氮化鋁陶瓷是一種高技術新型陶瓷。氮化鋁陶瓷基片具有極高的熱導率,無毒、耐腐蝕、耐高溫,熱化學穩定性好等特點,是大規模集成電路,半導體模塊電路和大功率器件的理想封裝材料、散熱材料、電路元件及互連線承載體。也是提高高分子材料熱導率和力學性能的比較好添加料,氮化鋁陶瓷還可用作熔煉有色金屬和半導體材料砷化鎵的坩堝、熱電偶的保護管、高溫絕緣件、微波介電材料、耐高溫、耐腐蝕結構陶瓷及透明氮化鋁微波陶瓷制品,用作高導熱陶瓷生產原料及樹脂填料等。氮化鋁是電絕緣體,介電性能良好。砷化鎵表面的氮化鋁涂層,能保護它在退火時免受離子的注入。找氮化鋁陶瓷柱的加工工藝?上鑫鼎精密陶瓷廠家。四川硬度高隔熱氮化鋁陶瓷球
氮化鋁陶瓷是一種綜合性能優良的新型陶瓷材料,具有優良的熱傳導性、可靠的電絕緣性、低的介電常數和介電損耗、無毒以及與硅相匹配的熱膨脹系數等一系列優良特性,被認為是新一代高集程度半導體基片和電子器件封裝的理想材料,受到了國內外研究者的重視。理論上,氮化鋁的熱導率接近于氧化鈹的熱導率,但由于氧化鈹有劇毒,在工業生產中逐漸被停止使用。與其它幾種陶瓷材料相比較,氮化鋁陶瓷綜合性能優良,非常適用于半導體基片和結構封裝材料,在電子工業中的應用潛力非常巨大。另外,氮化鋁還耐高溫,耐腐蝕,不為多種熔融金屬和融鹽所浸潤,因此,可用作高級耐火材料和坩堝材料,也可用作防腐蝕涂層,如腐蝕性物質的容器和處理器的里襯等。氮化鋁粉末還可作為添加劑加入各種金屬或非金屬中來改善這些材料的性能。高純度的氮化鋁陶瓷呈透明狀,可用作電子光學器件。氮化鋁還具有優良的耐磨耗性能,可用作研磨材料和耐磨損零件。氮化鋁陶瓷具有多方面的優越性能,應用前景十分廣闊.高韌性絕緣氮化鋁陶瓷棒供應氮化鋁陶瓷環零件源頭廠家。
氮化鋁陶瓷可用作高功率器件材料。
功率傳輸的絕緣材料需具備一定的電絕緣性能及較高的熱傳導性能,還需要具有優異的機械承載能力,氮化鋁陶瓷具有大于10^13Ω·cm的電阻率,190W/(m·K)以上的熱導率以及高達400MPa的彎曲強度,與高功率器件高導熱、電絕緣和機械承載的要求相吻合。在無線收發系統中,收發組件(TR組件)的固態放大電路采用輸出功率更高的寬禁帶半導體功率器件,具備高導熱特性的氮化鋁(AlN)可以將內部熱量傳導至散熱器,避免組件內部溫度過高。TR組件充分利用氮化鋁基板的高導熱、強度高特性,采用多層高溫共燒技術,解決層疊結構高密度裝配的射頻信號垂直互聯,以及散熱和密封等問題。
氮化鋁陶瓷 (AlN) 具有高導熱性、高耐磨性和耐腐蝕性,是半導體和醫療行業比較理想的材料。典型應用包括:加熱器、靜電卡盤、基座、夾環、蓋板和 MRI 設備。
氮化鋁陶瓷在半導體和醫療上可表現以下特性:1高導熱性與金屬鋁一樣高,比氧化鋁 (Al2O3) 高 7 倍;2與硅 (Si) 的熱膨脹系數相似;3高電絕緣性;4在氟基氣體氣氛下對等離子具有高度耐受性;4高密度和細粒結構;5適用于不同用途的多種材料(高導熱型/高純度型);6適用于半導體制造設備的尺寸。 專注氮化鋁陶瓷結構零件。
隨著大功率和超大規模集成電路的發展,集成電路和基片間的散熱性也越來越重要,因此,基片必須要具有高的導熱率和電阻率。氮化鋁aln是al和n穩定的化合物,是iii-v族中能隙值比較大的半導體。氮化鋁陶瓷具有高的熱導率、相對較低的介電常數和介電損耗、與硅和砷化鎵等芯片材料相匹配的熱膨脹系數、界面相容性好、無毒、絕緣等一系列優異性能,成為電子封裝散熱材料和組裝大型集成電路所必需的高性能陶瓷基片材料。目前,制備aln陶瓷基片的主要方法是流延成型,且大多數為有機溶劑流延成型。有機溶劑流延成型采用的是具有一定毒性的有機溶劑(苯、甲苯、二甲苯、等),易燃且對環境的污染較為嚴重,危害身體健康。成型后坯體中存有大量的有機物,后期的排膠過程容易引起坯體開裂及變形;干燥過程中,陶瓷粉體發生沉降,坯體上下表面形成密度梯度,且上表面易產生裂紋,光澤度差。從操作成本及可持續發展角度看,水基流延體系更勝一籌,但氮化鋁粉末的易水解性嚴重阻礙了氮化鋁陶瓷水基流延成型工藝的發展。高質量氮化鋁陶瓷零件廠家--鑫鼎精密陶瓷。四川硬度高隔熱氮化鋁陶瓷球
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氮化鋁的理論密度為3100±10kg/m3,實際測得α- Si3N4的真比重為3184 kg/m3,β- Si3N4的真比重為3187 kg/m3。氮化鋁陶瓷的體積密度因工藝而變化較大,一般為理論密度的80%以上,大約在2200~3200 kg/m3之間,氣孔率的高低是密度不同的主要原因,反應燒結氮化鋁的氣孔率一般在20%左右,密度是2200~2600 kg/m3,而熱壓氮化鋁氣孔率在5%以下,密度達3000~3200 kg/m3,與用途相近的其他材料比較,不僅密度低于所有高溫合金,而且在高溫結構陶瓷中也是密度較低的一種。四川硬度高隔熱氮化鋁陶瓷球
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