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青海雙向可控硅模塊組件

來源: 發布時間:2024-06-16

單向可控硅模塊有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有一陽極A1(T1),二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時,方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態,陽極A與陰極K間壓降約1V。

單向可控硅導通后,控制器G即使失去觸發電壓,只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續處于低阻導通狀態。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發生改變(交流過零)時,單向可控硅才由低阻導通狀態轉換為高阻截止狀態。單向可控硅一旦截止,即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓,仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態相當于開關的閉合與斷開狀態,用它可制成無觸點開關。 淄博正高電氣有限公司具備雄厚的實力和豐富的實踐經驗。青海雙向可控硅模塊組件

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可控硅模塊的應用領域

可控硅模塊應用于溫度控制、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子弧、逆變電源等需要調節和改變電能的場合,如工業、通信、電力系統、電力系統等及其它各種電控、電源等,根據此也可通過模塊的控制端口與多功能控制板相連,完成電流穩定、電壓穩定和軟啟動。并可結束過流、過電壓、過溫、缺乏平衡維護功能。

可控硅模塊由于它在電路應用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優點,自上個世紀六十長代以來,獲得了迅猛發展,并已形成了一門**的學科。

可控硅模塊發展到現在,在工藝上已經非常成熟,品質更好,成品率大幅提高,并向高壓大電流發展。 濱州雙向可控硅模塊報價淄博正高電氣有限公司不斷完善自我,滿足客戶需求。

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正高可控硅擁有體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝;結構重復性好,裝置的機械設計可以簡化,價格比分立器件低等諸多優點,受到了眾多客戶的喜愛和歡迎。目前,正高可控硅以其穩定的性能等特點,應用于各行業,**省內外地區。 

可控硅模塊的分類   

可控硅模板從X芯片上看,可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,從具體的用途上區分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機**模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等。

導通角與模塊輸出電流的關系:山東可控硅模塊的導通角與模塊能輸出的器強大電流有直接關系,模塊的標稱電流是強大導通角時能輸出的強大電流。在小導通角(輸出電壓與輸入電壓比值很小)下輸出的電流峰值很大,但電流的有效值很小(直流儀表一般顯示平均值,交流儀表顯示非正弦電流時比實際值小),但是輸出電流的有效值很大,半導體器件的發熱與有效值的平方成正比,會使模塊嚴重發熱甚至燒毀。因此,山東可控硅模塊應選擇在強大導通角的65%以上工作,及控制電壓應在5V以上。淄博正高電氣有限公司深受各界客戶好評及厚愛。

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您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎?

可控硅模塊導通的條件是陽極承受正電壓,只有當正向觸發電壓時,可控硅才能導通。由門級施加的正向觸發脈沖的較小寬度應使陽極電流達到維持直通狀態所需的較小的陽極電流,即高于電流IL。可控硅導通后的電壓降很小。

接通可控硅模塊的條件是將流過可控硅模塊的電流減小到較小的值,即保持電流IH。有兩種方法:

1.將正極電壓降低至數值,或添加反向陽極電壓。

2.增加負載電路中的電阻。

以上是可控硅模塊的導通狀態,希望能幫助您 淄博正高電氣有限公司真誠希望與您攜手、共創輝煌。濱州雙向可控硅模塊報價

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可控硅模塊的使用注意事項

1.在選擇可控硅模塊的額定電流時,應注意的是,除考慮通過元件的平均電流外,還必須注意正常運行過程中傳導角的大小、散熱和通風條件等因素,同時,管殼的溫度不得超過相應電流的允許值。

2.使用可控硅模塊時,使用萬用表檢查可控硅模塊是否處于良好狀態,如有短路或斷路,應立即更換。

3.嚴禁使用兆歐表來檢查部件的絕緣情況。

4.率大于5A的可控硅模塊,應安裝散熱器,并保證規定的冷卻條件。同時,為保證散熱器與可控硅模塊管芯接觸良好,應在兩者之間涂一層有機硅油或硅脂,以利于更好的散熱。

5.根據規定,主電路中的可控硅模塊采用過電壓和過電流保護裝置。

6.防止控制極正向過載和反向擊穿。 青海雙向可控硅模塊組件

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