常用于MOSFET的電路符號有很多種變化，較常見的設計是以一條直線表明通道，兩條和通道垂直的線表明源極與漏極，左方和通道平行而且較短的線表明柵極，如下圖所示。有時也會將表明通道的直線以破折線代替，以區分增強型MOSFET（enhancement mode MOSFET）或是耗盡型MOSFET（depletion mode MOSFET）另外又分為NMOSFET和PMOSFET兩種類型。由于集成電路芯片上的MOSFET為四端元件，所以除了柵極、源極、漏極外，尚有一基極（Bulk或是Body）。MOSFET電路符號中，從通道往右延伸的箭號方向則可表示此元件為N型或是P型的MOSFET。箭頭方向永遠從P端指向N端，所以箭頭從通道指向基極端的為P型的MOSFET，或簡稱PMOS（表明此元件的通道為P型）；反之若箭頭從基極指向通道，則表明基極為P型，而通道為N型，此元件為N型的MOSFET，簡稱NMOS。在一般分布式MOSFET元件（discrete device）中，通常把基極和源極接在一起，故分布式MOSFET通常為三端元件。MOSFET應用優勢：有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比雙極晶體管好。張家港DUAL N-CHANNELMOSFET失效分析

對這個NMOS而言，真正用來作為通道、讓載流子通過的只有MOS電容正下方半導體的表面區域。當一個正電壓施加在柵極上，帶負電的電子就會被吸引至表面，形成通道，讓N型半導體的多數載流子—電子可以從源極流向漏極。如果這個電壓被移除，或是放上一個負電壓，那么通道就無法形成，載流子也無法在源極與漏極之間流動。假設操作的對象換成PMOS，那么源極與漏極為P型、基體則是N型。在PMOS的柵極上施加負電壓，則半導體上的空穴會被吸引到表面形成通道，半導體的多數載流子—空穴則可以從源極流向漏極。假設這個負電壓被移除，或是加上正電壓，那么通道無法形成，一樣無法讓載流子在源極和漏極間流動。特別要說明的是，源極在MOSFET里的意思是“提供多數載流子的來源”。對NMOS而言，多數載流子是電子；對PMOS而言，多數載流子是空穴。相對的，漏極就是接受多數載流子的端點。深圳低壓MOSFETMOSFET的柵極材料有哪些？

雙重MOSFET（CMOS）開關為了改善前述單一MOSFET開關造成信號失真的缺點，于是使用一個PMOS加上一個NMOS的CMOS開關成為 普遍的做法。CMOS開關將PMOS與NMOS的源極與漏極分別連接在一起，而基極的接法則和NMOS與PMOS的傳統接法相同。當輸入電壓在（VDD-Vthn）和（VSS+Vthp）時，PMOS與NMOS都導通，而輸入小于（VSS+Vthp）時，只有NMOS導通，輸入大于（VDD-Vthn）時只有PMOS導通。這樣做的好處是在大部分的輸入電壓下，PMOS與NMOS皆同時導通，如果任一邊的導通電阻上升，則另一邊的導通電阻就會下降，所以開關的電阻幾乎可以保持定值，減少信號失真。

從名字表面的角度來看MOSFET的命名，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET里 “metal”的 個字母M在當下大部分同類的元件里是不存在的。早期MOSFET的柵極（gate electrode）使用金屬作為其材料，但隨著半導體技術的進步，隨后MOSFET柵極使用多晶硅取代了金屬。在處理器中，多晶硅柵已經不是主流技術，從英特爾采用45納米線寬的P1266處理器開始，柵極開始重新使用金屬。MOSFET在概念上屬于“絕緣柵極場效晶體管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的柵極絕緣層有可能是其他物質而非MOSFET使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場效晶體管元件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是MOSFET。MOSFET的參數很多，包括直流參數、交流參數和極限參數。

MOSFET的重要部位：金屬—氧化層—半導體電容，金屬—氧化層—半導體結構MOSFET在結構上以一個金屬—氧化層—半導體的電容為重要，氧化層的材料多半是二氧化硅，其下是作為基極的硅，而其上則是作為柵極的多晶硅。這樣子的結構正好等于一個電容器（capacitor），氧化層扮演電容器中介電質（dielectric material）的角色，而電容值由氧化層的厚度與二氧化硅的介電常數（dielectric constant）來決定。柵極多晶硅與基極的硅則成為MOS電容的兩個端點。為何要把MOSFET的尺寸縮小？南通低壓P管MOSFET設計

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MOSFET開關基礎知識：一般來講,三極管是電流驅動的,MOSFET是電壓驅動的，這樣也可以節省系統功耗吧,在做開關管時有一個必須注意的事項就是輸入和輸入兩端間的管壓降問題,比如一個5V的電源,經過管子后可能變為了4.5V,這時候要考慮負載能不能接受了,類似的問題還有在使用二極管的時候(尤其是做電壓反接保護時)也要注意管子的壓降問題。MOSFET的開關速度和Cin充放電有很大關系，使用者無法降低Cin， 但可降低驅動電路內阻Rs減小時間常數，加快開關速度，MOSFET只靠多子導電，不存在少子儲存效應，因而關斷過程非常迅速，開關時間在10— 100ns之間，工作頻率可達100kHz以上，是主要電力電子器件中很高的。場控器件靜態時幾乎不需輸入電流。但在開關過程中需對輸入電容充放電，仍需一定的驅動功率。開關頻率越高，所需要的驅動功率越大。張家港DUAL N-CHANNELMOSFET失效分析

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