PWM波可以由DSP芯片內(nèi)部的事件管理器EVA或EVB產(chǎn)生，在DSP內(nèi)部，事件管理器EVA和EVB是完全相同的兩個(gè)模塊。它們都有3個(gè)比較單元，每一個(gè)比較單元都可以產(chǎn)生一對(duì)互補(bǔ)的PWM波，一共可以提供6路PWM波。在此選用其中的4路來驅(qū)動(dòng)逆變橋上的開關(guān)管。4路PWM波中選用一路作為基準(zhǔn)，將比較寄存器設(shè)置為增減模式，在下溢中斷和周期中斷的時(shí)候分別重置比較寄存器的值，并且所重置的這兩個(gè)數(shù)值之和為比較寄存器的周期值。設(shè)置好PWM波輸出的其他必須配置就可以產(chǎn)生一對(duì)互補(bǔ)的PWM波作為超前橋臂上的驅(qū)動(dòng)。下面主要問題是如何產(chǎn)生另一對(duì)具有相位差的互補(bǔ)的PWM波?；趯?duì)DSP的研究，在此采用全比較單元的直接移相脈沖生產(chǎn)方法。通常，在串聯(lián)電路中，高阻抗的元件上會(huì)產(chǎn)生高電壓。寧波高精度電壓傳感器生產(chǎn)廠家

對(duì)于前端儲(chǔ)能電容還需要考慮的參數(shù)是其耐壓值，直流母線上電壓峰值為373v，留一定裕量，可以選擇耐壓值為500v的電解電容作為儲(chǔ)能電容。在電力電子變換和控制電路中，都是以各種電力半導(dǎo)體器件為基礎(chǔ)的。我們?cè)谠O(shè)計(jì)電路時(shí)，也有很多可供選擇的電力半導(dǎo)體器件，BJT、MOSFET、GTO、GTR、IGBT等。但是每種元件都有其自身特點(diǎn)以及**適合應(yīng)用場(chǎng)合。例如MOSFET開關(guān)頻率高，動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度快，但其電流容量相對(duì)小，耐壓能力低，適用于低功率、高頻的場(chǎng)合[13][14]。門級(jí)可關(guān)斷晶閘管具有自關(guān)斷能力、電流容量大、耐壓能力好，適用于大功率逆變場(chǎng)合。IGBT的性能相對(duì)來說是介于兩者之間，有較高的工作頻率（20K以上），有較大的電流容量和較好的耐壓能力。在本實(shí)驗(yàn)中，裝置的功率在10kW以下，頻率在20K以下可以滿足要求，故而綜合考慮選用全控、壓控型器件IGBT作為開關(guān)管。寧波高精度電壓傳感器生產(chǎn)廠家差和高的耐壓值，另外，高壓側(cè)與低壓側(cè)沒有隔離，存在安全隱患；

儲(chǔ)能電容的計(jì)算：1）根據(jù)工程經(jīng)驗(yàn)估算：根據(jù)工程實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，裝置的功率與前端儲(chǔ)能電容有對(duì)應(yīng)的關(guān)系。整個(gè)裝置的功率P=UI=2060=1.2Kw，每瓦對(duì)應(yīng)儲(chǔ)能電容容量1μF，則可選用電容至少1200μF。2）根據(jù)能量關(guān)系式計(jì)算：儲(chǔ)能電容為后續(xù)的DC/DC變換提供直流電壓，其本身的電壓波動(dòng)反應(yīng)在電容上可以認(rèn)為是電容器電能的補(bǔ)充和釋放過程。要保持電容器端電壓不變，每個(gè)周期中儲(chǔ)能電容器對(duì)電路提供的能量和其本身充電所得的能量相等。儲(chǔ)能電容在整流橋輸出端，同時(shí)也須承擔(dān)濾波的任務(wù)。為了保證對(duì)整個(gè)裝置提供足夠的能量，我們所選用的儲(chǔ)能電容最小值為1200UF。

本項(xiàng)目逆變橋臂上有4個(gè)開關(guān)管，對(duì)應(yīng)需要四個(gè)**的驅(qū)動(dòng)電路?？蛇x用的驅(qū)動(dòng)電路有很多種，以驅(qū)動(dòng)電路和IGBT的連接方式可以將驅(qū)動(dòng)電路分為直接驅(qū)動(dòng)、隔離驅(qū)動(dòng)和集成化驅(qū)動(dòng)。在此我們采用集成化驅(qū)動(dòng)，因?yàn)橄鄬?duì)于分立元件構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路，集成化驅(qū)動(dòng)電路集成度更高、速度快、抗干擾強(qiáng)、有保護(hù)功能模塊，并且也減小了設(shè)計(jì)的難度[25]。**終選用集成驅(qū)動(dòng)電路M57962，如圖4-3和4-4所示為M57962L驅(qū)動(dòng)電路和驅(qū)動(dòng)信號(hào)放大效果圖。M57962 是 N 溝道大功率 IGBT 驅(qū)動(dòng)電路，可以驅(qū)動(dòng) 1200V/400A 大功率 IGBT， 采用快速型光耦合器實(shí)現(xiàn)電氣隔離，輸入輸出隔離電壓高達(dá) 2500V。其原理與變壓器類似，實(shí)現(xiàn)了對(duì)原邊電壓的隔離測(cè)量。

為移相全橋逆變部分的 Simulink 仿真電路。負(fù)載等效至原邊用等值電阻代替，仿真主要調(diào)節(jié)諧振電容和諧振電感的參數(shù)，以滿足所有開關(guān)管的零開通和軟關(guān)斷。依次為開關(guān)管驅(qū)動(dòng)波形、橋臂上電壓波形和橋臂上電流波形。其中驅(qū)動(dòng)波形中從低到高分別為開關(guān)管1、2、3、4的驅(qū)動(dòng)波形（四個(gè)驅(qū)動(dòng)的幅值有差別只為了便于分辨，實(shí)際驅(qū)動(dòng)效果是相同的）。同一橋臂上兩開關(guān)管驅(qū)動(dòng)有4μS的死區(qū)時(shí)間，滯后橋臂相對(duì)于超前橋臂的滯后時(shí)間為12.5μS。橋臂上是串聯(lián)的3a電阻和100μH電感，如果不存在移相，則橋臂上的電壓應(yīng)該是*有死區(qū)時(shí)間是0。由于移相角的存在，電壓占空比進(jìn)一步減小，減小的程度對(duì)應(yīng)是移相角的大小。傳感器的輸出電壓可以表示為這種電路的缺點(diǎn)是。寧波高精度電壓傳感器生產(chǎn)廠家

其大致原理是原邊電壓通過外置或內(nèi)置電阻。寧波高精度電壓傳感器生產(chǎn)廠家

磁現(xiàn)象是物理界中**為基本的現(xiàn)象之一，人們發(fā)現(xiàn)，在磁場(chǎng)中，原子、分子的電子態(tài)能量和磁矩都發(fā)生了變化，于是在科學(xué)研究中，很多的實(shí)驗(yàn)都將磁場(chǎng)環(huán)境作為實(shí)驗(yàn)的研究背景，磁場(chǎng)也成為了許多科學(xué)研究的基本工具。在以強(qiáng)磁場(chǎng)為實(shí)驗(yàn)環(huán)境的研究領(lǐng)域，人們已經(jīng)取得了眾多重大的科研成果，強(qiáng)磁場(chǎng)在現(xiàn)代科學(xué)研究中占有越來越重要的位置。作為一種極端的科學(xué)研究條件，強(qiáng)磁場(chǎng)在高溫超導(dǎo)體、材料學(xué)、原子分子研究、化學(xué)以及生命科學(xué)等領(lǐng)域的研究都提供了極端的研究環(huán)境。除了科學(xué)研究領(lǐng)域，強(qiáng)磁場(chǎng)在工業(yè)工程領(lǐng)域也發(fā)揮著重要作用。因此對(duì)強(qiáng)磁場(chǎng)的研究無論是對(duì)于我們探索自然奧秘，還是促進(jìn)人類文明進(jìn)步都有極其重要的意義。寧波高精度電壓傳感器生產(chǎn)廠家