氧化鉿為白色立方晶體，比重9.68。熔點2，758±25℃。沸點約5，400℃。單斜晶系的二氧化鉿在1，475～1，600℃足量氧氣氛中轉化為四方晶系。不溶于水和一般無機酸，但在氫氟酸中緩慢溶解。化學反應與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿Chemicalbook[Hf(SO4)2]，與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4)，與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6)，與碳在1，500℃以上作用形成碳化鉿HfC。制備氧化鉿可由鉿的碳化物、四氯化物、硫化物、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高溫灼燒制取。氧化鉿的英文名稱是什么？貴州氧化鉿分子量

氧化鉿化學性質熔點:2810°C密度:9.68g/mLat25°C(lit.)折射率:2.13(1700nm)形態:powder顏色:Off-white比重:9.68水溶解性:Insolubleinwater.Merck:14,45Chemicalbook88InChIKey:CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-NCAS數據庫:12055-23-1(CASDataBaseReference)EPA化學物質信息:Hafniumoxide(HfO2)(12055-23-1)安全信息安全說明:22-24/25WGKGermany:3TSCA:Yes海關編碼:28259085化學反應與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿[Hf(SO4)2]，與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(ChemicalbookHfCl4)，與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6)，與碳在1，500℃以上作用形成碳化鉿HfC。西隴氧化鉿分子量氧化鉿是什么形狀的？

產品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數的氧化物。作為一種介電材料，因其較高的介電常數值(~20)，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩定性，HfO2被認為是替代場效應晶體管中傳統SiO2介電層的理想材料。如果互補金屬氧化物半導體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統柵介質的技術會帶來芯片的發熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質要求必須越來越薄，但是漏電流的數值會因為量子效Chemicalbook應的影響隨著二氧化硅介質厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質來取代二氧化硅作為柵介質。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數的陶瓷材料，近來在工業界特別是微電子領域被引起極度的關注，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統SiO2/Si結構的發展的尺寸極限問題。用途為生產金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。

中文名稱:氧化鉿中文同義詞:氧化鉿(III);Hafnium(IV)鎜xide(99.998%-Hf)PURATREM;氧化鉿(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZR<1.5%;氧化鉿;氧化鉿,99.95%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.5%;氧化鉿,SPECTROGRAPHICGRADE,99.9%(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<50PPM;氧化鉿(IV),99.995%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.2%;氧化鉿,99.95%,(METALSChemicalbookBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY英文名稱:HAFNIUMOXIDE英文同義詞:HAFNIUMOXIDE,99.99%;HafniuM(IV)oxide,99.99%,(traceMetalbasis);dioxohafniuM;HafniuM(IV)oxide,(traceMetalbasis);Hafnium(IV)oxidepowder,98%;Hafniumoxide/99.999%;HAFNIUMOXIDE,99.8%;HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%氧化鉿的精確質量是多少？

應用領域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產物，目前只有美、法等國家在生產核級鋯時產生有氧化鉿。中國早期就已經具備生產核級Zr，并生產少量氧化鉿的能力。但是產品數量稀少，價格昂貴。作為鉿的主要化學產品，通常用作光學鍍膜材料，很少量開始試用于高效集成電路，氧化鉿在**領域的應用尚待開發。氧化鉿在光學鍍膜領域的應用HfO2的熔點比較高、同時鉿原子的吸收截面較大Chemicalbook，捕獲中子的能力強，化學性質特別穩定，因此在原子能工業中具有非常大應用的價值。自上世紀以來，光學鍍膜得到了很快的發展，HfO2在光學方面的特性已經越來越適應光學鍍膜技術的要求，所以HfO2在鍍膜領域的應用也越來越***，特別是它對光有比較寬的透明波段，在光透過氧化鉿薄膜時，對光的吸收少，大部分通過折射透過薄膜，因此HfO2在光學鍍膜領域的應用越來越被重視。生產方法當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經灼燒而得。氧化鉿的化學性質有哪些？青海氧化鉿供應商

氧化鉿的主要作用有哪些？貴州氧化鉿分子量

氧化鉿用途與合成方法物理性質氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末。純氧化鉿以三種形式存在，一種是無定型狀態，另外兩種為晶體。在＜400℃煅燒氫氧化鉿、氧氯化鉿等不穩定的化合物時，可以得到無定型氧化鉿。將其氧化鉿繼續加熱至450~480℃，開始轉化為單斜晶體，繼續加熱至1000~1650℃發生晶格常數逐步增加的趨勢，并轉化為4個氧化鉿分子的單體。當1700~Chemicalbook1865℃時開始轉化為四方晶系。向氧化鉿中添加少量氧化鎂、氧化鈣、氧化錳等氧化鉿，在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶體。如向氧化鉿中加8%~20%氧化鈣，則晶格常數α相應從0.5082nm增加至0.5098nm。若添加的量達到形成CaHfO3時，則晶體結構轉化為菱形晶系。單斜晶體氧化鉿的密度為9.68g/cm3，熔點3031K，沸點5673K。氧化鉿結構1貴州氧化鉿分子量