污染物和殘留氣體的分子會沉積在晶體片上或使晶體電極氧化，振蕩頻率越高，所用的晶體片就越薄，這種影響就越厲害。這種影響要經過一段較長的時間才能逐漸穩定，而且這種穩定隨著溫度或工作狀態的變化會有反復——使污染物在晶體表面再度集中或分散。因此，頻率低的晶振比頻率高的晶振、工作時間長的晶振比工作時間短的晶振、連續工作的晶振比斷續工作的晶振的老化率要好。晶振的輸出頻率受到內部電路的影響(晶體的Q值、元器件的噪音、電路的穩定性、工作狀態等)而產生頻譜很寬的不穩定。測量一連串的頻率值后，用阿倫方程計算。相位噪音也同樣可以反映短穩的情況。振常與主板、南橋、聲卡等電路連接使用。金華2016晶體振蕩器制造商

晶體振蕩器的負載電容的選擇：晶體工作在基頻時，其負載電容的標準值為20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶體經常工作在串聯諧振，在使用負載電容的地方，其負載電容值應從下列標準值中選擇：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。激勵電平的影響：一般來講，AT切晶體激勵電平的增大，其頻率變化是正的。激勵電平過高會引起非線性效應，導致可能出現寄生振蕩；嚴重熱頻漂；過應力頻漂及電阻突變。當激勵電平過低時則會造成起振阻力不易克服、工作不良及指標的不穩定。濾波電路中的應用：應用于濾波電路中時，除通常的規定外，更應注意其等效電路元件的數值和誤差以及寄生響應的位置和幅度。合肥溫補晶體振蕩器公司晶體振蕩器的主要參數有標稱頻率、負載電容、頻率精度、頻率穩定度等。

晶體振蕩器的指標，標稱頻率：振蕩器輸出的中心頻率或頻率的標稱值。頻率準確度：振蕩器輸出頻率在室溫下相對于標稱頻率的偏差。調整頻差：在指定溫度范圍內振蕩器輸出頻率相對于25℃時測量值的較大允許頻率偏差。負載諧振頻率（fL）：在規定條件下，晶體與一負載電容相串聯或相并聯，其組合阻抗呈現為電阻性時（產生諧振）的兩個頻率中的一個頻率。在串聯負載電容時，負載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯負載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。

晶振：調頻（壓控）特性：包括調頻頻偏、調頻靈敏度、調頻線性度。調頻頻偏：壓控晶體振蕩器控制電壓由標稱的很大值變化到很小值時輸出頻率差。調頻靈敏度：壓控晶體振蕩器變化單位外加控制電壓所引起的輸出頻率的變化量。調頻線性度：是一種與理想直線（很小二乘法）相比較的調制系統傳輸特性的量度。負載特性：其他條件保持不變，負載在規定變化范圍內晶體振蕩器輸出頻率相對于標稱負載下的輸出頻率的很大允許頻偏。電壓特性：電源電壓在規定變化范圍內晶體振蕩器輸出頻率相對于標稱電源電壓下的輸出頻率的很大允許頻偏。負載電容不同，振蕩器的振蕩頻率不同。

晶振在電氣上可以等效成一個電容和一個電阻并聯再串聯一個電容的二端網絡，電工學上這個網絡有兩個諧振點，以頻率的高低分其中較低的頻率為串聯諧振，較高的頻率為并聯諧振。由于晶體自身的特性致使這兩個頻率的距離相當的接近，在這個極窄的頻率范圍內，晶振等效為一個電感，所以只要晶振的兩端并聯上合適的電容它就會組成并聯諧振電路。這個并聯諧振電路加到一個負反饋電路中就可以構成正弦波振蕩電路，由于晶振等效為電感的頻率范圍很窄，所以即使其他元件的參數變化很大，這個振蕩器的頻率也不會有很大的變化。晶體振蕩器的作用在電路中的作用，就好像是一個比較理想的電感和電容并聯的結合體，而且Q值相當高。無錫高頻晶體振蕩器生產廠家

數字式間接溫度補償是在模擬式間接溫度補償電路中的溫度。金華2016晶體振蕩器制造商

3點要素檢測晶振是否有問題1、檢查晶振本身在運輸、焊接過程中，都可能會導致晶振內部的水晶片的損壞。如果我們在焊接晶振時，焊錫溫度過高，或者是菜鳥級別的焊接時間長，都會影響到晶振本身。如果晶振損毀，直接更換一個晶振，是查找晶振不起振的問題中較簡單的。2、如果我們選擇不合適的容值，就會導致晶振不起振。3、PCB布線問題，檢查PCB布線是否存在錯誤，如真是這個問題，那影響就非常大了，這一版就會浪費掉，還要投入更多成本，項目周期也會增加。金華2016晶體振蕩器制造商