氮化鋁陶瓷具有優良的熱、電、力學性能，所以它的應用范圍比較廣。可以制成氮化鋁陶瓷基片，熱導率高，膨脹系數低，強度高，耐高溫，耐化學腐蝕，電阻率高，介電耗損小，是理想的大規模集成電路散熱基板和封裝材料。氮化鋁陶瓷硬度高，超過氧化鋁陶瓷，也可用于磨損嚴重的部位。利用氮化鋁陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性，可制作GaAs晶體坩堝、Al蒸發皿、磁流體發電裝置及高溫透平機耐蝕部件，利用其光學性能可作紅外線窗口。氮化鋁薄膜可制成高頻壓電元件、超大規模集成電路基片等。氮化鋁耐熱、耐熔融金屬的侵蝕，對酸穩定，但在堿性溶液中易被侵蝕。氮化鋁新生表面暴露在濕空氣中會反應生成極薄的氧化膜。利用此特性，可用作鋁、銅、銀、鉛等金屬熔煉的坩堝和燒鑄模具材料。氮化鋁陶瓷的金屬化性能較好，可替代有毒性的氧化鈹瓷在電子工業中廣泛應用。找可加工高難度氮化鋁陶瓷零件廠家--鑫鼎陶瓷。成都高韌氮化鋁陶瓷塊

     用氮化鋁陶瓷作成的基板材料可以滿足現代電子功率器件發展的需要。 高電阻率、同熱導率和低介電常數是集成電路對封裝用基片的基本要求.封裝用基片還應與硅片具有良好的熱匹配. 易成型 高表面平整度、易金屬化、易加工、低成本等特點和一定的力學性能.大多數陶瓷是離子鍵或共價鍵極強的材料,具有優異的綜合性能.是電子封裝中常用的基片材料,具有較高的絕緣性能和優異的高頻特性,同時線膨脹系數與電子元器件非常相近,,化學性能非常穩定且熱導率高.長期以來,絕大多數大功率混合集成電路的基板材料-直沿用A1203和BeO陶瓷,但A1203基板的熱導率低，熱膜脹系數和硅不太匹配∶BeO雖然具有優良的綜合性能.但其較高的生產成本和劇毒的缺點限制了它的應用推廣.因此,從性能、成本和環保等因素考慮二者已不能完全滿足現代電子功率器件發展的需要.成都高韌氮化鋁陶瓷塊電子陶瓷--氮化鋁陶瓷零件源頭廠家--鑫鼎陶瓷。

     為了降低氮化鋁陶瓷的燒結溫度，促進陶瓷材料的致密化，可以利用熱壓燒結制備氮化鋁陶瓷。我們口中所說的熱壓燒結,其實就是在一定壓力下燒結陶瓷，可以使加熱燒結和加壓成型同時進行。在高溫下坯體持續受到壓力作用，粉末原料處于熱塑性狀態，有利物質的流動和擴散，并且外加壓力抵消了形變阻力促進了粉末顆粒之間的接觸。熱壓燒結陶瓷晶體內容易產生晶格畸變，由于熱壓燒結較常壓燒結燒結溫度低,但是它的保溫時間是比較短的，所以晶顆較細小。由于熱壓燒結所制備的氮化鋁陶瓷致密化程度高，氣孔率小，很多學者都對氮化鋁的熱壓燒結進行了研究。

     氮化鋁陶瓷作為耐熱材料可用其作坩堝、保護管、澆注模具等。氮化鋁可在2000℃非氧化氣氛下，仍具有穩定的性能，是一種優良的高溫耐火材料，抗熔融金屬侵蝕的能力強。

     熱交換器件氮化鋁陶瓷熱導率高、熱膨脹系數低，導熱效率和抗熱沖擊性能優良，可用作理想的耐熱沖和熱交換材料，例如氮化鋁陶瓷可以作為船用燃氣輪機的熱交換器材料和內燃機的耐熱部件。由于氮化鋁材料的優良導熱性能，有效提高了熱交換器的傳熱能力。

    氮化鋁陶瓷具有優良的電絕緣性，高導熱，介電性能良好，與高分子材料相容性好， 是電子產品高分子材料的添加劑，可用于 TIM 填料、FCCL 導熱介電層填料，應用于電子器件的熱傳遞介質，進而提高工作效率，如 CPU 與散熱器填隙、大功率 三極管和可控硅元件與基材接觸的細縫處的熱傳遞介質。 鑫鼎精密陶瓷專業加工隔熱氮化鋁片。

      氮化鋁陶瓷摩擦系數較小，在高溫高速的條件下，摩擦系數提高幅度也較小，因此能保證機構的正常運行，這是它一個突出的優點，氮化鋁陶瓷開始對磨時滑動摩擦系數達到1.0至1.5，經精密磨合后，摩擦系數就會大幅下降，保持在0.5以下，所以氮化鋁陶瓷被認為是具有自潤滑性的材料。這種自潤滑性產生的主要原因，不同于石墨，氮化硼，滑石等在于材料組織的鱗片層狀結構。它是在壓力作用下，摩擦表面微量分解形成薄薄得氣膜，從而使摩擦面之間的滑動阻力減少，摩擦面得光潔度增加。這樣越摩擦，阻力越小，磨損量也特別小，而大多數材料在不斷摩擦后，因表面磨損或溫度升高軟化，摩擦系數往往逐漸增大。支持各種異型結構件的氮化鋁廠家--鑫鼎陶瓷。成都高韌氮化鋁陶瓷塊

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      高導熱性和出色的電絕緣性使氮化鋁適用于各種極端環境。氮化鋁是一種高性能材料，特別適用于要求嚴苛的電氣應用。氮化鋁可以通過干壓和燒結或使用適當的燒結助劑通過熱壓生產，這些過程的結果是一種在包括氫氣和二氧化碳氣氛在內的一系列惰性環境中在高溫下穩定的材料。氮化鋁主要用于電子領域，特別是當散熱是一項重要功能時。氮化鋁的特性也使其特別適用于制造耐腐蝕產品。以下是氮化鋁的特性：1非常好的導熱性.2熱膨脹系數與硅相似.3良好的介電性能.4良好的耐腐蝕性.5在半導體加工環境中的穩定性.成都高韌氮化鋁陶瓷塊