晶閘管智能模塊的散熱要求

模塊散熱條件的好壞直接關系到產品的使用壽命和短時過載能力，溫度越低模塊的輸出電流越大，所以在使用中一定要配備散熱器和風機，建議采用帶有過熱保護功能的產品，有水冷散熱條件的優先選擇水冷散熱。我們經過嚴格測算，確定了不同型號的產品所應該配備的散熱器型號，推薦采用廠家配套的散熱器和風機，用戶自備時按以下原則選取：

1、軸流風機的風速應大于6m/s ；

2、一定要能保證模塊正常工作時散熱底板溫度不大于 80℃；

3、模塊負載較輕時，可減小散熱器的大小或采用自然冷卻；

4、采用自然方式冷卻時散熱器周圍的空氣能實現對流并適當增大散熱器面積；

5、所有緊固模塊的螺釘一定要擰緊，壓線端子連接牢固，以減少次生熱量的產生，模塊底板和散熱器之間一定要要涂敷一層導熱硅脂或墊上一片底板大小的導熱墊，以達到良好散熱效果。 正高電氣的行業影響力逐年提升。威海MTDC150晶閘管智能模塊品牌

    這兩部分電路，R5、RP和C5構成阻容移相電路。合上電源開關S，交流電源電壓通過R5、RP向電容器C5充電，當電容器C5兩端的電壓上升到略高于雙向觸發二極管ST的轉折電壓時，ST和雙向晶閘管VS相繼導通，負載RL得電工作。當交流電源電壓過零瞬間，雙向晶閘管自行關斷，接著C5又被電源反向充電，重復上述過程。分析電路時，觸發電路是工作在交流電路中的，交流電壓的正、負半周分別會發出正、負觸發脈沖送到雙向晶閘管的控制極，使管子在正、負半周內對稱地導通一次。改變RP的阻值，就改變了C5的充電速度，也就改變了雙向晶閘管的導通角，相應地改變了負載RL上的交流電壓，實現了交流調壓。同是不是可以直接作交流調壓器使用呢？一個簡易型調壓器，在要求不高的場合（如燈具調光）完全可以使用。這種調壓器的缺點有兩個：一是負載RL上的電壓不能從零伏起調，比較低只能調到20V。當RP調到比較大值時，C5充電速度變得很慢，以致在交流電壓的半個周期時間內，C5上的電壓還來不及上升到雙向觸發二極管的轉折電壓，雙向晶閘管就不能導通。為了克服這一缺點，增加了由R4、C4和R6組成的另一條阻容移相電路。當RP調到極限值以上時。C4上的電壓可經R6向C5充電。威海MTDC150晶閘管智能模塊品牌公司實力雄厚，產品質量可靠。

模塊內部晶閘管主要參數

（1）正反向峰值耐壓：≥1400V；

（2）di／dt：100A／μs；

（3）dv／dt：500V／μs

晶閘管智能模塊的應用方法

模塊的控制功能端口

模塊可應用于各行各業需要對電力能量大小進行調整和變換的場合。如變壓器調壓；加熱行業調溫；金屬加工行業的電鍍、電解；電源行業電池充放電、電源穩壓；電磁行業的勵磁以及各行業使用的直流電機調速、交流電機軟起動等。

模塊如何使用？

模塊的使用非常簡單，只需用一個可調的電壓或者電流信號即可對模塊輸出電壓的大小進行平滑調節，從而實現弱電對強電的控制。

電壓或電流信號可取自各種控制儀表、計算機D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種方法。控制信號可以有0～5V，0～10V，4～20mA，0～10mA四種形式。

+12V：外接 +12V直流電源正極。

GND：直流電源地線。

GND1: 控制信號地線，與GND 相通。

CON10V: 0～10V 控制信號輸入

TESTE：檢測電源,方便用戶檢測模塊功能時用。可外接 4.7K～20K電位器，取出0～10V 信號。

CON20mA：4～20mA控制信號輸入

    軟啟動器可分為有級和無極兩類，前者的調節是分檔的；后者的調節是連續的。傳統的軟起動器均是有級的。下面我們就是主要介紹下無級類，它們是液阻軟起動、磁控軟起動和晶閘管軟起動。在電動機定子回路，通過串入有限流作用的電力電子器件實現軟起動，叫做降壓或者限流軟起動，它是軟起動中的一個重要類別。按限流器件不同可分為：以電解液限流的液阻軟起動，以磁飽和電抗器為限流啟動的磁控軟啟動，以晶閘管為限流器件的晶閘管軟起動。變頻調速器也是一種軟起動裝置，它是比較理想的一種，它可以在限流同時保持高的起動轉矩。價格貴是制約其作為軟起動應用的重要因素，它主要用在變頻調速系統中。一、液阻軟起動器液阻是一種由電解液形成的電阻，它導電的本質是離子導電。它的阻值正比相對的二塊電極板的距離，反比于電解液的電導率，極板距離和電導率都便于控制；液阻的熱容量大。液阻的這兩大特點（阻值可以無級控制和熱容量大），恰恰是軟起動所需要的。液阻軟起動也有缺點：一是液阻箱容積大，其根源在于阻性限流，減小容積引起溫升加大。一次軟起動后電解液通常會有10-30攝氏度的溫升，使軟啟動的重復性差。二是移動極板需要有一套伺服機構，它的移動速度較慢。正高電氣傾城服務，確保產品質量無后顧之憂。

    引理**近有朋友說關于加熱爐出現燒毀晶閘管的問題，事情起源為公司設計了一個加熱爐，加熱上限溫度100度，下限溫度-60度。加熱爐的加熱電阻設計連接方式為星形連接，其中一臺設備采用了三角形連接方式，結果晶閘管經常被燒毀，問這是什么原因引起的損壞。加熱爐要解釋這個問題，需要從電阻的星接和角接以及由于電阻接法不同引起的加熱功率變化兩個方面進行分析。本文分析采用理論與實際相結合形式，讀者根據需求選擇部分章節進行閱讀。電加熱爐原理介紹電加熱爐溫度控制采用的是晶閘管周期性導通控制電阻絲功率的調功器。調功器的控制方式：晶閘管零電壓開關，在時間周期T內，晶閘管全導通周波數對應的時間Tm，晶閘管關閉時間T-Tm，采用控制方式通常為PID控制，根據當前溫度與目標控制溫度差值，PID調節器輸出值決定導通周波數時間，在晶閘管導通時，負載電壓等于相電壓，在晶閘管關段時，負載電壓等于零。晶閘管晶閘管電阻絲串聯星接每個控制周期T的平均電壓為：每個控制周期T的電阻加熱量為：可見電阻絲加熱熱量與電壓Tm的平方成正比。Tm越大，加熱量越大。而電爐子的傳遞函數仍然可用《自動控制原理》一文中的公式進行計算。正高電氣公司地理位置優越，擁有完善的服務體系。威海MTDC150晶閘管智能模塊品牌

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    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯電阻和電容在實際晶閘管(可控硅)電路中，常在其兩端并聯RC串聯網絡，該網絡常稱為RC阻容吸收電路。我們知道，晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數－斷態電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結溫和門極斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態轉入通態的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發生這種情況。因為晶閘管(可控硅)可以看作是由三個PN結組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態下，因各層相距很近，其J2結結面相當于一個電容C0。當晶閘管(可控硅)陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容C0，并通過J3結，這個電流起了門極觸發電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關斷時，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發信號的情況下，晶閘管(可控硅)誤導通現象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管(可控硅)上的陽極電壓上升率應有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管(可控硅)安全運行，常在晶閘管(可控硅)兩端并聯RC阻容吸收網絡。威海MTDC150晶閘管智能模塊品牌

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