晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯電阻和電容在實際晶閘管(可控硅)電路中，常在其兩端并聯RC串聯網絡，該網絡常稱為RC阻容吸收電路。我們知道，晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數－斷態電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結溫和門極斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態轉入通態的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發生這種情況。因為晶閘管(可控硅)可以看作是由三個PN結組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態下，因各層相距很近，其J2結結面相當于一個電容C0。當晶閘管(可控硅)陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容C0，并通過J3結，這個電流起了門極觸發電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關斷時，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發信號的情況下，晶閘管(可控硅)誤導通現象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管(可控硅)上的陽極電壓上升率應有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管(可控硅)安全運行，常在晶閘管(可控硅)兩端并聯RC阻容吸收網絡。正高電氣銳意進取，持續創新為各行各業提供專業化服務。威海MTAC450晶閘管智能模塊報價

    引理**近有朋友說關于加熱爐出現燒毀晶閘管的問題，事情起源為公司設計了一個加熱爐，加熱上限溫度100度，下限溫度-60度。加熱爐的加熱電阻設計連接方式為星形連接，其中一臺設備采用了三角形連接方式，結果晶閘管經常被燒毀，問這是什么原因引起的損壞。加熱爐要解釋這個問題，需要從電阻的星接和角接以及由于電阻接法不同引起的加熱功率變化兩個方面進行分析。本文分析采用理論與實際相結合形式，讀者根據需求選擇部分章節進行閱讀。電加熱爐原理介紹電加熱爐溫度控制采用的是晶閘管周期性導通控制電阻絲功率的調功器。調功器的控制方式：晶閘管零電壓開關，在時間周期T內，晶閘管全導通周波數對應的時間Tm，晶閘管關閉時間T-Tm，采用控制方式通常為PID控制，根據當前溫度與目標控制溫度差值，PID調節器輸出值決定導通周波數時間，在晶閘管導通時，負載電壓等于相電壓，在晶閘管關段時，負載電壓等于零。晶閘管晶閘管電阻絲串聯星接每個控制周期T的平均電壓為：每個控制周期T的電阻加熱量為：可見電阻絲加熱熱量與電壓Tm的平方成正比。Tm越大，加熱量越大。而電爐子的傳遞函數仍然可用《自動控制原理》一文中的公式進行計算。威海MTAC450晶閘管智能模塊報價正高電氣交通便利，地理位置優越。

    這里的電壓差定義為：晶閘管調功器的另外一種接法是三角形連接：晶閘管電阻絲串聯角接兩種方法的控制方式沒有區別，不再贅述。電阻星形接法與三角形接法有什么不同假設有三個電阻絲R1，R2，R3，電阻絲的阻值相等，供電電源為220V對稱三相電源，把三個電阻絲分別接成星形和三角形兩種接法，如果供電電源發出的電流相等，那么，電阻絲的阻值如何選擇？電阻絲星接上圖中，三個阻值相同的阻抗連接成星形結構，它們構成了對稱三相負載，對于A相電路來說，電阻R流過的電流為：而對于采用三角形連接的電阻，如下圖所示：電阻絲角接線電流Ia等于流經電阻R的電流Iab與流經電阻R的Iac的和，當三相對稱電源分別接星形接法的對稱電阻網絡與三角形接法的對稱電阻網絡，產生相同的相電流，對應的星形網絡和三角形網絡的電阻值之間的關系：可見，對于三相對稱電源，獲得相同的相電流情況下，如果定義星接網絡電阻值為R，則角接網絡電阻值為3R。而如果把電阻值為R的星接網絡改成三角形連接網絡，則三角形網絡的等效星形網絡電阻為R/3。注意，這里把同樣的電阻，由星接改成角接，得到的結果是把角接等效為星接后，電阻值縮小了三分之一。電阻結構變化對功率的影響在三相電路中。

    檢測兩基極間電阻：兩表筆（不分正、負）接單結晶體管除發射極E以外的兩個管腳，讀數應為3～10kΩ。[7]檢測PN結正向電阻（N基極管為例，下同）：黑表筆接發射極E，紅表筆分別接兩個基極，讀數均應為數千歐。對調兩表筆后檢測PN結反向電阻，讀數均應為無窮大。如果測量結果與上述不符，說明被測單結管已損壞。[8]測量單結晶體管的分壓比η：按圖示搭接一個測量電路，用萬用表“直流10V”擋測出C2上的電壓UC2，再按公式η=UC2/UB計算即可。[9]單結晶體管的基本應用是組成脈沖產生電路，包括振蕩器、波形發生器等，并可使電路結構大為簡化。圖示為單結晶體管弛張振蕩器。單結管VT的發射極輸出鋸齒波，基極輸出窄脈沖，第二基極輸出方波。RE與C組成充放電回路，改變RE或C即可改變振蕩周期。該電路振蕩周期T≈RECln[1/（1-η）]，式中，ln為自然對數，即以e（）為底的對數。[10]單結晶體管還可以用作晶閘管觸發電路。圖示為調光臺燈電路。在交流電的每半周內，晶閘管VS由單結管VT輸出的窄脈沖觸發導通，調節RP便改變了VT輸出窄脈沖的時間，即改變了VS的導通角，從而改變了流過燈泡EL的電流，實現了調光的目的。[11]晶體閘流管簡稱為晶閘管，也叫做可控硅。正高電氣在客戶和行業中樹立了良好的企業形象。

    由與非門的邏輯關系可知此時YFA3腳輸出為高電平，經過YF2反相變為低電平，D1截止后級電路不動作。晚上光線暗RG阻值變大，YFA1腳電位升高，如果此時有聲音被MIC接收，經C1耦合T1放大，在R3上形成音頻電壓，此電壓如高于1/2電源電壓，則YF13腳輸出低電平，經YFB反相，4腳輸出的高電平經D1向C2瞬間充電，使YFC輸入端接近電源電壓，10腳輸出低電平，由YFD反相緩沖后經R6觸發可控硅導通，電燈正常點亮。（此時則由C3向電路供電）如此后無聲被MIC接收，則YFA輸出恢復為高電平，C2通過R5緩慢放電，當C2電壓下降到低于1/2電源電壓時（按圖中參數約一分鐘）YFC反轉、YFD反轉，可控硅（SCR）截止電燈關閉，等待下次觸發。元件選擇：MIC用駐極體話筒，RG用一般光敏電阻即可，YFA-YFD用一片低工S四與非門電路TC4011，T1用9014低頻管，放大倍數越大靈敏度越高，D1用IN4148，D2是，C2、C3用電解電容、SCR可選用MCR100-61A的單向可控硅，電阻均為1/8w炭膜電阻，阻值按圖。D4-D7用IN4007，反向漏電必須小。電燈的功率不能超過60W。我公司生產的產品、設備用途非常多。威海MTAC450晶閘管智能模塊報價

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    [1]單結管即單結晶體管，又稱為雙基極二極管，是一種具有一個PN結和兩個歐姆電極的負阻半導體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結晶體管。[2]單結晶體管可分為N型基極單結管和P型基極單結管兩大類。單結晶體管的文字符號為“VT”，圖形符號如圖所示。[3]單結晶體管的主要參數有：①分壓比η，指單結晶體管發射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點電壓UP，是指單結晶體管剛開始導通時的發射極E與基極B1的電壓，其所對應的發射極電流叫做峰點電流IP。③谷點電壓UV，是指單結晶體管由負阻區開始進入飽和區時的發射極E與基極B1間的電壓，其所對應的發射極電流叫做谷點電流IV。[4]單結晶體管共有三個管腳，分別是：發射極E、基極B1和第二基極B2。圖示為兩種典型單結晶體管的管腳電極。[5]單結晶體管**重要的特性是具有負阻性，其基本工作原理如圖示（以N基極單結管為例）。當發射極電壓UE大于峰點電壓UP時，PN結處于正向偏置，單結管導通。隨著發射極電流IE的增加，大量空穴從發射極注入硅晶體，導致發射極與基極間的電阻急劇減小，其間的電位也就減小，呈現出負阻特性。[6]檢測單結晶體管時，萬用表置于“R×1k”擋。威海MTAC450晶閘管智能模塊報價

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