晶閘管智能模塊的保護(hù)

在實際應(yīng)用中，除合理選擇智能可控硅調(diào)壓模塊的額定電壓及電流外，還必須采取有效的保護(hù)措施來保證晶閘管智能模塊能可靠工作。

過熱保護(hù)：晶閘管智能模塊與其他功率器件一樣，在實際工作中由于自身功耗，都會引起芯片溫度上升，溫度過高后，會使漏電流增加，芯片特性變軟，直至過熱擊穿，在實際應(yīng)用中，通常采用強(qiáng)迫風(fēng)冷的方法來及時散除晶閘管工作時產(chǎn)生的熱量，控制散熱器比較高溫度不超過75°，使晶閘管智能模塊在安全溫度下工作。 正高電氣公司狠抓產(chǎn)品質(zhì)量的提高，逐年立項對制造、檢測、試驗裝置進(jìn)行技術(shù)改造。青島MTAC40晶閘管智能模塊配件

    由與非門的邏輯關(guān)系可知此時YFA3腳輸出為高電平，經(jīng)過YF2反相變?yōu)榈碗娖剑珼1截止后級電路不動作。晚上光線暗RG阻值變大，YFA1腳電位升高，如果此時有聲音被MIC接收，經(jīng)C1耦合T1放大，在R3上形成音頻電壓，此電壓如高于1/2電源電壓，則YF13腳輸出低電平，經(jīng)YFB反相，4腳輸出的高電平經(jīng)D1向C2瞬間充電，使YFC輸入端接近電源電壓，10腳輸出低電平，由YFD反相緩沖后經(jīng)R6觸發(fā)可控硅導(dǎo)通，電燈正常點亮。（此時則由C3向電路供電）如此后無聲被MIC接收，則YFA輸出恢復(fù)為高電平，C2通過R5緩慢放電，當(dāng)C2電壓下降到低于1/2電源電壓時（按圖中參數(shù)約一分鐘）YFC反轉(zhuǎn)、YFD反轉(zhuǎn)，可控硅（SCR）截止電燈關(guān)閉，等待下次觸發(fā)。元件選擇：MIC用駐極體話筒，RG用一般光敏電阻即可，YFA-YFD用一片低工S四與非門電路TC4011，T1用9014低頻管，放大倍數(shù)越大靈敏度越高，D1用IN4148，D2是，C2、C3用電解電容、SCR可選用MCR100-61A的單向可控硅，電阻均為1/8w炭膜電阻，阻值按圖。D4-D7用IN4007，反向漏電必須小。電燈的功率不能超過60W。青島MTAC40晶閘管智能模塊配件正高電氣技術(shù)力量雄厚，工裝設(shè)備和檢測儀器齊備，檢驗與實驗手段完善。

    過流保護(hù)如果想得到較安全的過流保護(hù)，建議用戶優(yōu)先使用內(nèi)部帶過流保護(hù)功能的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過電流繼電器、傳感器的方法。快速熔斷器是**簡單常用的方法，介紹如下：（1）快速熔斷器的選擇：①、熔斷器的額定電壓應(yīng)大于模塊輸入端電壓；②、熔斷器的額定電流應(yīng)為模塊標(biāo)稱輸入電流的，按照計算值選擇相同電流或稍大一點的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關(guān)系參考本本博客有關(guān)文章。用戶也可根據(jù)經(jīng)驗和試驗自行確定熔斷器的額定電流。（2）接線方法：快速熔斷器接在模塊的輸入端，負(fù)載接輸出端。2、過壓保護(hù)晶閘管承受過電壓的能力較差，當(dāng)元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時，即使時間很短，也會造成元件反向擊穿損壞。如果正向電壓超過晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓，會引起晶閘管硬開通，它不僅使電路工作失常，且多次硬開通后元件正向轉(zhuǎn)折電壓要降低，甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此必須采用過電壓保護(hù)措施用以晶閘管上可能出現(xiàn)的過電壓。模塊的過壓保護(hù)，推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護(hù)措施。（1）阻容吸收回路晶閘管從導(dǎo)通到阻斷時，和開關(guān)電路一樣，因線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量會產(chǎn)生過電壓。

    使設(shè)備進(jìn)入穩(wěn)態(tài)運(yùn)行。若一次起動不成功，即自動調(diào)頻電路沒有抓住中頻電壓反饋信號，此時，它激信號便會一直掃描到比較低頻率，重復(fù)起動電路一旦檢測到它激信號進(jìn)入到比較低頻段，便進(jìn)行一次再起動，把它激信號再推到比較高頻率，重新掃描一次，直至起動成功，重復(fù)起動的周期約為。由CON2-1和CON2-2輸入的中頻電壓信號，經(jīng)IC1A轉(zhuǎn)換成方波信號，輸入到IC6的30角，由IC6的15P、16P輸出的逆變觸發(fā)信號。經(jīng)IC7A隔離放大后，驅(qū)動逆變觸發(fā)CMOS晶體管Q5、Q6。IC4B和IC4C構(gòu)成逆變壓控時鐘，輸入到IC6的33腳CLOK2；同時又由IC7B進(jìn)行頻壓轉(zhuǎn)換后用于驅(qū)動頻率表。W6微調(diào)電位器用于設(shè)定壓控時鐘的比較高頻（即逆變它激信號的比較高頻率），W5微調(diào)電位器用于整定外接頻率表的讀數(shù)。另外，當(dāng)發(fā)生過電壓保護(hù)時，IC6內(nèi)部的過電壓保護(hù)振蕩器起振，輸出2倍于比較高逆變頻率的觸發(fā)脈沖，使逆變橋的4只晶閘管均導(dǎo)通。IC4A為起動失敗檢測器，其輸出控制IC6內(nèi)部重復(fù)起動電路。過電流保護(hù)信號經(jīng)Q3倒相后，送到IC6的20P，整流觸發(fā)脈沖：驅(qū)動“”LED批示燈亮和驅(qū)動報警繼電器。過電流觸發(fā)器動作后，只有通過復(fù)位信號或通過關(guān)機(jī)后再開機(jī)進(jìn)行“上電復(fù)位”，方可再次運(yùn)行。正高電氣的行業(yè)影響力逐年提升。

    [1]單結(jié)管即單結(jié)晶體管，又稱為雙基極二極管，是一種具有一個PN結(jié)和兩個歐姆電極的負(fù)阻半導(dǎo)體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結(jié)晶體管。[2]單結(jié)晶體管可分為N型基極單結(jié)管和P型基極單結(jié)管兩大類。單結(jié)晶體管的文字符號為“VT”，圖形符號如圖所示。[3]單結(jié)晶體管的主要參數(shù)有：①分壓比η，指單結(jié)晶體管發(fā)射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結(jié)管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點電壓UP，是指單結(jié)晶體管剛開始導(dǎo)通時的發(fā)射極E與基極B1的電壓，其所對應(yīng)的發(fā)射極電流叫做峰點電流IP。③谷點電壓UV，是指單結(jié)晶體管由負(fù)阻區(qū)開始進(jìn)入飽和區(qū)時的發(fā)射極E與基極B1間的電壓，其所對應(yīng)的發(fā)射極電流叫做谷點電流IV。[4]單結(jié)晶體管共有三個管腳，分別是：發(fā)射極E、基極B1和第二基極B2。圖示為兩種典型單結(jié)晶體管的管腳電極。[5]單結(jié)晶體管**重要的特性是具有負(fù)阻性，其基本工作原理如圖示（以N基極單結(jié)管為例）。當(dāng)發(fā)射極電壓UE大于峰點電壓UP時，PN結(jié)處于正向偏置，單結(jié)管導(dǎo)通。隨著發(fā)射極電流IE的增加，大量空穴從發(fā)射極注入硅晶體，導(dǎo)致發(fā)射極與基極間的電阻急劇減小，其間的電位也就減小，呈現(xiàn)出負(fù)阻特性。[6]檢測單結(jié)晶體管時，萬用表置于“R×1k”擋。正高電氣是多層次的模式與管理模式。聊城MTAC600晶閘管智能模塊哪家好

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晶閘管智能調(diào)壓模塊的使用方法

1、各功能端相對com端必須為正，若com端為負(fù)極，極性相反，則晶閘管智能調(diào)壓模塊主回路輸出端可能失控。

2、晶閘管智能調(diào)壓模塊各功能端的控制特性均為正極性，即控制電壓越高，模塊強(qiáng)電主回路輸出電壓越高。

3、晶閘管智能調(diào)壓模塊在某一時刻宜使用一種輸入控制方式，若2種以上方式同時輸入使用，則輸入信號較強(qiáng)的一種起主要作用。

4、晶閘管智能調(diào)壓模塊電源為上進(jìn)下出，三相交流電路的進(jìn)線R、S、T無相序要求，導(dǎo)線粗細(xì)按實際使用電流選擇。

5、晶閘管智能調(diào)壓模塊N線*為模塊內(nèi)部開關(guān)電源用，用1平方細(xì)導(dǎo)線即可，N線與各輸入控制端之間為全隔離絕緣設(shè)計。

6、晶閘管智能調(diào)壓模塊在使用過程中若發(fā)生過流現(xiàn)象，應(yīng)首先檢查負(fù)載有無短路等故障。可在模塊的進(jìn)線R、S、T端之前安裝快速熔斷器進(jìn)行過流保護(hù)，規(guī)格可按實際負(fù)載電流的1.5倍選配。

7、智能晶閘管智能調(diào)壓模塊應(yīng)與散熱器配合使用，在機(jī)柜中與其他器件之間有足夠的散熱空間。必要時可安裝風(fēng)扇強(qiáng)制散熱。 青島MTAC40晶閘管智能模塊配件

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