氧化鉿用途與合成方法物理性質氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末。純氧化鉿以三種形式存在，一種是無定型狀態，另外兩種為晶體。在＜400℃煅燒氫氧化鉿、氧氯化鉿等不穩定的化合物時，可以得到無定型氧化鉿。將其氧化鉿繼續加熱至450~480℃，開始轉化為單斜晶體，繼續加熱至1000~1650℃發生晶格常數逐步增加的趨勢，并轉化為4個氧化鉿分子的單體。當1700~Chemicalbook1865℃時開始轉化為四方晶系。向氧化鉿中添加少量氧化鎂、氧化鈣、氧化錳等氧化鉿，在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶體。如向氧化鉿中加8%~20%氧化鈣，則晶格常數α相應從0.5082nm增加至0.5098nm。若添加的量達到形成CaHfO3時，則晶體結構轉化為菱形晶系。單斜晶體氧化鉿的密度為9.68g/cm3，熔點3031K，沸點5673K。氧化鉿的生態學資料？吉林氧化鉿的價格

文名稱:氧化鉿中文同義詞:氧化鉿(III);Hafnium(IV)鎜xide(99.998%-Hf)PURATREM;氧化鉿(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZR<1.5%;氧化鉿;氧化鉿,99.95%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.5%;氧化鉿,SPECTROGRAPHICGRADE,99.9%(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<50PPM;氧化鉿(IV),99.995%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.2%;氧化鉿,99.95%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICChemicalbookALLY英文名稱:HAFNIUMOXIDE英文同義詞:HAFNIUMOXIDE,99.99%;HafniuM(IV)oxide,99.99%,(traceMetalbasis);dioxohafniuM;HafniuM(IV)oxide,(traceMetalbasis);Hafnium(IV)oxidepowder,98%;Hafniumoxide/99.999%;HAFNIUMOXIDE,99.8%;HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%CAS號:12055-23-1分子式:HfO2分子量:210.49EINECS號:235-013-2氧化鉿純度氧化鉿的穩定性和反應活性？

氧化鉿物理化學性質密度9.68熔點2812oC分子式HfO2分子量210.48900精確質量211.93600PSA34.14000外觀性狀粉末折射率2.13(1700nm)儲存條件常溫密閉，陰涼通風干燥穩定性常溫常壓下穩定避免的物料酸計算化學1、氫鍵供體數量：12、氫鍵受體數量：23、可旋轉化學鍵數量：04、拓撲分子極性表面積（TPSA）：34.15、重原子數量：36、表面電荷：07、復雜度：18.38、同位素原子數量：09、確定原子立構中心數量：010、不確定原子立構中心數量：011、確定化學鍵立構中心數量：012、不確定化學鍵立構中心數量：013、共價鍵單元數量：1。

性質白色粉末，有單斜、四方和立方三種晶體結構。密度分別為10.3，10.1和10.43g/cm3。熔點2780~2920K。沸點5400K。熱膨脹系數5.8×10-6/℃。不溶于水、鹽酸和硝酸，可溶于濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。

應用二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數的陶瓷材料，近來在工業界特別是微電子領域被引起極度的關注，由于它**可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?)，以解決目前MOSFET中傳統SiO?/Si結構的發展的尺寸極限問題。 氧化鉿的 氫鍵受體數量？

應用領域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產物，目前只有美、法等國家在生產核級鋯時產生有氧化鉿。中國早期就已經具備生產核級Zr，并生產少量氧化鉿的能力。但是產品數量稀少，價格昂貴。作為鉿的主要化學產品，通常用作光學鍍膜材料，很少量開始試用于高效集成電路，氧化鉿在**領域的應用尚待開發。氧化鉿在光學鍍膜領域的應用HfO2的熔點比較高、同時鉿原子的吸收截面較大Chemicalbook，捕獲中子的能力強，化學性質特別穩定，因此在原子能工業中具有非常大應用的價值。自上世紀以來，光學鍍膜得到了很快的發展，HfO2在光學方面的特性已經越來越適應光學鍍膜技術的要求，所以HfO2在鍍膜領域的應用也越來越***，特別是它對光有比較寬的透明波段，在光透過氧化鉿薄膜時，對光的吸收少，大部分通過折射透過薄膜，因此HfO2在光學鍍膜領域的應用越來越被重視。生產方法當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經灼燒而得。氧化鉿的危險性概述？湖北氧化鉿批發

氧化鉿的折射率是多少？吉林氧化鉿的價格

應用領域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產物，目前只有美、法等國家在生產核級鋯時產生有氧化鉿。中國早期就已經具備生產核級Zr，并生產少量氧化鉿的能力。但是產品數量稀少，價格昂貴。作為鉿的主要化學產品，通常用作光學鍍膜材料，很少量開始試用于高效集成電路，氧化鉿在**領域的應用尚待開發。氧化鉿在光學鍍膜領域的應用HfO2的熔點比較高、同時鉿原子的吸收截面較大Chemicalbook，捕獲中子的能力強，化學性質特別穩定，因此在原子能工業中具有非常大應用的價值。自上世紀以來，光學鍍膜得到了很快的發展，HfO2在光學方面的特性已經越來越適應光學鍍膜技術的要求，所以HfO2在鍍膜領域的應用也越來越***，特別是它對光有比較寬的透明波段，在光透過氧化鉿薄膜時，對光的吸收少，大部分通過折射透過薄膜，因此HfO2在光學鍍膜領域的應用越來越被重視。產品特性與用途吉林氧化鉿的價格