目前使用較多的是雙向可控硅模塊；可控硅模塊具有體積小、結(jié)構(gòu)相對(duì)來(lái)說(shuō)簡(jiǎn)單以及功能性強(qiáng)、重量輕等優(yōu)點(diǎn)。但是，可控硅模塊本身也是存在著抗干擾能力差、在控制大電感負(fù)載時(shí)會(huì)干擾電網(wǎng)和自干擾等缺點(diǎn)，，正高的小編就和大家看看怎樣來(lái)避免可控硅模塊的這些缺點(diǎn)：一靈敏度雙向可控硅是一個(gè)三端元件，但我們不再稱其兩極為陰陽(yáng)極，而是稱作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無(wú)論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通，二可控硅模塊過(guò)載的保護(hù)可控硅模塊優(yōu)點(diǎn)很多，但是它過(guò)載能力差，短時(shí)間的過(guò)流，過(guò)壓都會(huì)造成元件損壞，因此為保證元件正常工作，需有：1外加電壓下允許超過(guò)正向轉(zhuǎn)折電壓，否則控制極將不起作用;2可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按極大電流的～2倍來(lái)取;3為保證控制極可靠觸發(fā)，加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值。三可控硅模塊控制大電感負(fù)載時(shí)的干擾電網(wǎng)和自干擾的解決方法可控硅模塊控制大電感負(fù)載時(shí)會(huì)有干擾電網(wǎng)和自干擾的現(xiàn)象，其原因是當(dāng)可控硅模塊控制一個(gè)連接電感性負(fù)載的電路斷開(kāi)或閉合時(shí)，其線圈中的電流通路被切斷，其變化率極大，因此在電感上產(chǎn)生一個(gè)高電壓，這個(gè)電壓通過(guò)電源的內(nèi)阻加在開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)的兩端。創(chuàng)造價(jià)值是我們永遠(yuǎn)的追求！浙江可控硅電源模塊哪家好

用螺旋雙線或屏蔽線。門極和MT1間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容和門極間串接電阻。另一解決辦法，選用H系列低靈敏度雙向可控硅。規(guī)則5若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起問(wèn)題，在MT1和MT2間加入RC緩沖電路。若高dICOM/dt可能引起問(wèn)題，加入一幾mH的電感和負(fù)載串聯(lián)。另一種解決辦法，采用Hi-Com雙向可控硅。準(zhǔn)則6假如雙向可控硅模塊的VDRM在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過(guò)程中有可能被超出，采用下列措施之一：負(fù)載上串聯(lián)電感量為幾μH的不飽和電感，以限制IT/dt；用MOV跨接于電源，并在電源側(cè)增加濾波電路。準(zhǔn)則7選用好的門極觸發(fā)電路，避開(kāi)3+象限工況，可以限度提高雙向可控硅模塊的dIT/dt承受能力。準(zhǔn)則8若雙向可控硅模塊的dIT/dt有可能被超出，負(fù)載上串聯(lián)一個(gè)幾μH的無(wú)鐵芯電感或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對(duì)電阻性負(fù)載采用零電壓導(dǎo)通。準(zhǔn)則9器件固定到散熱器時(shí)，避免讓雙向可控硅模塊受到應(yīng)力。固定，然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。準(zhǔn)則10為了長(zhǎng)期可靠工作，應(yīng)保證Rthj-a足夠低，維持Tj不高于Tjmax，其值相應(yīng)于可能的環(huán)境溫度。以上就是可控硅模塊的使用準(zhǔn)則，正確使用，既能延長(zhǎng)可控硅模塊的使用壽命，又能保證可控硅模塊的穩(wěn)定運(yùn)行。浙江可控硅電源模塊哪家好淄博正高電氣成功的闖出一條企業(yè)發(fā)展之路。

SCR常用的散熱方式有自然冷卻、強(qiáng)制風(fēng)冷、熱管冷卻、水冷、油冷等。可控硅模塊溫度過(guò)高該怎么降溫一般而言，可控硅晶閘管模塊元件的結(jié)溫不容易直接測(cè)量，因此不能作為衡量晶閘管元件結(jié)溫是否過(guò)溫的標(biāo)準(zhǔn)。控制模塊層溫度是控制節(jié)點(diǎn)溫室的一種有效方法。由于PN結(jié)的結(jié)溫TJ與殼層溫度Tc之間存在一定的溫度梯度，所以在已知?dú)訙囟葧r(shí)，結(jié)溫也是已知的，較大殼層溫度Tc是有限的，這是由積數(shù)據(jù)表給出的。借助于溫度控制開(kāi)關(guān)，可以方便地測(cè)量模塊基板與散熱器接觸的溫度(溫度傳感元件應(yīng)放置在模塊基板的較高溫度位置)。由溫度控制天關(guān)測(cè)得的殼體溫度，可用來(lái)判斷模塊是否正常工作。如果在電路中分別添加一個(gè)或兩個(gè)溫度控制電路來(lái)控制風(fēng)扇的開(kāi)度或主電路的關(guān)斷，則可以有效地保證晶閘管模塊在額定結(jié)溫下工作。可控硅模塊怎么降溫當(dāng)然，應(yīng)該注意的是，溫度控制開(kāi)關(guān)測(cè)量的溫度是指模塊底板表面的溫度，它容易受到環(huán)境和空氣對(duì)流的影響，并且與溫度的溫度有一定的差距。模塊和散熱器之間的接觸面。普通的晶閘管（晶閘管）本質(zhì)上是DC控制裝置。為了控制交流負(fù)載，兩個(gè)晶閘管須以反極性連接，這樣每個(gè)SCR都可以控制一個(gè)半波。為此需要兩個(gè)的觸發(fā)電路，這是不夠方便的。

可關(guān)斷可控硅模塊。這是一種新型可控硅模塊，主要是利用正的控制極脈沖可觸發(fā)導(dǎo)通，而用負(fù)的控制極脈沖可以關(guān)斷陽(yáng)極電流，恢復(fù)阻斷狀態(tài)，利用這種特性可以做成無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)或者用于直流調(diào)壓、電視機(jī)中行掃描電路以及高壓脈沖發(fā)生器電路等。可控硅集成模塊種類有很多，不同的可控硅集成模塊特性不一，自然用途也不一樣，在選擇可控硅集成模塊時(shí)，大家一定要結(jié)合實(shí)際情況來(lái)選，這樣才能保證選出滿足自己需求的。使用可控硅模塊的準(zhǔn)則可控硅模塊大家都知道，它的應(yīng)用與優(yōu)勢(shì)讓它在電氣行業(yè)占著比較重要的作用，設(shè)備都有壽命的限制，所以在使用的時(shí)候一定要注意，正確的使用準(zhǔn)則才能延長(zhǎng)可控硅模塊的壽命，下面正高來(lái)說(shuō)說(shuō)可控硅模塊使用的準(zhǔn)則。準(zhǔn)則1為了導(dǎo)通閘流管（或雙向可控硅），必須有門極電流≧IGT，直至負(fù)載電流達(dá)到≧IL。這條件必須滿足，并按可能遇到的較低溫度考慮。準(zhǔn)則2要斷開(kāi)（切換）閘流管（或雙向可控硅），負(fù)載電流必須間，使能回復(fù)至截止?fàn)顟B(tài)。在可能的運(yùn)行溫度下必須滿足上述條件。準(zhǔn)則3設(shè)計(jì)雙向可控硅模塊觸發(fā)電路時(shí)，只要有可能，就要避開(kāi)3+象限（WT2-，+）。準(zhǔn)則4為減少雜波吸收，門極連線長(zhǎng)度降至低。返回線直接連至MT1（或陰極）。若用硬線。淄博正高電氣公司依托便利的區(qū)位和人才優(yōu)勢(shì)。

對(duì)于普通反向阻斷型可控硅，其閘流特性表現(xiàn)為當(dāng)可控硅加上正向陽(yáng)極電壓的同時(shí)又加上適當(dāng)?shù)恼蚩刂齐妷簳r(shí)，可控硅就導(dǎo)通；這一導(dǎo)通即使在撤去門極控制電壓后仍將維持，一直到加上反向陽(yáng)極電壓或陽(yáng)極電流小于可控硅自身的維持電流后才關(guān)斷。普通的可控硅調(diào)光器就是利用可控硅的這一特性實(shí)現(xiàn)前沿觸發(fā)相控調(diào)壓的。可控硅，是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，亦稱為晶閘管。具有體積小、結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單、功能強(qiáng)等特點(diǎn)，是比較常用的半導(dǎo)體器件之一。該器件被應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品中，多用來(lái)作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)等。家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、空調(diào)機(jī)、電視機(jī)、電冰箱、洗衣機(jī)、照相機(jī)、組合音響、聲光電路、定時(shí)控制器、玩具裝置、無(wú)線電遙控、工業(yè)控制等都大量使用了可控硅器件。可控硅整流器件介紹可控硅又稱晶閘管，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管，等等。可控硅整流器件是一種非常重要的功率器件，可用來(lái)做高電壓和高電流的控制。可控硅器件主要用在開(kāi)關(guān)方面，使器件從關(guān)閉或是阻斷的狀態(tài)轉(zhuǎn)換為開(kāi)啟或是導(dǎo)通的狀態(tài)，反之亦然。淄博正高電氣熱誠(chéng)歡迎各界朋友前來(lái)參觀、考察、洽談業(yè)務(wù)。山東可控硅模塊廠家

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由門級(jí)施加的正向觸發(fā)脈沖的較小寬度應(yīng)使陽(yáng)極電流達(dá)到維持直通狀態(tài)所需的較小的陽(yáng)極電流，即高于電流IL。可控硅導(dǎo)通后的電壓降很小。接通可控硅模塊的條件是將流過(guò)可控硅模塊的電流減小到較小的值，即保持電流IH。有兩種方法：1.將正極電壓降低至數(shù)值，或添加反向陽(yáng)極電壓。2.增加負(fù)載電路中的電阻。以上是可控硅模塊的導(dǎo)通狀態(tài)，希望能幫助您。過(guò)電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成怎樣的損壞？過(guò)電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成損壞，如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞，就要了解過(guò)電壓的產(chǎn)生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來(lái)講講過(guò)電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過(guò)電壓產(chǎn)生的原因。可控硅模塊對(duì)過(guò)電壓非常敏感，當(dāng)正向電壓超過(guò)udrm值時(shí)，可控硅會(huì)誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障；當(dāng)施加的反向電壓超過(guò)urrm值時(shí)，可控硅模塊會(huì)立即損壞。因此，需要研究過(guò)電壓產(chǎn)生的原因和過(guò)電壓的方法。過(guò)電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲(chǔ)能的急劇變化，使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn)，由于外界沖擊引起的過(guò)電壓主要有兩種類型，如雷擊和開(kāi)關(guān)開(kāi)啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動(dòng)作產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對(duì)可控硅模塊非常危險(xiǎn)。浙江可控硅電源模塊哪家好