因此負載獲得較少的電功率。這個典型的電功率無級調整電路在日常生活中有很多電氣產品中都應用它。可控硅主要參數有：1、額定通態平均電流在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。3、反向陰斷峰值電壓當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。4、控制極觸發電流在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加一定電壓，使可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的小控制極電流和電壓。5、維持電流在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。采用可控硅技術對照明系統進行控制具有：電壓調節速度快，精度高，可分時段實時調整，有穩壓作用，采用電子元件，相對來說體積小、重量輕、成本低。但該調壓方式存在一致命缺陷，由于斬波，使電壓無法實現正弦波輸出，還會出現大量諧波，形成對電網系統諧波污染，危害極大，不能用在有電容補償電路中。。其通斷狀態由控制極G決定。天津可控硅模塊咨詢報價

可控硅，又叫晶閘管，可控硅相當于可以控制的二極管，當控制極加一定的電壓時，陰極和陽極就導通了。可控硅和其它半導體器件一樣，其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業、農業、交通運輸、科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。下面賢集網小編要具體為大家介紹一下可控硅的型號、特性、分類、使用規則、用途、主要參數、可控硅的不同幾個極的判別方法、雙向可控硅和單向可控硅的區別。可控硅的型號1、優派克EUPECT系列可控硅、D系列二極管、DxS系列快速二極管；2、東芝TOSHIBASF系列可控硅、SG系列GTO；3、西門康SEMIKRONSKT系列可控硅，SKN、SKR系列二極管，SKNxF、SKRxF系列快速二極管；4、西碼WESTCODEN系列相控可控硅、R系列快速可控硅、SM系列快速二極管、SW系列普通二極管；5、美國IRST系列可控硅、SD系列二極管；6、意大利POSEICOAT系列相控可控硅；7、瑞士ABB5STP可控硅、5SDD二極管、5SGA系列GTO、5SDF快速二極管。可控硅的特性1、額定通態平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發信號。江蘇進口可控硅模塊品牌硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數a1和a2隨其發射極電流的改變而急劇變化。

TC=℃）------通態平均電流VTM=V-----------通態峰值電壓VDRM=V-------------斷態正向重復峰值電壓IDRM=mA-------------斷態重復峰值電流VRRM=V-------------反向重復峰值電壓IRRM=mA------------反向重復峰值電流IGT=mA------------門極觸發電流VGT=V------------門極觸發電壓執行標準：QB-02-091．晶閘管關斷過電壓（換流過電壓、空穴積蓄效應過電壓）及保護晶閘管從導通到阻斷，線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產生過電壓。由于晶閘管在導通期間，載流子充滿元件內部，在關斷過程中，管子在反向作用下，正向電流下降到零時，元件內部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時出現較大的反向電流，使殘存的載流子迅速消失，這時反向電流減小即diG/dt極大，產生的感應電勢很大，這個電勢與電源串聯，反向加在已恢復阻斷的元件上，可導致晶閘管反向擊穿。這就是關斷過電壓（換相過電壓）。數值可達工作電壓的5~6倍。保護措施：在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。2．交流側過電壓及其保護由于交流側電路在接通或斷開時出現暫態過程，會產生操作過電壓。高壓合閘的瞬間，由于初次級之間存在分布電容，初級高壓經電容耦合到次級，出現瞬時過電壓。

晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大，且隨著管子正向陽極電壓升高而增大。當陽極電壓升到足夠大時，會使晶閘管導通，稱為正向轉折或“硬開通”。多次硬開通會損壞管子。2．晶閘管加上正向陽極電壓后，還必須加上觸發電壓，并產生足夠的觸發電流，才能使晶閘管從阻斷轉為導通。觸發電流不夠時，管子不會導通，但此時正向漏電流隨著增大而明顯增大。晶閘管只能穩定工作在關斷和導通兩個狀態，沒有中間狀態，具有雙穩開關特性。是一種理想的無觸點功率開關元件。3．晶閘管一旦觸發導通，門極完全失去控制作用。要關斷晶閘管，必須使陽極電流《維持電流，對于電阻負載，只要使管子陽極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關斷，通常在管子陽極電壓互降為零后，加上一定時間的反向電壓。晶閘管主要特性參數1．正反向重復峰值電壓——額定電壓（VDRM、VRRM取其小者）2．額定通態平均電流IT（AV）——額定電流（正弦半波平均值）3．門極觸發電流IGT，門極觸發電壓UGT，（受溫度變化）4．通態平均電壓UT（AV）即管壓降5．維持電流IH與掣住電流IL6．開通與關斷時間晶閘管合格證基本參數IT（AV）=A。普通可控硅的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。

表針應向右偏并保持在十幾歐姆位置，如下圖所示，否則說明單向可控硅已損壞。三、檢測雙向可控硅雙向可控硅是一種交流型功率控制器件。雙向可控硅的3個引腳分別是控制極G，主電極T1和主電極T2，如下圖所示。由于雙向可控硅的兩個主電極是對稱的，因此使用中可以任意互換。檢測時，萬用表置于Rx1Ω檔，先用兩表筆測量雙向可控硅的控制極G與主電極T1之間的正、反向電阻，均應為較小阻值。如下圖所示。再用萬用表兩表筆測量雙向可控硅的控制極G與主電極T2之間的正、反向電阻，均應為無窮大，如下圖所示。四、檢測雙向可控硅的導通特性萬用表置于Rx1Ω檔，黑表筆接雙向可控硅主電極T1，紅表筆接主電極T2，表針指示應為無窮大，這是將控制極G與主電極T2短接一下，表針應向右偏轉并保持在十幾歐姆位置，如下圖所示。否則說明該雙向可控硅已壞。可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。天津可控硅模塊咨詢報價

可控硅有三個電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。天津可控硅模塊咨詢報價

圖1所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構，N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源極。N+區稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P型區（包括P+和P一區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannelregion）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Draininjector），它是IGBT特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成PNP雙極晶體管，起發射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態電壓。附于漏注入區上的電極稱為漏極。IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關斷。IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對N一層進行電導調制，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態電壓。IGBT和可控硅區別IGBT與晶閘管1.整流元件（晶閘管）簡單地說：整流器是把單相或三相正弦交流電流通過整流元件變成平穩的可調的單方向的直流電流。其實現條件主要是依靠整流管。天津可控硅模塊咨詢報價