晶體振蕩器實際應用的環境需要慎重考慮。例如，大強度的振動或沖擊會給振蕩器帶來問題。除了可能產生物理損壞，振動或沖擊可在某些頻率下引起錯誤的動作。這些外部感應的擾動會產生頻率跳動、增加噪聲份量以及間歇性振蕩器失效。對于要求特殊EMI兼容的應用，EMI是另一個要優先考慮的問題。除了采用合適的PC母板布局技術，重要的是選擇可提供輻射量較小的時鐘振蕩器。一般來說，具有較慢上升/下降時間的振蕩器呈現較好的EMI特性。石英晶體振蕩器是高精度和高穩定度的振蕩器，被普遍應用于彩電、計算機、遙控器等各類振蕩電路中，以及通信系統中用于頻率發生器、為數據處理設備產生時鐘信號和為特定系統提供基準信號。溫度補償晶體振蕩器：封裝尺寸來自30x30x15mm至11.4x9.6x3.9mm。蘇州1612晶體振蕩器哪家好

晶體振蕩器被普遍應用到軍、民用通信電臺，微波通信設備，程控電話交換機，無線電綜合測試儀，BP機、移動電話發射臺，較好頻率計數器、GPS、衛星通信、遙控移動設備等。它有多種封裝，特點是電氣性能規范多種多樣。它有好幾種不同的類型：電壓控制晶體振蕩器（VCXO）、溫度補償晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO），以及數字補償晶體振蕩器（MCXO或DTCXO），每種類型都有自己的獨特性能。如果需要使設備即開即用，您就必須選用VCXO或溫補晶振，如果要求穩定度在0.5ppm以上，則需選擇數字溫補晶振（MCXO）。模擬溫補晶振適用于穩定度要求在5ppm～0.5ppm之間的需求。VCXO只適合于穩定度要求在5ppm以下的產品。在不需要即開即用的環境下，如果需要信號穩定度超過0.1ppm的，可選用OCXO。寧波低頻晶體振蕩器銷售公司選擇晶體振蕩器的要求：在選用晶體振蕩器時，要考慮到電路需要的晶體振蕩器輸出類型。

石英晶體振蕩器的應用：石英鐘走時準、耗電省、經久耐用為其較大優點。不論是老式石英鐘或是新式多功能石英鐘都是以石英晶體振蕩器為中心電路，其頻率精度決定了電子鐘表的走時精度。石英晶體振蕩器原理的示意如圖3所示，其中V1和V2構成CMOS反相器石英晶體Q與振蕩電容C1及微調電容C2構成振蕩系統，這里石英晶體相當于電感。振蕩系統的元件參數確定了振頻率。一般Q、C1及C2均為外接元件。另外R1為反饋電阻，R2為振蕩的穩定電阻，它們都集成在電路內部。故無法通過改變C1或C2的數值來調整走時精度。但此時我們仍可用加接一只電容C有方法，來改變振蕩系統參數，以調整走時精度。根據電子鐘表走時的快慢，調整電容有兩種接法：若走時偏快，則可在石英晶體兩端并接電容C，。此時系統總電容加大，振蕩頻率變低，走時減慢。若走時偏慢，則可在晶體支路中串接電容C。此時系統的總電容減小，振蕩頻率變高，走時增快。只要經過耐心的反復試驗，就可以調整走時精度。因此，晶振可用于時鐘信號發生器。

石英晶體振蕩器技術指標：1、頻率壓控范圍：將頻率控制電壓從基準電壓調到規定的終點電壓，晶體振蕩器頻率的較小峰值改變量。說明：基準電壓為+2.5V，規定終點電壓為+0.5V和+4.5V，壓控晶體振蕩器在+0.5V頻率控制電壓時頻率改變量為-110ppm，在+4.5V頻率控制電壓時頻率改變量為+130ppm，則VCXO電壓控制頻率壓控范圍表示為：≥±100ppm（2.5V±2V）。2、壓控頻率響應范圍：當調制頻率變化時，峰值頻偏與調制頻率之間的關系。通常用規定的調制頻率比規定的調制基準頻率低若干dB表示。說明：VCXO頻率壓控范圍頻率響應為0～10kHz。晶體振蕩器的被普遍應用到軍、民用通信電臺，微波通信設備，程控電話交換機。

晶體振蕩器的應用：1．通用晶體振蕩器，用于各種電路中，產生振蕩頻率。2．時鐘脈沖用石英晶體諧振器，與其它元件配合產生標準脈沖信號，普遍用于數字電路中。3．微處理器用石英晶體諧振器。4．CTVVTR用石英晶體諧振器。5．鐘表用石英晶體振蕩器。晶體振蕩器的技術指標：1.總頻差：在規定的時間內，由于規定的工作和非工作參數全部組合而引起的晶體振蕩器頻率與給定標稱頻率的較大頻差。說明：總頻差包括頻率溫度穩定度、頻率溫度準確度、頻率老化率、頻率電源電壓穩定度和頻率負載穩定度共同造成的較大頻差。一般只在對短期頻率穩定度關心，而對其他頻率穩定度指標不嚴格要求的場合采用。例如：精密制導雷達。2.頻率溫度穩定度：在標稱電源和負載下，工作在規定溫度范圍內的不帶隱含基準溫度或帶隱含基準溫度的較大允許頻偏。選擇晶體振蕩器的要求：外觀檢測。南京低頻晶體振蕩器廠商

選擇晶體振蕩器的要求：根據客戶的產品需求來對應產品參數，而找出我們的型號。蘇州1612晶體振蕩器哪家好

石英晶體振蕩器技術指標：頻率老化率：在恒定的環境條件下測量振蕩器頻率時，振蕩器頻率和時間之間的關系。這種長期頻率漂移是由晶體元件和振蕩器電路元件的緩慢變化造成的，可用規定時限后的較大變化率（如±10ppb/天，加電72小時后），或規定的時限內較大的總頻率變化（如：±1ppm/（初年）和±5ppm/（十年））來表示。說明：TCXO的頻率老化率為：±0.2ppm～±2ppm（初年）和±1ppm～±5ppm（十年）（除特殊情況，TCXO很少采用每天頻率老化率的指標，因為即使在實驗室的條件下，溫度變化引起的頻率變化也將較大超過溫度補償晶體振蕩器每天的頻率老化，因此這個指標失去了實際的意義）。OCXO的頻率老化率為：±0.5ppb～±10ppb/天（加電72小時后），±30ppb～±2ppm（初年），±0.3ppm～±3ppm（十年）。蘇州1612晶體振蕩器哪家好

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