碳化硅（SiC）是第三代化合物半導體材料。半導體產業的基石是芯片，制作芯片的材料按照歷史進程分為：代半導體材料（大部分為目前使用的高純度硅），第二代化合物半導體材料（砷化鎵、磷化銦），第三代化合物半導體材料（碳化硅、氮化鎵）。碳化硅因其優越的物理性能：高禁帶寬度（對應高擊穿電場和高功率密度）、高電導率、高熱導率，將是未來被使用的制作半導體芯片的基礎材料。從產業格局看，目前全球SiC產業格局呈現美國、歐洲、日本三足鼎立態勢。其中美國全球獨大，占有全球SiC產量的70%~80%，碳化硅晶圓市場CREE一家市占率高達6成之多；歐洲擁有完整的SiC襯底、外延、器件以及應用產業鏈，在全球電力電子市場擁有強大的話語權；日本是設備和模塊開發方面的者。 SiC會發生氧化反應，所以在其表面加一SiO2層以防止氧化。浙江4寸sic碳化硅襯底

功率半導體多被用于轉換器及逆變器等電力轉換器進行電力控制。目前，功 率半導體材料正迎來材料更新換代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優于現在使用的Si（硅），作為節能***受到了電力公司、汽車廠商和電子廠商等的極大期待。將Si換成GaN或SiC等化合物半導體，可大幅提高產品效率并縮小尺寸，這是Si功率半導體元件（以下簡稱功率元件）無法實現的。  目前，很多領域都將Si二極管、MOSFET及IGBT（絕緣柵雙極晶體管）等晶體管用作功率元件，比如供電系統、電力機車、混合動力汽車、工廠內的生產設備、光伏發電系統的功率調節器、空調等白色家電、服務器及個人電腦等。這些領域利用的功率元件的材料也許不久就將被GaN和SiC所替代。蘇州6寸半絕緣碳化硅襯底Cree現在供應的主流襯底片主要是4英寸和6英寸大尺寸晶片。

SiC產業鏈包括上游的襯底和外延環節、中游的器件和模塊制造環節，以及下游的應用環節。其中襯底的制造是產業鏈技術壁壘比較高、價值量比較大環節，是未來SiC大規模產業化推進的。1)襯底：價值量占比46%，為的環節。由SiC粉經過長晶、加工、切割、研磨、拋光、清洗環節終形成襯底。其中SiC晶體的生長為工藝，難點在提升良率。類型可分為導電型、和半絕緣型襯底，分別用于功率和射頻器件領域。外延：價值量占比 23%。本質是在襯底上面再覆蓋一層薄膜以滿足器件生產的條件。 具體分為：導電型 SiC 襯底用于 SiC 外延，進而生產功率器件用于電動汽車以及新 能源等領域。半絕緣型 SiC 襯底用于氮化鎵外延，進而生產射頻器件用于 5G 通信等 領域。

    碳化硅襯底材料是新的一代半導體材料，其應用領域具有較強的戰略意義。中國正逐步成長為全球寬禁帶半導體材料生產的主要競爭市場之一。碳化硅襯底短期內依然會面臨制備難度大、成本高昂的挑戰，目前碳化硅功率器件的價格仍數倍于硅基器件，下游應用領域仍需平衡碳化硅器件的高價格與因碳化硅器件的優越性能帶來的綜合成本下降之間的關系。碳化硅半導體主要應用于以5G通信、**、航空航天為的射頻領域和以新能源汽車、“新基建”為的電力電子領域，在民用、領域均具有明確且可觀的市場前景作者：見微數據鏈接：源：雪球著作權歸作者所有。商業轉載請聯系作者獲得授權，非商業轉載請注明出處。風險提示：本文所提到的觀點只個人的意見，所涉及標的不作推薦，據此買賣，風險自負。 碳化硅（指半絕緣型）是射頻微波器件的理想襯底材料。

碳化硅半導體廣泛應用于制造領域！眾所周知，碳化硅半導體功率器件可以應用在新能源領域。“現在我們新能源汽車所用的電可能還有煤電，未來光伏發電就會占有更多比重，甚至全部使用光伏發電。”中科院院士歐陽明高曾在一次討論會上這樣說過，光伏需要新能源汽車來消費儲能，而新能源汽車也需要完全的可再生能源。下一步兩者的結合將形成新的增長點。在歐陽院士提到的三種主要應用“光伏逆變器+儲能裝置+新能源汽車”中，碳化硅（SiC）MOSFET功率器件都是不可或缺的重要半導體器件。碳化硅(SIC)是半導體界公認的“一種未來的材料”。北京碳化硅襯底進口

SiC的臨界擊穿電場比常用半導體Si和GaAs都大很多。浙江4寸sic碳化硅襯底

碳化硅襯底主要有導電型及半絕緣型兩種。其中，在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅外延片，可進一步制成碳化硅功率器件，應用于新能源汽車、光伏發電、軌道交通、智能電網、航空航天等領域；在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層可以制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進一步制成微波射頻器件，應用于5G通訊、雷達等領域。中國碳化硅襯底領域的研究從20世紀90年代末開始，在行業發展初期受到技術水平、設備規模產能的限制，未能進入工業化生產。21世紀，中國企業歷經20年的研發與摸索，已經掌握了2-6英寸碳化硅襯底的生產加工技術。浙江4寸sic碳化硅襯底