設備制造商之間的一場大戰正在牽引逆變器領域展開，尤其是純電池電動汽車。一般來說，混合動力車正朝著48伏電池的方向發展。對于動力發明家來說，SiC對于混合動力車來說通常太貴了，盡管有例外。與混合動力一樣，純電池電動汽車由牽引逆變器組成。高壓母線將逆變器連接到蓄電池和電機。電池為汽車提供能量。驅動車輛的電機有三個接頭或電線。這三個連接延伸至牽引逆變器，然后連接至逆變器模塊內的六個開關。每個開關實際上都是一個功率半導體，在系統中用作電開關。對于開關，現有的技術是IGBT。因此，牽引逆變器可能由六個額定電壓為1200伏的IGBT組成。碳化硅作為新興的戰略先導產業，它是發展第3代半導體產業的關鍵基礎材料。北京進口4寸碳化硅襯底

碳化硅襯底主要有導電型及半絕緣型兩種。其中，在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅外延片，可進一步制成碳化硅功率器件，應用于新能源汽車、光伏發電、軌道交通、智能電網、航空航天等領域；在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層可以制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進一步制成微波射頻器件，應用于5G通訊、雷達等領域。中國碳化硅襯底領域的研究從20世紀90年代末開始，在行業發展初期受到技術水平、設備規模產能的限制，未能進入工業化生產。21世紀，中國企業歷經20年的研發與摸索，已經掌握了2-6英寸碳化硅襯底的生產加工技術。成都碳化硅襯底進口n型6H-SiC結構**為穩定，適用于制造光電子器件。

到2023年，SiC功率半導體市場預計將達到15億美元。SiC器件的供應商包括富士、英飛凌、利特弗斯、三菱、安半導體、意法半導體、Rohm、東芝和Wolfspeed。Wolfspeed是CREE的一部分。電力電子在世界電力基礎設施中發揮著關鍵作用。該技術用于工業（電機驅動）、交通（汽車、火車）、計算（電源）和可再生能源（太陽能、風能）。電力電子設備在系統中轉換或轉換交流電和直流電（AC和DC）。對于這些應用，行業使用各種功率半導體。一些半功率晶體管是晶體管，在系統中用作開關。它們允許電源在“開啟”狀態動，并在“關閉”狀態下停止。

全球碳化硅襯底企業主要有CREE、II-VI、SiCrystal，國際企業相比國內企業由于起步早，在產業化經驗、技術成熟度、產能規模等方面具備優勢，搶占了全球碳化硅襯底絕大部分的市場份額。隨著下游終端市場，新能源汽車、光伏、5G基站等領域的快速增長，為上游碳化硅襯底提供了巨大的市場活力，國內以山東天岳、天科合達、爍科晶體等為的企業紛紛跑馬圈地碳化硅襯底市場，通過加強技術研發與資本投入，逐漸掌握了4英寸至6英寸，甚至8英寸的碳化硅襯造技術，縮小了與國際之間技術與產能方面的差距。碳化硅在大功率LED方面具有非常大的優勢。

    碳化硅sic的電學性質SiC的臨界擊穿電場比常用半導體Si和GaAs都大很多，這說明SiC材料制作的器件可承受很大的外加電壓，具備很好的耐高特性。另外，擊穿電場和熱導率決定器件的最大功率傳輸能力。擊穿電場對直流偏壓轉換為射頻功率給出一個基本的界限，而熱導率決定了器件獲得恒定直流功率的難易程度。SiC具有優于Si和GaAs的高溫工作特性，因為SiC的熱導率和擊穿電場均高出Si，GaAs好幾倍，帶隙也是GaAs，Si的兩三倍。電子遷移率和空穴遷移率表示單位電場下載流子的漂移速度，是器件很重要的參數，會影響到微波器件跨導、FET的輸出增益、功率FET的導通電阻以及其他參數。4H-SiC電子遷移率較大，但各向異性較弱；6H-SiC電子遷移率較小，但各向異性強。 碳化硅(SIC)是半導體界公認的“一種未來的材料”。進口6寸碳化硅襯底外延加工

碳化硅材料的重要用途還包括：微波器件襯底、石墨烯外延襯底。北京進口4寸碳化硅襯底

碳化硅是技術密集型行業，對研發人員操作經驗、資金投入有較高要求。國際巨頭半導體公司研發早于國內公司數十年，提前完成了技術積累工作。因此，國內企業存在人才匱乏、技術水平較低的困難，制約了半導體行業的產業化進程發展。而在碳化硅第三代半導體產業中，行業整體處于產業化初期，中國企業與海外企業的差距明顯縮小。受益于中國5G通訊、新能源等新興產業的技術水平、產業化規模的地位，國內碳化硅器件巨大的應用市場空間驅動上游半導體行業快速發展，國內碳化硅廠商具有自身優勢。在全球半導體材料供應不足的背景下，國際企業紛紛提出碳化硅產能擴張計劃并保持高研發投入。同時，國內本土SiC廠家加速碳化硅領域布局，把握發展機會，追趕國際企業。北京進口4寸碳化硅襯底

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