碳化硅外延環節呈現美、日兩強局面，美國Wolfspeed和日本昭和電工雙寡頭壟斷，此外還有美國II-VI及Dow Corning、日本ROHM及三菱電機、意法半導體（ST）、德國英飛凌（Infineon）等企業。國內東莞天域、瀚天天成為主要廠商，晶盛機電、北方華創、芯三代、中電48所、普興電子、三安光電、啟迪半導體、深圳納設智能等亦有布局，努力推進國產替代。預計2025年全球和國內6寸碳化硅外延設備新增市場空間分別約為130億元和53億元美元。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應用技術展覽會（AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯動，串聯相關產業鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿交流平臺。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。 誠邀您蒞臨參觀！提高材料性能，創新技術工藝，“中國?國際先進陶瓷展覽會：展會將于2025年3月10-12日上海世博展覽館開幕。2025年3月10日至12日華東區國際先進陶瓷及粉末冶金展

刻蝕技術是SiC器件研制的關鍵，刻蝕精度、損傷和表面殘留物對器件性能至關重要。目前，SiC刻蝕多采用干法刻蝕，其中電感耦合等離子體（ICP）刻蝕因其低壓高密度的特點，具有刻蝕速率高、器件損傷小、操作簡單等優點，而廣泛應用。此外，刻蝕中的掩膜材料、蝕刻選擇、混合氣體、側壁控zhi、蝕刻速率和側壁粗糙度等需針對SiC材料特性開發。刻蝕環節主要挑戰包括實現更小尺寸器件結構、提高深寬比和形貌圓滑度，以及從淺溝槽向深溝槽的轉變等。主流的SiCICP刻蝕設備廠商包括德國Plasma-Therm及Sentech、瑞士TEL、美國AMAT、英國牛津儀器、日本Samco及愛發科，及我國北方華創、中國電科48所、中微半導體、中科院微電子所、珠海恒格微電子、稷以科技等。北方華創在SiC器件領域具備完整的刻蝕解決方案，其SiC器件刻蝕機出貨量的市占率較高。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產品、服務和整體解決方案。誠邀您蒞臨參觀！中國上海市先進陶瓷展中國?國際先進陶瓷展覽會，2025年3月10-12日與業內精英齊聚上海，為行業加油鼓勁，為展會助力喝彩！

“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。碳化硅作為第三代半導體的代表性材料之一，展現了突出的性能優勢，具有極高的產業價值，被當下業內稱為“黃金投資賽道”。我國“十四五”規劃已將碳化硅半導體納入重點支持領域，是國家戰略性需求的重要行業。我們通過對碳化硅產業鏈的基本情況及碳化硅襯底、外延、功率器件環節的價值分析，揭示碳化硅產業鏈的發展趨勢以及面臨的機遇與挑戰。五展聯動孕育無限發展商機IACECHINA2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PMCHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMICCHINA)、2025上海國際增材制造應用技術展覽會（AMCHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEXCHINA）同期同地舉辦。五展聯動，串聯相關產業鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿交流平臺。本屆展會（2025年）展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。誠邀您蒞臨參觀！

相比硅器件，SiC MOSFET在耐壓、導通電阻、開關頻率等方面具有較好的優勢。耐壓方面，SiC MOSFET在6500V時仍能保持高性能，而硅基MOSFET上限通常在650V左右。在開關頻率超過1kHz時，硅基IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）損耗較高，而SiC MOSFET開關損耗相比可降低多達80%，整體功率損耗降低66%。導通電阻方面，SiC MOSFET芯片面積則更小，如在900V導通電阻下，硅基MOSFET芯片尺寸比SiC MOSFET大35倍。SiC MOSFET還具有高性能體二極管，可減少器件數量和占位面積。SiC MOSFET的工作結溫和熱穩定性更高，可達200℃或更高，適用于汽車市場，其高耐溫性可降低系統散熱要求和導通電阻偏移。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產品、服務和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！“中國?國際先進陶瓷展覽會”創新應用和解決方案：2025年3月10-12日上海世博展覽館。誠邀您蒞臨參觀！

在半導體制造領域，增大晶片尺寸是提高半導體產品競爭力的關鍵途徑。對于同一規格的芯片，隨著晶圓尺寸增加，邊緣管芯（Die）數量占比縮小，晶圓利用率大幅增加。按晶圓面積測算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積是6英寸晶圓面積的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積則是4英寸晶圓面積的近4.3倍。根據Wolfspeed測算，一片8英寸碳化硅晶片可以產出845顆32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片產出的近2倍；邊緣管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圓利用率，將進一步降低碳化硅芯片單位成本。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等一應俱全的產品、服務和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！“2025中國?國際先進陶瓷展”為行業精英提供學術研究與應用實踐的融合平臺，2025年3月10日上海見！3月10-12日中國上海市先進陶瓷粉末冶金展覽會

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在需要高功率的場景中，常將多顆SiC功率半導體封裝到模塊中，實現芯片互連和與其他電路的連接。SiC功率模塊封裝包括芯片、絕緣基板、散熱基板等組件。按封裝芯片類型，可分為混合模塊和全SiC模塊，前者是替換硅基IGBT中的二極管，后者全用SiC芯片，兩者在效率、尺寸和成本上有差異；按拓撲方式，可分為三相模塊、半橋模塊等封裝形式；按散熱方式，可分為單面冷卻和雙面冷卻；按封裝外殼類型，可分為轉模塑封結構和HPD（gao壓聚乙烯塑料）框架結構。隨著需求多樣化，定制化模塊逐漸流行。目前，SiC功率模塊多沿用傳統硅基IGBT封裝結構，難以發揮SiC材料特性，面臨可靠性和成本等挑戰。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產品、服務和整體解決方案。誠邀您蒞臨參觀！2025年3月10日至12日華東區國際先進陶瓷及粉末冶金展