用于***元原子1002和第二元原子1004二者的芯材和殼材可以包括如上針對芯材804和殼材806所述的材料，并且可以使用如上針對芯材804和殼材806所述的相同技術來制造。可以使用任意數目的具有任意形狀或大小的元原子來一起形成元分子。可以橫跨頂層802的表面重復具體的元分子結構，或者可以橫跨頂層802的表面布置不同的元分子結構。元分子允許不同的光學相互作用基于各個元原子的不同幾何形狀而組合在一起。方法圖11是示出根據本公開的實施例的用于降低來自激光源的斑點噪聲的示例方法1100的流程圖。可以看出，示例方法1100包括多個階段和子處理，這些階段和子處理的順序可以隨實施例改變。但是，當綜合考慮時，這些階段和子處理形成根據本文公開的某些實施例的用于降低來自激光源的斑點噪聲的處理。如上所述，可以例如，使用圖2所示的系統架構來實現這些實施例。但是，根據本公開將明白的是，在其他實施例中可以使用其他系統架構。因此，圖11所示的各種功能與圖2所示的具體組件的關聯不意在暗示任何結構和/或使用限制。相反，其他實施例可以包括例如不同程度的集成，其中，多個功能由一個系統有效地執行。根據本公開將明白多種變化和替代配置。如圖11所示，在一個實施例中。菲涅爾透鏡購買批量定制。汕頭菲涅爾透鏡的設計

b)為高斯聲波經過聚焦透鏡的聲壓場測試結果，(c)為高斯聲波經過發散透鏡的聲壓場測試結果，(d)為高斯聲波經過偏折透鏡的聲壓場測試結果，(e)為高斯聲波經過高透射透鏡的聲壓場測試結果；圖9是本實用新型實施例中旋轉可調的多功能二維聲學超材料透鏡在4000hz下的實驗結果，(a)為高斯聲波在空氣中的聲壓場測試結果，(b)為高斯聲波經過聚焦透鏡的聲壓場測試結果，(c)為高斯聲波經過發散透鏡的聲壓場測試結果，(d)為高斯聲波經過偏折透鏡的聲壓場測試結果，(e)為高斯聲波經過高透射透鏡的聲壓場測試結果；圖10是本實用新型實施例中旋轉可調的多功能二維聲學超材料透鏡在9000hz下的實驗結果，(a)為高斯聲波在空氣中的聲壓場測試結果，(b)為高斯聲波經過聚焦透鏡的聲壓場測試結果，(c)為高斯聲波經過發散透鏡的聲壓場測試結果，(d)為高斯聲波經過偏折透鏡的聲壓場測試結果，(e)為高斯聲波經過高透射透鏡的聲壓場測試結果。具體實施方式下面結合實施例和說明書附圖對本實用新型作進一步的說明。以下實施例*是本實用新型的推薦實施方式，應當指出：對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以做出若干改進和等同替換。汕頭菲涅爾透鏡 燈塔菲涅爾透鏡玻璃包括哪些構件？

深度確定電路208被配置為從檢測器206接收圖像獲取數據，并且基于參考平面確定橫跨物體表面上的多個點的一個或多個空間測量結果。可以基于投射到物體上的光圖案的扭曲計算得出這些測量結果。這種圖像處理可以使用本行業的公知技術，例如，標準測距或三角測量方法。在一些實施例中，光驅動器電路210被包括在光投影儀系統102中并且被配置為控制光源202的操作。因此，光驅動器電路210可以被配置為向光源202提供功率，更具體地控制應用于光源202的功率的占空比。在一些實施例中，深度確定電路208可以向源驅動器電路210提供信號，以改變光源202的操作方式。例如，如果深度確定電路208發現接收圖像太模糊而無法做出有意義的確定，則其可以向源驅動器電路210提供信號以增大光源202的功率輸出或占空比。可以提供處理器212以執行數字重建3d物體所需要的任何附加計算。處理器212可以是任何通用處理設備或微控制器，如根據本公開將明白的。在一些實施例中，處理器212被配置為將數字重建的3d物體存儲在存儲器(未示出)中。所存儲的數字3d物體可以用類型、位置、尺寸、或任何其他符合條件的因素進行索引。所存儲的3d數字物體可以被諸如圖像識別軟件之類的各種應用使用。

示例39包括示例33至38中任一項的主題，其中，芯材和殼材具有大約λ/2的厚度，其中，λ是光源的峰值輸出波長。示例40包括示例33至39中任一項的主題，其中，殼材包括硅。示例41包括示例33至40中任一項的主題，其中，芯材具有基部和頂部，并且基部比頂部寬。示例42包括示例33至40中任一項的主題，其中，芯材具有基部和頂部，并且基部比頂部窄。本文采用的術語和表述被用作描述性術語而非限制性術語，并且使用這些術語和表述不意在排除所示出和描述的特征(或其部分)的任意等同，并且應認識到在權利要求范圍內的各種修改是可能的。因此，權利要求用于覆蓋所有這些等同。本文已經描述了各種特征、方面、和實施例。根據本公開將理解的是，這些特征、方面、和實施例易于相互組合以及做出變形和修改。因此，應該認為本公開涵蓋這些組合、變形、和修改。期望本公開的范圍不受限于具體實施方式，而是由所附權利要求來限定。要求本申請的優先權的未來遞交的申請可以通過不同方式請求保護保護所公開的主題，并且一般可以包括這里的各種公開或者以其他方式表達的一個或多個元素的任意**。菲涅爾透鏡組生產廠家電話多少？

并且每個第二vcsel結構單獨地在襯底的表面上方延伸。本申請另一方面提供了一種激光源。該激光源包括：襯底；vcsel結構，vcsel結構在襯底的表面上并且在襯底的表面上方延伸，vcsel結構具有頂層；以及多個亞波長結構，多個亞波長結構在vcsel結構的頂層上，其中，多個亞波長結構中的一個或多個亞波長結構包括芯材和殼材，殼材在芯材的一個或多個表面。附圖說明參考附圖，隨著下面的詳細描述的繼續，請求保護的主題的實施例的特征和優點將變得明顯，在附圖中：圖1示出了根據本公開的實施例配置的光投影儀系統。圖2提供了根據本公開的實施例配置的光投影儀系統的更詳細的圖示。圖3示出了根據本公開的實施例的用在光投影儀系統中的光源的自頂向下的視圖。圖4示出了根據本公開的實施例的用在光投影儀系統中的光源的側視圖。圖5提供了根據本公開的實施例的具有不同孔徑寬度的設備的示例激光光譜。圖6示出了根據本公開的實施例的用在光投影儀系統中的光源的自頂向下的視圖。圖7示出了根據本公開的實施例的具有亞波長結構的光源的一部分的側視圖。圖8示出了根據本公開的實施例的亞波長結構的更詳細的視圖。圖9a至9c示出了根據本公開的實施例的示例亞波長結構。菲涅爾透鏡實驗注意事項。珠海菲涅爾透鏡投影儀

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因此使用詞語“頂”并不將該層限制到任何具體的空間或幾何關系。本文描述的任意vcsel結構可以包括用于操控光輸出的一個或多個元原子800。應該理解的是，為了清楚起見*示出了單個元原子，但是任意數目的元原子可以被圖案化在頂層802上。盡管在本實施例中示出了圓柱形狀，但是任意形狀可以用于元原子800。元原子800可以具有基于來自vcsel的發射光的峰值波長的直徑。例如，元原子800可以具有范圍在λ/10到λ/5之間的總直徑。類似地，元原子800的總厚度取決于來自vcsel的發射光的峰值波長。例如，元原子800可以具有大約λ/2的厚度。芯材804可以是具有相對較低的折射率但是高沉積速率的材料，因此提高了制造元原子800時的吞吐量。例如，芯材804可以是氮化硅(si3n4)，并且可以使用化學氣相沉積(cvd)或物***相沉積(pvd)技術沉積。隨后可以使用標準等離子體蝕刻工藝對所沉積的氮化硅層進行蝕刻，以形成每個元原子800的芯材804。殼材806可以是具有相對較高的折射率(或者至少比芯材804的折射率高)的材料。例如，諸如氧化鈦(tio2)或硅之類的材料可被用于殼材806，并且可以通過使用原子層沉積(ald)技術來非常薄地沉積。ald允許殼材806以非常薄的厚度共形地覆蓋芯材804的外表面上。例如。汕頭菲涅爾透鏡的設計

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