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壓電石英晶體諧振器供應

來源: 發布時間:2022-03-18

晶體諧振器發展趨勢:小型化、薄片化和片式化:為滿足移動電話為表示的便攜式產品輕、薄、短小的要求,石英晶體諧振器的封裝由傳統的裸金屬外殼覆塑料金屬向陶瓷封裝轉變。例如TCXO這類器件的體積縮小了30~100倍。采用SMD封裝的TCXO厚度不足2mm,目前5×3mm尺寸的器件已經上市。高精度與高穩定度,無補償式晶體諧振器總精度也能達到±25ppm,VCXO的頻率穩定度在10~7℃范圍內一般可達±20~100ppm,而OCXO在同一溫度范圍內頻率穩定度一般為±0.0001~5ppm,VCXO控制在±25ppm以下。隨著各國信息產業和電子產業的不斷擴大,石英晶體諧振器的應用范圍仍在不斷擴大。壓電石英晶體諧振器供應

石英晶體諧振器的應用:1、石英鐘走時準、耗電省、經久耐用為其大優點。不論是老式石英鐘或是新式多功能石英鐘都是以石英晶體諧振器為主要電路,其頻率精度決定了電子鐘表的走時精度。石英晶體諧振器原理的示意,其中V1和V2構成CMOS反相器石英晶體Q與振蕩電容C1及微調電容C2構成振蕩系統,這里石英晶體相當于電感。振蕩系統的元件參數確定了振頻率。一般Q、C1及C2均為外接元件。另外R1為反饋電阻,R2為振蕩的穩定電阻,它們都集成在電路內部。故無法通過改變C1或C2的數值來調整走時精度。但此時仍可用加接一只電容C有方法,來改變振蕩系統參數,以調整走時精度。根據電子鐘表走時的快慢,調整電容有兩種接法:若走時偏快,則可在石英晶體兩端并接電容。此時系統總電容加大,振蕩頻率變低,走時減慢。若走時偏慢,則可在晶體支路中串接電容C。此時系統的總電容減小,振蕩頻率變高,走時增快。只要經過耐心的反復試驗,就可以調整走時精度。因此,晶振可用于時鐘信號發生器。無錫壓控晶體諧振器供應石英晶體諧振器電路由于其良好的頻率穩定性,被廣泛應用于電子系統中提供參考時鐘。

當石英晶體諧振器的晶體不振動時,可視為平板電容,稱為靜電電容c,其大小與晶片的幾何尺寸和電極面積有關,一般在幾PF到幾十PF左右。晶體振蕩時,機械振動的慣性可以等效為電感l,l的一般值為幾十mH到幾百mH。晶圓的彈性可以等效為電容c,c的值很小,一般只有0.0002~0.1pF,晶圓振動時摩擦產生的損耗相當于R,其值約為100 。因為芯片的等效電感很大,而C很小,R也很小,所以環路的品質因數Q很大,可以達到1000~10000。另外,晶圓本身的諧振頻率基本上只與晶圓的切割方式、幾何形狀和尺寸有關,可以制作,因此一般來說,由石英晶體諧振器組成的振蕩電路可以獲得較高的頻率穩定性。

石英晶體諧振器的主要參數和特性:標稱頻率。振蕩器輸出的中心頻率或頻率的標稱值。負載電容。負載電容是指由晶體諧振器的兩條引線連接的集成電路塊內外的所有有效電容之和,可視為電路中串聯的晶體諧振器的電容。頻率精度和頻率穩定性。石英晶體諧振器的物理化學性質非常穩定,外界因素對其性質影響不大。石英晶體諧振器的Q值極高,穩頻功能極強。石英晶體諧振器極陡的電抗特性使晶體對自動頻率調節極為敏感,穩頻效果強。其工作頻率限于fq。為了保證石英晶體諧振器晶片的表面質量和晶體在使用中的穩定性和可靠性,對應時晶片進行拋光和清洗。

石英晶體諧振器是一種各向異性晶體。它由以特定方位角切割的薄片制成,然后在晶片的相應表面上涂覆銀。一對金屬塊作為極板安裝,形成石英晶體諧振器。應時晶體能用作振蕩電路的原因在于它的壓電效應。當在晶片外部的兩個板之間施加電場時,晶體將發生機械變形。相反,當在板之間施加機械力時,晶體中會產生電場。這種現象稱為壓電效應。如果電場施加到石英晶體諧振器的兩個電極上,晶片將發生機械變形。相反,如果在晶片的兩側施加機械壓力,將在晶片的相應方向上產生電場。這種物理現象稱為壓電效應。如果在晶圓的兩極施加交流電壓,晶圓會產生機械振動,晶圓的機械振動會產生交變電場。一般來說,晶圓的機械振動和交變電場的幅度很小,但當施加交變電壓的頻率為一定值時,幅度明顯增加,遠大于其他頻率。這種現象稱為壓電諧振,與LC電路的諧振現象非常相似。共振頻率與切割模式、晶片的幾何形狀和尺寸有關。石英晶體諧振器是一種精度高、穩定性好的振蕩器。溫州手機晶體諧振器供應

石英諧振器的連接系數很小,使得振蕩器電路和管之間的耦合非常弱。壓電石英晶體諧振器供應

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