每個亞波長結構具有大約λ/2的厚度，其中，λ是該vcsel結構的峰值輸出波長。示例30包括示例23至29中任一項的主題，還包括在襯底的表面上的多個vcsel結構，其中，多個vcsel結構中的每個vcsel結構包括多個亞波長結構。示例31包括示例23至30中任一項的主題，其中，多個亞波長結構包括具有基部和頂部的至少一個亞波長結構，其中，基部比頂部寬。示例32包括示例23至31中任一項的主題，其中，多個亞波長結構包括具有基部和頂部的至少一個亞波長結構，其中，基部比頂部窄。示例33是一種布置在光學設備上的亞波長結構。該亞波長結構包括芯材和在芯材的一個或多個表面上的殼材。芯材具有***折射率并且具有比光源的峰值輸出波長小的尺寸。殼材具有大于***折射率的第二折射率。示例34包括示例33的主題，其中，芯材是圓柱狀結構。示例35包括示例34的主題，其中，芯材和殼材具有在λ/10到λ/5之間的直徑，其中，λ是光源的峰值輸出波長。示例36包括示例33至35中任一項的主題，其中，殼材具有小于5nm的厚度。示例37包括示例33至36中任一項的主題，其中，殼材包括氧化鈦，并且芯材包括氮化硅。示例38包括示例33至37中任一項的主題，其中，殼材*在芯材的側壁上。菲涅爾透鏡的設計技術指導。浙江紅外透鏡生產企業

人們初次使用菲涅爾透鏡是在18世紀初，當時它被用在燈塔的探照燈上，聚焦射出來的光束。當人們需要一面又薄又輕的透鏡時，塑料菲涅爾透鏡便派上了用場。盡管成像質量不如玻璃透鏡，但是在很多應用中我們并不需要完美的圖像質量。菲涅爾透鏡的原理基于菲涅爾波帶片，菲涅爾波帶片具有類似透鏡的作用，它可以使入射光匯聚起來，產生極大的光強。菲涅爾透鏡的分類：a)正菲涅爾透鏡：光線從一側進入，經過菲涅爾透鏡在另一側出來聚焦成一點或以平行光射出。焦點在光線的另一側，并且是有限共軛。這類透鏡通常設計為準直鏡（如投影用菲涅爾透鏡，放大鏡）以及聚光鏡（如太陽能用聚光聚熱用菲涅爾透鏡。b)負菲涅爾透鏡：和正焦菲涅爾透鏡剛好相反。湖南微型紅外透鏡材料菲涅爾透鏡圖材料模板有哪些？

集成電路(ic)、**集成電路(asic)、片上系統(soc)、桌面型計算機、膝上型計算機、平板計算機、服務器、智能電話等。其他實施例可以被實現為由可編程控制設備執行的軟件。如本文描述的，各種實施例可以使用硬件元件、軟件元件、或它們的任意組合實現。硬件元件的示例可以包括處理器、微處理器、電路、電路元件(例如，晶體管、電阻器、電容器、電感器等)、集成電路、**集成電路(asic)、可編程邏輯器件(pld)、數字信號處理器(dsp)、現場可編程門陣列(fpga)、邏輯門、寄存器、半導體器件、芯片、微芯片、芯片集等。本文提出了很多具體細節，以提供對實施例的透徹理解。但是，將明白的是，可以在沒有這些具體細節的條件下實施實施例。另外，盡管以特定于結構特征和/或方法動作的語言描述了主題，但是將理解的是，所附權利要求中限定的主題不一定局限于本文描述的具體特征或動作。相反，本文描述的具體特征和動作被作為實現權利要求的示例形式公開。另外的示例實施例下面的示例涉及另外的實施例，根據這些實施例多種排列和配置將是明顯的。示例1是一種激光源。該激光源包括襯底、一個或多個***vscel結構、以及一個或多個第二vcsel結構。一個或多個***vcsel結構在襯底的表面上。

圖3示出了根據實施例的光源202或者光源202的至少一部分的自頂向下的視圖。光源202包括襯底302，該襯底具有布置在襯底302的表面上的多個vcsel結構304。在一些實施例中，襯底302可以是：包括第iv族半導體材料(例如，si、ge、sige)、第iii-v族半導體材料(例如，gaas、gaassb、gaasin)、和/或根據本公開將明白的任何一種或多種其他適當材料的大塊襯底；絕緣體上的x(xoi)結構，其中，x是前述材料(例如，第iv和/或iii-v族半導體材料)之一，絕緣體材料是氧化物材料或介電材料或者一些其他電絕緣材料，從而xoi結構包括兩個半導體層之間的電絕緣材料層；或者一些其他適當的多層結構，其中，頂層包括前述半導體材料(例如，第iv和/或iii-v族半導體材料)之一。這里使用的“第iv族半導體材料”(或“第iv族材料”或統稱“iv”)在包括至少一種第iv族元素(例如，硅、鍺、碳、錫)，例如，硅(si)、鍺(ge)、硅鍺(sige)等。這里使用的“第iii-v族半導體材料”(或“第iii-v族材料”或統稱“ii-v”)包括至少一種第iii族元素(例如，鋁、鎵、銦)和至少一種第v族元素(例如，氮、磷、砷、銻、鉍)，例如，砷化鎵(gaas)、砷化鎵銦(ingaas)、砷化鋁銦(inalas)、磷化鎵(gap)、銻化鎵(gasb)、磷化銦。負菲涅爾透鏡生產廠家電話多少？

一個或多個***vcsel和一個或多個第二vcsel被配置為發射紅外輻射。示例14包括示例10至13中任一項的主題，其中，一個或多個***vcsel中的每個***vcsel被配置為發射具有兩個或更多個橫向模式的輻射。示例15包括示例14的主題，其中，一個或多個第二vcsel中的每個第二vcsel被配置為發射具有單個橫向模式的輻射。示例16包括示例10至15中任一項的主題，其中，激光源還包括在襯底的表面上的一個或多個第三垂直腔面發射激光器(vcsel)結構，每個第三vcsel結構具有不同于***孔徑寬度和第二孔徑寬度的第三孔徑寬度并且單獨地在襯底的表面上方延伸。示例17包括一種降低來自激光源的斑點噪聲的方法。該方法包括：從布置在襯底上的一個或多個***vcsel結構發射具有***波長的輻射；以及從布置在襯底上的一個或多個第二vcsel結構發射具有第二波長的輻射，其中，第二波長不同于***波長。具有***波長的輻射包括***數目的橫向模式，具有第二波長的輻射包括第二數目的橫向模式，第二數目的橫向模式不同于***數目的橫向模式。示例18包括示例17的主題，其中，發射具有***波長的輻射包括發射紅外輻射，并且其中，發射具有第二波長的輻射包括發射紅外輻射。示例19包括示例17或18的主題，其中。菲涅爾透鏡放大鏡價格實惠。廣東人體紅外透鏡生產企業

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殼材806可以具有小于10nm、小于5nm、小于1nm的厚度或單層原子。圖9a至9c示出了根據一些實施例的圖案化在vcsel結構的頂層802上的元原子的不同示例。圖9a示出了***元結構902，其中，殼材806圍繞用于每個元原子的芯材804，但是不覆蓋頂層802在每個元原子之間的區域。在蝕刻工藝期間，使用例如光刻膠或硬掩模來保護殼材806的圍繞芯材804的部分，以移除殼材806在頂層802的表面上的暴露部分。圖9b示出了第二元結構904，其中，殼材906共形地覆蓋包括芯材804的所有表面和頂層802的表面。圖9c示出了第三元結構906，其中，殼材806*覆蓋芯材804的一個或多個側壁。在沉積殼材806后，可以執行包層各向異性干法蝕刻工藝，以移除殼材806的所有水平平面部分，*留下芯材804的側壁上的那些部分。圖10示出了根據實施例的包括不止一種類型的元原子的元結構1000(這里稱為“元分子(metamolecule)”)的另一示例。根據實施例，***元原子1002包括具有基部1006和頂部1008的芯材。基部1006可以比頂部1008更寬或更窄。第二元原子1004包括芯材1010，并且***元原子1002和第二元原子1004二者被殼材1012環繞。浙江紅外透鏡生產企業

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