一種是皮爾斯振蕩器配置晶振，適用于晶振和陶瓷諧振槽路。另一種為簡單的分立RC振蕩器。基于晶振與陶瓷諧振槽路的振蕩器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數。RC振蕩器能夠快速啟動，成本也比較低，但通常在整個溫度和工作電源電壓范圍內精度較差，會在標稱輸出頻率的5%至50%范圍內變化。但其性能受環境條件和電路元件選擇的影響。需認真對待振蕩器電路的元件選擇和線路板布局。在使用時，陶瓷諧振槽路和相應的負載電容必須根據特定的邏輯系列進行優化。具有高Q值的晶振對放大器的選擇并不敏感，但在過驅動時很容易產生頻率漂移（甚至可能損壞）。負載電容是指晶振的兩條引線連接的集成電路（IC）內部及外部所有有效電容之和。寧波貼片晶振報價

選擇振蕩器時還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時，相當于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負載電容，整個電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負載電容，相應地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。溫州高穩定性晶振銷售公司恒溫控制式晶體振蕩器是利用恒溫槽使晶體振蕩器或石英晶體振子的溫度保持恒定。

晶振的振動模式與頻率關系：基頻1～35MHz；3次泛音10～75MHz；5次泛音 50～150MHz；7次泛音 100～200MHz；9次泛音 150～250MHz。晶體電阻：對于同一頻率，當工作在高次泛音振動時其電阻值將比工作在低次振動時大。"信號源+電平表"功能由網絡分析儀完成；Ri、R0：儀器內阻：一般為50Ω。R1--濾波器輸入端外接阻抗，阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。R2--濾波器輸出端外接阻抗，阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。在濾波器條件的匹配阻抗中有時有并接電容要求，應按上圖連接。

石英諧振器的模態譜，包括基模，三階泛音，5 階泛音和一些亂真信號響應，即寄生模。在振蕩器應用上，振蕩器總是選擇較強的模式工作。一些干擾模式有急劇升降的頻率—溫度特性。有時候，當溫度發生改變，在一定溫度下，寄生模的頻率與振蕩頻率一致，這導致了“活動性下降”。在活動性下降時，寄生模的激勵引起諧振器的額外能量的消耗，導致Q 值的減小，等效串聯電阻增大及振蕩器頻率的改變。當阻抗增加到相當大的時候，振蕩器就會停止，即振蕩器失效。當溫度改變遠離活動性下降的溫度時，振蕩器又會重新工作。寄生模能有適當的設計和封裝方法控制。不斷修正電極與晶片的尺寸關系（即應用能陷原則），并保持晶片主平面平行，這樣就能把寄生模較小化。溫度控制式補償晶體振蕩器的間接補償型又分模擬式和數字式兩種類型。

如果在石英晶片上加上交變電壓，晶體就會產生機械振動，機械形變振動又會產生交變電場，盡管這種交變電場的電壓極其微弱，但其振動頻率是十分穩定的。當外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率（與切割后的晶片尺寸有關，晶體愈薄，切割難度越大，諧振頻率越高）相等時，機械振動的幅度將急劇增加，這種現象稱為“壓電諧振”。通常廠家的晶振元件數據手冊給出的標稱頻率不是Fr或FL，實際的晶體元件應用于振蕩電路中時，它一般還會與負載電容相聯接，共同作用使晶體工作于Fr和FL之間的某個頻率，這個頻率由振蕩電路的相位和有效電抗確定，通過改變電路的電抗條件，就可以在有限的范圍內調節晶體頻率。標稱頻率相同的晶振，負載電容不一定相同。合肥2016晶振批發

晶振具有壓電效應，即在晶片兩極外加電壓后晶體會產生變形。寧波貼片晶振報價

串聯型晶體振蕩器的電路的振蕩過程：接通電源后，三極管VT1、VT2導通，VT2發射極輸出變化的Ie電流中包含各種頻率的信號，石英晶體X1對其中的f0信號阻抗很小，f0信號經X1、RP1反饋到VT1的發射極，該信號經VT1放大后從集電極輸出，又加到VT2放大后從發射極輸出，然后又通過X1反饋到VT1放大，如此反復進行，VT2輸出的f0信號幅度越來越大，VT1、VT2組成的放大電路放大倍數越來越小，當放大倍數等于反饋衰減系數時，輸出f0信號幅度不再變化，電路輸出穩定的f0信號。寧波貼片晶振報價

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