SiC有多種同質多型體，不同的同質多型體有不同的應用范圍。典型的有3C-SiC、4H-SiC和6H-SiC，它們各有不同的應用范圍。其中，3C-SiC是***具有閃鋅礦結構的同質多型體，其電子遷移率比較高，再加上有高熱導率和高臨界擊穿電場，非常適合于制造高溫大功率的高速器件；6H-SiC具有寬的帶隙，在高溫電子、光電子和抗輻射電子等方面有使用價值，使用6H-SiC制造的高頻大功率器件，工作溫度高，功率密度有極大的提升；而4H-SiC具有比6H-SiC更寬的帶隙和較高的電子遷移率，是大功率器件材料的比較好選擇。由于SiC器件在**和民用領域不可替代的地位，世界上很多國家對SiC半導體材料和器件的研究都很重視。美國的**寬禁帶半導體計劃、歐洲的ESCAPEE計劃和日本的國家硬電子計劃等，紛紛對SiC半導體材料晶體制備和外延及器件投入巨資進行研究。 哪家公司的碳化硅襯底的有售后？深圳碳化硅襯底進口4寸n型

    碳化硅（SiC）是第三代化合物半導體材料。半導體產業的基石是芯片，制作芯片的材料按照歷史進程分為：代半導體材料（大部分為目前使用的高純度硅），第二代化合物半導體材料（砷化鎵、磷化銦），第三代化合物半導體材料（碳化硅、氮化鎵）。碳化硅因其優越的物理性能：高禁帶寬度（對應高擊穿電場和高功率密度）、高電導率、高熱導率，將是未來被使用的制作半導體芯片的基礎材料。從產業格局看，目前全球SiC產業格局呈現美國、歐洲、日本三足鼎立態勢。其中美國全球獨大，占有全球SiC產量的70%~80%，碳化硅晶圓市場CREE一家市占率高達6成之多；歐洲擁有完整的SiC襯底、外延、器件以及應用產業鏈，在全球電力電子市場擁有強大的話語權；日本是設備和模塊開發方面的者。 深圳4寸sic碳化硅襯底質量比較好的碳化硅襯底的公司。

    碳化硅襯備技術包括PVT法（物相傳輸法）、溶液法和HTCVD法（高溫氣相化學沉積法）等，目前國際上基本采用PVT法制備碳化硅單晶。SiC單晶生長經歷3個階段，分別是Acheson法、Lely法、改良Lely法。利用SiC高溫升華分解特性，可采用升華法即Lely法來生長SiC晶體，它是把SiC粉料放在石墨坩堝和多孔石墨管之間，在惰性氣體（氬氣）環境溫度為2500℃的條件下進行升華生長，可以生成片狀SiC晶體。但Lely法為自發成核生長方法，較難控制所生長SiC晶體的晶型，且得到的晶體尺寸很小，后來又出現了改良的Lely法，即PVT法（物相傳輸法），其優點在于：采用SiC籽晶控制所生長晶體的晶型，克服了Lely法自發成核生長的缺點，可得到單一晶型的SiC單晶，且可生長較大尺寸的SiC單晶。

SiC晶體的獲得早是用AchesonZ工藝將石英砂與C混合放入管式爐中2600℃反應生成，這種方法只能得到尺寸很小的多晶SiC。至1955年，Lely用無籽晶升華法生長出了針狀3C-SiC孿晶，由此奠定了SiC的發展基礎。20世紀80年代初Tairov等采用改進的升華工藝生長出SiC晶體，SiC作為一種實用半導體開始引起人們的研究興趣，國際上一些先進國家和研究機構都投入巨資進行SiC研究。20世紀90年代初，Cree Research Inc用改進的Lely法生長6H-SiC晶片并實現商品化，并于1994年制備出4H-SiC晶片。這一突破性進展立即掀起了SiC晶體及相關技術研究的熱潮。目前實現商業化的SiC晶片只有4H-和6H-型，且均采用PVD技術，以美國CreeResearch Inc為**。采用此法已逐步提高SiC晶體的質量和直徑達7.5cm，目前晶圓直徑已超過10cm，比較大有用面積達到40mm2，微導管密度已下降到小于0.1/cm2。哪家的碳化硅襯底的價格優惠？

    降低碳化硅襯底的成本的三個方法：1）做大尺寸：襯底的尺寸越大，邊緣的浪費就越小，有利于進一步降低芯片的成本。6英寸襯底面積為4英寸襯底的，相同的晶體制備時間內襯底面積的倍數提升帶來襯底成本的大幅降低，與此同時，單片襯底上制備的芯片數量隨著襯底尺寸增大而增多，單位芯片的成本也即隨之降低。2）提高材料使用效率：由于技術限制，長晶時間很難縮短，而單位時間內長晶越厚成本越低，因此可以設法增加晶錠厚度；另一方面，目前的切割工藝很容易造成浪費，可以通過激光切割或其他技術手段減少切割損耗。3）提高良率：以山東天岳為例，碳化硅襯底產品良率逐年提升，綜合良率由30%提升至38%，國內廠商良率情況普遍在40%左右，若能提升至60%-70%，碳化硅襯底生產成本將得到進一步下降。 質量好的碳化硅襯底的公司聯系方式。廣東進口6寸半絕緣碳化硅襯底

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碳化硅半導體廣泛應用于制造領域！眾所周知，碳化硅半導體功率器件可以應用在新能源領域。“現在我們新能源汽車所用的電可能還有煤電，未來光伏發電就會占有更多比重，甚至全部使用光伏發電。”中科院院士歐陽明高曾在一次討論會上這樣說過，光伏需要新能源汽車來消費儲能，而新能源汽車也需要完全的可再生能源。下一步兩者的結合將形成新的增長點。在歐陽院士提到的三種主要應用“光伏逆變器+儲能裝置+新能源汽車”中，碳化硅（SiC）MOSFET功率器件都是不可或缺的重要半導體器件。深圳碳化硅襯底進口4寸n型

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