為何要把MOSFET的尺寸縮小？基于以下幾個理由，我們希望MOSFET的尺寸能越小越好。第1，越小的MOSFET象征其通道長度減少，讓通道的等效電阻也減少，可以讓更多電流通過。雖然通道寬度也可能跟著變小而讓通道等效電阻變大，但是如果能降低單位電阻的大小，那么這個問題就可以解決。其次，MOSFET的尺寸變小意味著柵極面積減少，如此可以降低等效的柵極電容。此外，越小的柵極通常會有更薄的柵極氧化層，這可以讓前面提到的通道單位電阻值降低。不過這樣的改變同時會讓柵極電容反而變得較大，但是和減少的通道電阻相比，獲得的好處仍然多過壞處，而MOSFET在尺寸縮小后的切換速度也會因為上面兩個因素加總而變快。第三個理由是MOSFET的面積越小，制造芯片的成本就可以降低，在同樣的封裝里可以裝下更高密度的芯片。一片集成電路制程使用的晶圓尺寸是固定的，所以如果芯片面積越小，同樣大小的晶圓就可以產出更多的芯片，于是成本就變得更低了。MOSFET在概念上屬于“絕緣柵極場效晶體管”。西安MOSFET型號

數字電路對MOSFET的幫助：數字科技的進步，如微處理器運算效能不斷提升，帶給深入研發新一代MOSFET更多的動力，這也使得MOSFET本身的操作速度越來越快，幾乎成為各種半導體主動元件中較快的一種。MOSFET在數字信號處理上較主要的成功來自CMOS邏輯電路的發明，這種結構較大的好處是理論上不會有靜態的功率損耗，只有在邏輯門（logic gate）的切換動作時才有電流通過。CMOS邏輯門較基本的成員是CMOS反相器（inverter），而所有CMOS邏輯門的基本操作都如同反相器一樣，在邏輯轉換的瞬間同一時間內必定只有一種晶體管（NMOS或是PMOS）處在導通的狀態下，另一種必定是截止狀態，這使得從電源端到接地端不會有直接導通的路徑，大量節省了電流或功率的消耗，也降低了集成電路的發熱量。廈門DUAL N-CHANNELMOSFET開關管MOSFET較常見的設計是以一條直線表示通道，兩條和通道垂直的線表示源極與漏極。

中國命名法有兩種命名方法。場效應管通常有下列兩種命名方法。第一種命名方法是使用“中國半導體器件型號命名法”的第3、第4和第5部分來命名，其中的第3部分用字母CS表示場效應管，第4部分用阿拉伯數字表示器件序號，第5部分用漢語拼音字母表示規格號。例如CS2B、CS14A、CS45G等。第二種命名方法與雙極型三極管相同， 位用數字 電極數；第二位用字母 極性（其中D是N溝道，C是P溝道）；第三位用字母 類型（其中J 結型場效應管，O 絕緣柵場效應管）。例如，3DJ6D是N溝道結型場效應三極管，3D06C是N溝道絕緣柵型場效應三極管。

單一MOSFET開關：當NMOS用來做開關時，其基極接地，柵極為控制開關的端點。當柵極電壓減去源極電壓超過其導通的臨界電壓時，此開關的狀態為導通。柵極電壓繼續升高，則NMOS能通過的電流就更大。NMOS做開關時操作在線性區，因為源極與漏極的電壓在開關為導通時會趨向一致。PMOS做開關時，其基極接至電路里電位高的地方，通常是電源。柵極的電壓比源極低、超過其臨界電壓時，PMOS開關會打開。NMOS開關能容許通過的電壓上限為（Vgate-Vthn），而PMOS開關則為（Vgate+Vthp），這個值通常不是信號原本的電壓振幅，也就是說單一MOSFET開關會有讓信號振幅變小、信號失真的缺點。MOSFET是一種可以普遍使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管。

內建橫向電場MOSFET的主要特性：（1）導通電阻的降低：INFINEON的內建橫向電場的MOSFET，耐壓600V和800V，與常規MOSFET器件相比，相同的管芯面積，導通電阻分別下 降到常規MOSFET的1/5， 1/10；相同的額定電流，導通電阻分別下降到1/2和約1/3。在額定結溫、額定電流條件下，導通電壓分別從12.6V，19.1V下降到 6.07V，7.5V；導通損耗下降到常規MOSFET的1/2和1/3。由于導通損耗的降低，發熱減少，器件相對較涼，故稱COOLMOS。（2）封裝的減小和熱阻的降低，相同額定電流的COOLMOS的管芯較常規MOSFET減小到1/3和1/4，使封裝減小兩個管殼規格。由于COOLMOS管芯厚度單為常規MOSFET的1/3，使TO-220封裝RTHJC從常規1℃/W降到0.6℃/W；額定功率從125W上升到208W，使管芯散熱能力提高。MOSFET簡稱金氧半場效晶體管。深圳P-CHANNELMOSFET定制

MOSFET柵極使用多晶硅取代了金屬。西安MOSFET型號

如何區分MOSFET是N溝道還是P溝道？場效應晶體管是金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的簡稱，它是現代電子產品的基本組成部分。MOSFET由諸如硅的半導體材料制成，半導體在導體和絕緣體之間具有導電性。為了使半導體成為良好的導體，會在純晶體中引入兩種類型的雜質，如果雜質是五價的，則所得的半導體為n型。在n型電子中，大多數電荷載流子。如果雜質是三價的，那么所得的半導體是p型的。在p型孔中，大多數電荷載流子。MOSFET有兩種類型：增強型和耗盡型，這兩種類型都進一步分為：N通道和P通道。西安MOSFET型號

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