晶閘管模塊的應用方法

1、模塊的控制功能端口定義

+12V：   外接 +12V直流電源正極。

GND：   直流電源地線。

GND1:    控制信號地線，與GND 相通。

CON10V:  0～10V 控制信號輸入。

TESTE： 檢測電源,可外接 4.7K～20K電位器，取出0～10V 信號。

CON20mA：4～20mA控制信號輸入。

2、模塊的控制端口與控制線

模塊控制端接口有5腳、9腳和15腳三種形式，分別對應于5芯、9芯、15芯的控制線。采用電壓信號的產品只用**腳端口，其余為空腳，采用電流信號的9腳為信號輸入，控制線的屏蔽層銅線應焊接到直流電源地線上,連接時注意不要同其它的端子短路,以免不能正常工作或可能燒壞模塊。 正高電氣以顧客為本，誠信服務為經營理念。青島MTDC200晶閘管智能模塊價格

    是一種具有三個PN結的功率型半導體器件。常見的晶閘管有塑封式、陶瓷封裝式、金屬殼封裝式和大功率螺栓式等形狀。晶體閘流管可分為：單向晶閘管、雙向晶閘管、可關斷晶閘管等多種。[12]晶體閘流管的文字符號為“VS”，圖形符號如圖示。晶閘管的主要參數有：額定通態平均電流、正反向阻斷峰值電壓、維持電流、控制極觸發電壓和電流等。使用時應注意不能超過其極限參數指標，并留有一定余量，以免造成器件損壞。[13]晶閘管具有三個電極。單向晶閘管的三個電極是：陽極A、陰極K、控制極G。雙向晶閘管的三個電極是：兩個主電極T1、T2以及控制極G。使用中應注意識別。[14]晶閘管具有可控的單向導電性，即不但具有一般二極管單向導電的整流作用，而且可以對導通電流進行控制。單向晶閘管是PNPN四層結構，形成三個PN結，具有三個外電極A、K和G，可等效為PNP、NPN兩晶體管組成的復合管，見圖14左邊。在A、K間加上正向電壓后，管子并不導通。此時在控制極G加上正電壓時，VT1、VT2相繼迅速導通，此時即使去掉控制極電壓，管子仍維持導通狀態。雙向晶閘管可以等效為兩個單向晶閘管反向并聯，見圖14右邊，雙向晶閘管可以控制雙向導通，因此除控制極G外的另兩個電極不再分陽極陰極。青島MTDC200晶閘管智能模塊價格正高電氣不斷從事技術革新，改進生產工藝，提高技術水平。

    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯電阻和電容在實際晶閘管(可控硅)電路中，常在其兩端并聯RC串聯網絡，該網絡常稱為RC阻容吸收電路。我們知道，晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數－斷態電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結溫和門極斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態轉入通態的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發生這種情況。因為晶閘管(可控硅)可以看作是由三個PN結組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態下，因各層相距很近，其J2結結面相當于一個電容C0。當晶閘管(可控硅)陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容C0，并通過J3結，這個電流起了門極觸發電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關斷時，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發信號的情況下，晶閘管(可控硅)誤導通現象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管(可控硅)上的陽極電壓上升率應有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管(可控硅)安全運行，常在晶閘管(可控硅)兩端并聯RC阻容吸收網絡。

    晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發出世界上晶閘管產品，并于1958年使其商業化；晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。晶閘管的種類晶閘管有多種分類方法。（一）按關斷、導通及控制方式分類晶閘管按其關斷、導通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導晶閘管、門極關斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種。（二）按引腳和極性分類晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。（三）按封裝形式分類晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中。正高電氣具備雄厚的實力和豐富的實踐經驗。

    額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值，考慮到電網電壓的波動以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降，因此，額定電壓的取值應適當提高。目前通常采用30[%]的余量計算。V1mA≥√2?U式中U――壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。壓敏電阻的數量：三相整流模塊和三相交流模塊均為三只、單相整流模塊和單相交流模塊均為一只。全部接在交流輸入端。3、過熱保護晶閘管在電流通過時，會產生一定的壓降，而壓降的存在則會產生一定的功耗，電流越大則功耗越大，產生的熱量也就越大。如果不把這些熱量快速散掉，會造成燒壞晶閘管芯片的問題。因此要求使用晶閘管模塊時，一定要安裝散熱器。散熱條件的好壞，是影響模塊能否安全工作的重要因素。良好的散熱條件不但能夠保證模塊可靠工作、防止模塊過熱燒毀，而且能夠提高模塊的電流輸出能力。建議用戶在使用大電流規格模塊的時候盡量選擇帶過熱保護功能的模塊。當然，即便模塊帶過熱保護功能，而散熱器和風機也是不可缺少的。在使用中，當散熱條件不符合規定要求時，如室溫超過40℃、強迫風冷的出口風速不足6m/s等，則模塊的額定電流應立即降低使用，否則模塊會由于芯片結溫超過允許值而損壞。譬如。正高電氣提供周到的解決方案，滿足客戶不同的服務需要。青島MTDC200晶閘管智能模塊價格

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    中頻電壓互感器過來的中頻電壓信號由CON2-1和CON2-2輸入后，分為兩路，一路由IC1A進行電平轉換后送到IC6的30P，另一路經D7-D10整流后，又分為兩路，一路送到電壓/電流調節器，另一路送到過電壓保護。由主回路交流互感器取得的電流信號，先在外部轉換成電壓信號，從CON2-3、CON2-4、CON2-5輸入，經二極管D11-D16整流后，再分為兩路，一路作為過流保護信號，另一路作為電壓/電流調節器的反饋信號。本電路逆變觸發部分，采用的是掃頻式零壓軟起動，只需取一路中頻電壓反饋信號，無需槽路中頻電容器上的電流信號，其本質上相當于它激轉自激電路，屬于平均值反饋電路。由于主回路上無需附加任何起動電路，不需要預充磁或預充電的起動過程，因此，主回路得以簡化，調試過程簡單。起動過程大致是這樣的，在逆變電路起動前，先以一個高于槽路諧振頻率的它激信號去觸發逆變晶閘管，當電路檢測到主回路開始有直流電流時，便控制它激信號的頻率從高向低掃描，同時加大主回路的直流電流，當它激信號頻率下降到接近槽路諧振頻率時，中頻電壓便建立起來，并反饋到自動調頻電路。自動調頻電路一旦投入工作，便停止它激信號的頻率往低掃描動作，轉由自動調頻電路控制逆變動引前角。青島MTDC200晶閘管智能模塊價格

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