晶振的指標，靜電容：等效電路中與串聯臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。工作溫度范圍：能夠保證振蕩器輸出頻率及其化各種特性符合指標的溫度范圍。頻率溫度穩定度：在標稱電源和負載下，工作在規定溫度范圍內的不帶隱含基準溫度或帶隱含基準溫度的較大允許頻偏。ft：頻率溫度穩定度（不帶隱含基準度）；ftref：頻率溫度穩定度（帶隱含基準溫）；fmax ：規定溫度范圍內測得的較高頻率；fmin：規定溫度范圍內測得的較低頻率；fref：規定基準溫度測得的頻率。說明：采用ftref指標的晶體振蕩器其生產難度要高于采用ft指標的晶體振蕩器，故ftref指標的晶體振蕩器售價較高。普通晶體振蕩器（SPXO）是一種簡單的晶體振蕩器，通常稱為鐘振。無錫直插晶振貴不貴

晶體是一個14.318 MHz的石英諧振器，主要作用是作為振蕩電路的諧振元件把電壓轉換為相應的頻率信號輸送給主板上的各種信號處理芯片。如圖7所示為時鐘芯片的晶振電路示意圖，振蕩電路在芯片內部，諧振晶體接在芯片外部。這種電路稱為晶體振蕩器，簡稱晶振。晶振電路在電磁爐中的應用電磁爐電路中常用晶體振蕩器電路圖，在電磁爐電路中，晶體振蕩器常用作微處理器（或微控制器）的時鐘信號源，時鐘信號是整機工作不可缺少的信號，如果沒有時鐘信號，那么微處理器將無法啟動和工作。溫州定制晶振廠商標稱頻率相同的晶振，負載電容不一定相同。

選擇振蕩器時還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時，相當于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負載電容，整個電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負載電容，相應地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。

如果在石英晶片上加上交變電壓，晶體就會產生機械振動，機械形變振動又會產生交變電場，盡管這種交變電場的電壓極其微弱，但其振動頻率是十分穩定的。當外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率（與切割后的晶片尺寸有關，晶體愈薄，切割難度越大，諧振頻率越高）相等時，機械振動的幅度將急劇增加，這種現象稱為“壓電諧振”。通常廠家的晶振元件數據手冊給出的標稱頻率不是Fr或FL，實際的晶體元件應用于振蕩電路中時，它一般還會與負載電容相聯接，共同作用使晶體工作于Fr和FL之間的某個頻率，這個頻率由振蕩電路的相位和有效電抗確定，通過改變電路的電抗條件，就可以在有限的范圍內調節晶體頻率。石英晶體振蕩器有壓控制晶體振蕩器、恒溫控制式晶體振蕩器和數字化/μp補償式晶體振蕩器等幾種類型。

晶振的指標，負載電容：與晶體一起決定負載諧振頻率FL的有效外界電容，用CL表示。負載電容系列：8PF 12PF 15PF 20PF 30PF 50PF 100PF。激勵電平：晶體工作時所消耗功率的表征值。激勵電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW 等。老化率：在確定時間內輸出頻率的相對變化。基頻：在振動模式較低階次的振動頻率。泛音：晶體振動的機械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數倍但不是整數倍，這是它與電氣諧波的主要區別。泛音振動有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。晶振一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。合肥2520晶振價格

在實際應用中要根據具體要求選擇適當的晶振。無錫直插晶振貴不貴

溫度頻差（Frequency Stability vs Temp）表示在特定溫度范圍內，工作頻率相對于基準溫度時工作頻率的允許偏離，它的單位也是ppm。石英晶體有一種特性，如果在晶片某軸向上施加壓力時，相應施力的方向會產生一定的電位相反的，在晶體的某些軸向施加電場時，會使晶體產生機械變形；晶體的自然諧振頻率，它在高穩晶振的設計中，是作為使晶振穩定工作于標稱頻率、確定頻率調整范圍、設置頻率微調裝置等要求時的設計參數（但不是標稱頻率）。當晶體元件與外部電容相連接時（并聯或串聯），在負載諧振頻率時的電阻即為負載諧振電阻RL，它總是大于晶體元件本身的諧振電阻。無錫直插晶振貴不貴

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