當VGS繼續增大，負電荷增加，導電溝道擴大，電阻降低，ID也隨之增加，并且呈較好線性關系，如圖3所示。此曲線稱為轉換特性。因此在一定范圍內可以認為，改變VGS來控制漏源之間的電阻，達到控制ID的作用。由于這種結構在VGS=0時，ID=0，稱這種MOSFET為增強型。另一類MOSFET，在VGS=0時也有一定的ID（稱為IDSS），這種MOSFET稱為耗盡型。它的結構如圖4所示，它的轉移特性如圖5所示。VP為夾斷電壓（ID=0）。耗盡型與增強型主要區別是在制造SiO2絕緣層中有大量的正離子，使在P型襯底的界面上感應出較多的負電荷，即在兩個N型區中間的P型硅內形成一N型硅薄層而形成一導電溝道，所以在VGS=0時，有VDS作用時也有一定的ID(IDSS）；當VGS有電壓時（可以是正電壓或負電壓），改變感應的負電荷數量，從而改變ID的大小。VP為ID=0時的-VGS，稱為夾斷電壓。MOSFET在數字信號處理上主要的成功來自CMOS邏輯電路的發明。蘇州低壓N+NMOSFET晶體管

理論上MOSFET的柵極應該盡可能選擇電性良好的導體，多晶硅在經過重（讀作zhong）摻雜之后的導電性可以用在MOSFET的柵極上，但是并非完美的選擇。MOSFET使用多晶硅作為的理由如下： MOSFET的臨界電壓（threshold voltage）主要由柵極與通道材料的功函數（work function）之間的差異來決定，而因為多晶硅本質上是半導體，所以可以藉由摻雜不同極性的雜質來改變其功函數。更重要的是，因為多晶硅和底下作為通道的硅之間能隙（bandgap）相同，因此在降低PMOS或是NMOS的臨界電壓時可以藉由直接調整多晶硅的功函數來達成需求。反過來說，金屬材料的功函數并不像半導體那么易于改變，如此一來要降低MOSFET的臨界電壓就變得比較困難。而且如果想要同時降低PMOS和NMOS的臨界電壓，將需要兩種不同的金屬分別做其柵極材料，對于制程又是一個很大的變量。多晶硅的融點比大多數的金屬高，而在現代的半導體制程中習慣在高溫下沉積柵極材料以增進元件效能。金屬的融點低，將會影響制程所能使用的溫度上限。杭州高壓P管MOSFET隨著MOSFET技術的不斷演進，現在的CMOS技術也已經可以符合很多模擬電路的規格需求。

功率MOSFET的基本特性：漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關系稱為MOSFET的轉移特性，ID較大時，ID與UGS的關系近似線性，曲線的斜率定義為跨導Gfs。MOSFET的漏極伏安特性（輸出特性）：截止區（對應于GTR的截止區）；飽和區（對應于GTR的放大區）；非飽和區（對應于GTR的飽和區）。電力 MOSFET工作在開關狀態，即在截止區和非飽和區之間來回轉換。電力MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時器件導通。電力 MOSFET的通態電阻具有正溫度系數，對器件并聯時的均流有利。

由于MOSFET是對稱的，所以源極或漏極可以互換。因此，源極端子和基板端子在內部連接，所以MOSFET具有三個端子，而且它們處于相同的電位，這就阻止了任何電流從襯底流向源極。在MOSFET中，我們希望電流從漏極流到源極，因此，我們必須在漏極和源極之間連接一個電池，該電壓稱為Vds，因為它介于漏極和源極之間。電池的正極增加了漏極端子處的電勢，從而增加了漏極和基板之間的耗盡區，因此不會有電流從漏極流到源極，這時候MOSFET處于截止狀態，這也稱為截止區域。現在，要使電流從漏極流到源極，必須在它們之間建立一個通道。為了創建通道，我們又在柵極和襯底之間連接了一個小電壓源。電池正端與柵極相連，該電壓稱為Vgs，因為它介于柵極和源極之間，襯底是p型半導體，因此，電荷載流子是空穴，但是存在一些自由電子作為少數電荷載流子。電池在基板內部產生電場，由于該場襯底中的電子與電場相反地流動，即流向柵極，由于存在絕緣體，這些電子無法從基板流向柵極，因此它們聚集在襯底中的柵極附近。MOSFET中的絕緣體或電介質不單會阻擋電子，還會增加電子上的電荷，從而吸引更多的電子。Power MOSFET全稱功率場效應晶體管。

如何選擇用于熱插拔的MOSFET？當電源與其負載突然斷開時，電路寄生電感元件上的大電流擺動會產生巨大的尖峰電壓，對電路上的電子元件造成十分不利的影響。與電池保護應用類似，此處MOSFET可以將輸入電源與其他電路隔離開來。但此時，FET的作用并不是立即斷開輸入與輸出之間的連接，而是減輕那些具有破壞力的浪涌電流帶來的嚴重后果。這需要通過一個控制器來調節輸入電壓（VIN）和輸出電壓（VOUT）之間MOSFET上的柵源偏壓，使MOSFET處于飽和狀態，從而阻止可能通過的電流。在集成電路中的MOSFET通常因為使用同一個基極（common bulk），所以不標示出基極的極性。杭州低壓N+PMOSFET封裝

MOSFET較大的應用是在“常閉型”的開關，而相對的，加強式MOSFET則用在“常開型”的開關上。蘇州低壓N+NMOSFET晶體管

從名字表面的角度來看MOSFET的命名，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET里表示“metal”的第1個字母M在當下大部分同類的元件里是不存在的。早期MOSFET的柵極（gate electrode）使用金屬作為其材料，但隨著半導體技術的進步，隨后MOSFET柵極使用多晶硅取代了金屬。MOSFET在概念上屬于“絕緣柵極場效晶體管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的柵極絕緣層有可能是其他物質而非MOSFET使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場效晶體管元件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是MOSFET。蘇州低壓N+NMOSFET晶體管

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