對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。2．檢查觸發能力如圖2(a)所示，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極，紅表筆接K極，電阻為無窮大；然后用黑表筆尖也同時接觸G極，加上正向觸發信號，表針向右偏轉到低阻值即表明GTO已經導通；脫開G極，只要GTO維持通態，就說明被測管具有觸發能力。3．檢查關斷能力現采用雙表法檢查GTO的關斷能力，如圖2(b)所示，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔，紅表筆接G極，黑表筆接K極，施以負向觸發信號，如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置，證明GTO具有關斷能力。4．估測關斷增益βoff進行到第3步時，先不接入表Ⅱ，記下在GTO導通時表Ⅰ的正向偏轉格數n1；再接上表Ⅱ強迫GTO關斷，記下表Ⅱ的正向偏轉格數n2。根據讀取電流法按下式估算關斷增益：βoff=IATM/IGM≈IAT/IG＝K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數；K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數。βoff≈10×n1/n2此式的優點是，不需要具體計算IAT、IG之值，只要讀出二者所對應的表針正向偏轉格數，即可迅速估測關斷增益值。注意事項：（1）在檢查大功率GTO器件時，建議在R×1檔外邊串聯一節′，以提高測試電壓和測試電流，使GTO可靠地導通。。正高電氣公司將以質量的產品，完善的服務與尊敬的用戶攜手并進！青島MTDC100晶閘管智能模塊廠家

    [1]單結管即單結晶體管，又稱為雙基極二極管，是一種具有一個PN結和兩個歐姆電極的負阻半導體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結晶體管。[2]單結晶體管可分為N型基極單結管和P型基極單結管兩大類。單結晶體管的文字符號為“VT”，圖形符號如圖所示。[3]單結晶體管的主要參數有：①分壓比η，指單結晶體管發射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點電壓UP，是指單結晶體管剛開始導通時的發射極E與基極B1的電壓，其所對應的發射極電流叫做峰點電流IP。③谷點電壓UV，是指單結晶體管由負阻區開始進入飽和區時的發射極E與基極B1間的電壓，其所對應的發射極電流叫做谷點電流IV。[4]單結晶體管共有三個管腳，分別是：發射極E、基極B1和第二基極B2。圖示為兩種典型單結晶體管的管腳電極。[5]單結晶體管**重要的特性是具有負阻性，其基本工作原理如圖示（以N基極單結管為例）。當發射極電壓UE大于峰點電壓UP時，PN結處于正向偏置，單結管導通。隨著發射極電流IE的增加，大量空穴從發射極注入硅晶體，導致發射極與基極間的電阻急劇減小，其間的電位也就減小，呈現出負阻特性。[6]檢測單結晶體管時，萬用表置于“R×1k”擋。聊城MTDC320晶閘管智能模塊配件正高電氣傾城服務，確保產品質量無后顧之憂。

    當C5上的電壓上升到氛管的導通電壓時，雙向晶閘管就會被觸發導通。另一種是用兩個NPN型三極管反向串聯（基極開路）代替雙向觸發二極管，調壓效果還不錯。再有一種是用RC電路取代雙向觸發二極管，調壓效果要差一些，在對調壓器性能要求不高的情況下可以使用。雙向晶閘管能不能也采用單結晶體管張弛振蕩器組成的觸發電路呢？雙向晶閘管的特點是不論給它的控制極加上正的或負的觸發脈沖都能使它導通，所以，單結晶體管張弛振蕩器同樣可以作為雙向晶閘管的觸發電路。這種觸發電路調壓效果很好，只是電路比較復雜。由于單結晶體管張弛振蕩器必須由直流電源供電，所以應用橋式整流電路得到全波脈動直流電壓，再經過穩壓管VD削波成為梯形波電壓，為張弛振蕩器供電。為什么使用梯形波電壓而不用濾波電容器得到平滑的直流電壓呢？一定要用梯形波電壓，不能使用平滑的直流電壓。這是為了能使觸發脈沖與交流電源同步。經過全波整流、穩壓管削波后得到的梯形波電壓與主電路電壓是同步變化的，即二者同時經過零值，同時上升，同時下降。這樣，當晶閘管上承受的主電壓過零時。

    電壓很容易對晶閘管模塊造成損壞，那么，我們就要了解過電壓保護，保護晶閘管模塊，不讓其受過電壓損壞。要保護晶閘管，就要知道過電壓是怎么產生的？從而去避免。以下是為大家列舉的詳細情況：晶閘管模塊對過電壓很敏感，當正向電壓超過其斷態重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通，引發電路故障；當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時，晶閘管模塊就會立即損壞。因此，必須研究過電壓的產生原因及過電壓的方法。過電壓產生的原因主要是供給的電功率或系統的儲能發生了激烈的變化，使得系統來不及轉換，或者系統中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發現為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動作等產生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰，對晶閘管模塊是很危險的。由開關的開閉引起的沖擊電壓又分為如下兩類：（1）交流電源接通、斷開產生的過電壓例如，交流開關的開閉、交流側熔斷器的熔斷等引起的過電壓，這些過電壓由于變壓器繞組的分布電容、漏抗造成的諧振回路、電容分壓等使過電壓數值為正常值的2至10多倍。一般地，開閉速度越快過電壓越高。正高電氣生產的產品質量上乘。

    則要求比較大逆變換相引前角在42°左右，此時，中頻輸出電壓與直流電壓的比為。一般期望它盡可能的大些，這在系統輸入電壓偏低時，仍可保證中頻輸出電壓到額定值，當系統輸入電壓偏高時，由于有電壓調節器的作用，中頻輸出仍然不會出現過電壓。此項調試工作應在50%額定中頻輸出電壓下進行。注意，必須先調，再調，否則順序反了，會出現互相牽扯的問題。有時由于電壓表不準，給調試帶來錯誤的結論，所以應以示波器測得的引前角為準。調試中若出現逆變引前角過大的現象，應檢查槽路諧振頻率是否過低。（W2）在輕負荷的情況下整定額定輸出電壓，把主控板上的DIP開關均撥在OFF位置、W2微調電位器順時針旋至比較大，把面板上的“給定”電位器順針旋大，逆變橋工作。繼續把面板上的“給定”電位器順時針旋至比較大，此時輸出的中頻電壓接近額定值，逆時針調節W2微調電位器，使輸出的中頻電壓達到額定值。在這項調試中，可見到這樣的現象，即直流電壓升到比較大值后，中頻輸出電壓卻還能繼續隨“給定”電位器的旋大而上升。在整定額定輸出電壓時，應在直流電流低于額定電流的條件下進行，否則會由于電流限幅的作用，使中頻輸出電壓調不上去。至此，6只微調電位器全部調完。正高電氣尊崇團結、信譽、勤奮。青島MTDC100晶閘管智能模塊廠家

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    三相負載吸收的功率等于各相功率之和。上節已經分析了，如果把電阻R的星接結構改成角接結構，更改后的角接結構等效變換為星接結構時，對應的星接等效電阻為R/3。如下圖所示：角接等效星接三相對稱電路的瞬時功率P為各相負載瞬時功率之和：那么，此時的相電流為更改前相電流的3倍。因此，更改后的三相對稱電路功率P為更改**相對稱電流功率P0的3倍：晶閘管額定通態電流通常為電路額定電流的2倍。這意味著晶閘管比較大運行功率為額定功率的2倍，因此：同樣阻值的電阻，由星接更改為角接后，三相對稱電路的功率增大了3倍。這導致了晶閘管功率超限而燒毀。保證系統運行的基本要求：1從晶閘管的功率選型來看，需要把三角形連接電阻結構改為星接電阻結構。2如果電阻絲連接結構由星接變為角接，要想保證設備能正常工作，需要更換耐流比現有晶閘管大3倍的晶閘管器件?；蛘吒鼡Q耐流比現有晶閘管大2倍的晶閘管器件同時把晶閘管的連接方式放在三角形里面與電阻串聯。更換晶閘管后設備可以提高3倍功率運行。3如果更換晶閘管后，設備還需要保持原有功率運行則需要如下操作：軟件控制方面要保證系統穩定運行，應進行輸出功率限幅，降低系統控制輸出力度。青島MTDC100晶閘管智能模塊廠家

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