已經證實這兩種材料之間的缺陷（defect）是相對而言比較少的。反之，金屬—絕緣體接面的缺陷多，容易在兩者之間形成很多表面能階，大為影響元件的特性。 多晶硅的融點比大多數的金屬高，而在現代的半導體制程中習慣在高溫下沉積柵極材料以增進元件效能。金屬的融點低，將會影響制程所能使用的溫度上限。MOSFET計算系統的散熱要求，可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET。上海DUAL P-CHANNELMOSFET失效分析

MOSFET應用優勢：有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比雙極晶體管好。無錫低壓N管MOSFET

MOSFET在導通時的通道電阻低，而截止時的電阻近乎無限大，所以適合作為模擬信號的開關（信號的能量不會因為開關的電阻而損失太多）。MOSFET作為開關時，其源極與漏極的分別和其他的應用是不太相同的，因為信號可以從MOSFET柵極以外的任一端進出。對NMOS開關而言，電壓 負的一端就是源極，PMOS則正好相反，電壓 正的一端是源極。MOSFET開關能傳輸的信號會受到其柵極—源極、柵極—漏極，以及漏極到源極的電壓限制，如果超過了電壓的上限可能會導致MOSFET燒毀。MOSFET開關的應用范圍很廣，舉凡需要用到取樣持有電路（sample-and-hold circuits）或是截波電路（chopper circuits）的設計，例如類比數位轉換器（A/D converter）或是切換電容濾波器（switch-capacitor filter）上都可以見到MOSFET開關的蹤影。無錫低壓N管MOSFET

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