SiP封裝工藝介紹，SiP封裝技術采取多種裸芯片或模塊進行排列組裝，若就排列方式進行區分可大體分為平面式2D封裝和3D封裝的結構。相對于2D封裝，采用堆疊的3D封裝技術又可以增加使用晶圓或模塊的數量，從而在垂直方向上增加了可放置晶圓的層數，進一步增強SiP技術的功能整合能力。而內部接合技術可以是單純的線鍵合（Wire Bonding），也可使用覆晶接合（Flip Chip），也可二者混用。目前世界上先進的3D SiP 采用 Interposer（硅基中介層）將裸晶通過TSV（硅穿孔工藝）與基板結合。SiP封裝方法的應用領域逐漸擴展到工業控制、智能汽車、云計算、醫療電子等許多新興領域。北京WLCSP封裝廠家

合封芯片的功能，性能提升，合封芯片：通過將多個芯片或模塊封裝在一起，合封芯片可以明顯提高數據處理速度和效率。由于芯片之間的連接更緊密，數據傳輸速度更快，從而提高了整體性能。穩定性增強，合封芯片：由于多個芯片共享一些共同的功能模塊，以及更緊密的集成方式，合封芯片可以減少故障率。功耗降低、開發簡單，合封芯片：由于多個芯片共享一些共同的功能模塊，以及更緊密的集成方式，云茂電子可以降低整個系統的功耗。此外，通過優化內部連接和布局，可以進一步降低功耗。防抄襲，多個芯片和元器件模塊等合封在一起，就算被采購，也無法模仿抄襲。上海IPM封裝技術SiP封裝基板具有薄形化、高密度、高精度等技術特點。

對于堆疊結構，可以區分如下幾種：芯片堆疊、PoP、PiP、TSV。堆疊芯片，是一種兩個或更多芯片堆疊并粘合在一個封裝中的組裝技術。這較初是作為一種將兩個內存芯片放在一個封裝中以使內存密度翻倍的方法而開發的。 無論第二個芯片是在頭一個芯片的頂部還是在它旁邊，都經常使用術語“堆疊芯片”。技術已經進步，可以堆疊許多芯片，但總數量受到封裝厚度的限制。芯片堆疊技術已被證明可以多達 24 個芯片堆疊。然而，大多數使用9 芯片高度的堆疊芯片封裝技術的來解決復雜的測試、良率和運輸挑戰。芯片堆疊也普遍應用在傳統的基于引線框架的封裝中，包括QFP、MLF 和 SOP 封裝形式。如下圖2.21的堆疊芯片封裝形式。

SiP 封裝種類，SiP涉及許多類型的封裝技術，如超精密表面貼裝技術（SMT）、封裝堆疊技術，封裝嵌入式技術、超薄晶圓鍵合技術、硅通孔（TSV）技術以及芯片倒裝（Flip Chip）技術等。 封裝結構復雜形式多樣。SiP幾種分類形式，從上面也可以看到SiP是先進的封裝技術和表面組裝技術的融合。SiP并沒有一定的結構形態，芯片的排列方式可為平面式2D裝和立體式3D封裝。由于2D封裝無法滿足系統的復雜性，必須充分利用垂直方向來進一步擴展系統集成度，故3D成為實現小尺寸高集成度封裝的主流技術。隨著SIP封裝元件數量和種類增多，在尺寸受限或不變的前提下，要求單位面積內元件密集程度必須增加。

SiP系統級封裝，SiP封裝是云茂電子的其中一種技術。SiP封裝( System In a Package)是將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件，以及諸如MEMS或者光學器件等其他器件優先組裝到一起，實現一定功能的單個標準封裝件。合封芯片技術就是包含SiP封裝技術，所以合封技術范圍更廣，技術更全，功能更多。為了在如此有挑戰的條件下達到優異和一致的印刷表現，除了良好的印刷機設置及合適的鋼網技術以外，為錫膏選擇正確的錫粉尺寸、助焊劑系統、流變性和坍塌特性就很關鍵。SiP封裝技術采取多種裸芯片或模塊進行排列組裝。北京WLCSP封裝廠家

SiP封裝通常在一塊大的基板上進行，每塊基板可以制造幾十到幾百顆SiP成品。北京WLCSP封裝廠家

包裝，主要目的是保證運輸過程中的產品安全，及長期存放時的產品可靠性。對包裝材料的強度、重量、溫濕度特性、抗靜電性能都有一定的要求。主要材料有Tray盤，抗靜電袋，干燥劑、濕度卡，紙箱等。包裝完畢后，直接入庫或按照要求裝箱后直接發貨給客戶。倒裝焊封裝工藝工序介紹，焊盤再分布，為了增加引線間距并滿足倒裝焊工藝的要求，需要對芯片的引線進行再分布。制作凸點，焊盤再分布完成之后，需要在芯片上的焊盤添加凸點，焊料凸點制作技術可采用電鍍法、化學鍍法、蒸發法、置球法和焊膏印盡4法。目前仍以電鍍法較為普遍，其次是焊膏印刷法。北京WLCSP封裝廠家