晶振的作用:它在電路中的作用，就好像是一個比較理想的電感和電容并聯的結合體，而且Q值相當高。也就是說它有很強的選頻作用。晶體振蕩器一般有二個十分接近的皆振點。一個叫串聯皆振點：另一個叫并聯皆振點。再進一步來說，晶體振蕩器在它標稱的頻率點附近時，也就是說在它的串聯和并聯二個皆振點之間工作時，它的穩頻作用十分強大。它在串聯皆振時相當于一個較小的純電阻。在并聯皆振時又相當于一個比較大的純電阻。人們就是利用它的這些特性組成各類很準的時鐘振蕩器。晶振在應用具體起到的作用，微控制器的時鐘源可以分為兩類：基于機械諧振器件的時鐘源，如晶振、陶瓷諧振槽路；RC（電阻、電容）振蕩器。溫度式補償晶體振蕩器是通過附加的溫度補償電路使由周圍溫度變化產生的振蕩頻率變化量削減。插件晶振供應

影響振蕩器工作的環境因素有：電磁干擾（EMI）、機械震動與沖擊、濕度和溫度。這些因素會增大輸出頻率的變化，增加不穩定性，并且在有些情況下，還會造成振蕩器停振。上述大部分問題都可以通過使用振蕩器模塊避免。這些模塊自帶振蕩器、提供低阻方波輸出，并且能夠在一定條件下保證運行。較常用的兩種類型是晶振模塊和集成RC振蕩器（硅振蕩器）。晶振模塊提供與分立晶振相同的精度。硅振蕩器的精度要比分立RC振蕩器高，多數情況下能夠提供與陶瓷諧振槽路相當的精度。蘇州3225晶振品牌標稱頻率相同的晶體互換時還必須要求負載電容一致，不能輕易互換，否則會造成電路工作不正常。

晶振的基本概念：壓電效應：對某些電介質施加機械力而引起它們內部正負電荷中心相對位移，產生極化，從而導致介質兩端表面內出現符號相反的束縛電荷.在一定應力范圍內，機械力與電荷呈線性可逆關系。這種現象稱為壓電效應。作用：提供系統振蕩脈沖，穩定頻率，選擇頻率。晶振的參數：標稱頻率：在規定條件下，晶振的諧振中心頻率；調整頻差：在規定條件下，基準溫度時的工作頻率相對標稱頻率的較大偏離值；溫度頻差：在規定條件下，在整個工作溫度范圍內，相對于基準溫度時工作頻率的允許偏離值。

并聯型晶體振蕩器：電路振蕩過程：接通電源后，三極管VT導通，有變化Ic電流流過VT，它包含著微弱的0～∞各種頻率的信號。這些信號加到C1、C2、X1構成的選頻電路，選頻電路從中選出f0信號，在X1、C1、C2兩端有f0信號電壓，取C2兩端的f0信號電壓反饋到VT的基-射極之間進行放大，放大后輸出信號又加到選頻電路，C1、C2兩端的信號電壓增大，C2兩端的電壓又送到VT基-射極，如此反復進行，VT輸出的信號越來越大，而VT放大電路的放大倍數逐漸減小，當放大電路的放大倍數與反饋電路的衰減系數相等時，輸出信號幅度保持穩定，不會再增大，該信號再送到其他的電路。壓控制晶體振蕩器是通過施加外部控制電壓使振蕩頻率可變或是可以調制的石英晶體振蕩器。

晶振的負載電容的選擇：晶體工作在基頻時，其負載電容的標準值為20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶體經常工作在串聯諧振，在使用負載電容的地方，其負載電容值應從下列標準值中選擇：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。激勵電平的影響：一般來講，AT切晶體激勵電平的增大，其頻率變化是正的。激勵電平過高會引起非線性效應，導致可能出現寄生振蕩；嚴重熱頻漂；過應力頻漂及電阻突變。當激勵電平過低時則會造成起振阻力不易克服、工作不良及指標的不穩定。濾波電路中的應用：應用于濾波電路中時，除通常的規定外，更應注意其等效電路元件的數值和誤差以及寄生響應的位置和幅度，由于濾波晶體設計的特殊性，所以用戶選購時應特別說明。當要求晶體振蕩器精度小于±1×10-6時，直接補償方式并不適合。1210晶振廠家電話

石英晶體振蕩器分為非溫度補償式晶體振蕩器、溫度補償式晶體振蕩器等。插件晶振供應

晶振是電子電路中較常用的電子元件之一，一般用字母“X”、“G”或“Z”表示，單位為Hz。晶振主要是由晶體和外面元器件構成的。為晶振的實物外形和內部結構及電路圖形符號和等效電路。并聯型晶體振蕩器：三極管VT與R1、R2、R3、R4構成放大電路；C3為交流旁路電容，對交流信號相當于短路；X1為石英晶體，在電路中相當于電感。從交流等效圖可以看出，該電路是一個電容三點式振蕩器，C1、C2、X1構成選頻電路，其選頻頻率主要由X1決定，頻率接近fp。插件晶振供應

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