就不得不說(shuō)一下我們的主角—可控硅可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng)，它是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，有時(shí)也被叫做晶閘管。可控硅因?yàn)槠潴w積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、功能好的特點(diǎn)被普遍運(yùn)用在各種電子設(shè)備和產(chǎn)品上。在家用電器中，例如：調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、空調(diào)、電視、電冰箱中都使用可控硅器件，它與我們的生活是分不開(kāi)的，那么，可控硅的分類(lèi)又有哪些呢？1、按照關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式來(lái)分類(lèi)：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門(mén)極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。2、按照引腳和極性來(lái)分類(lèi)：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。3、按照封裝形式來(lái)分類(lèi)：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類(lèi)型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。4、按照電流容量來(lái)分類(lèi)：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。淄博正高電氣與廣大客戶(hù)攜手共創(chuàng)碧水藍(lán)天。日照可控硅異相觸發(fā)器模塊價(jià)格

用螺旋雙線(xiàn)或屏蔽線(xiàn)。門(mén)極和MT1間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容和門(mén)極間串接電阻。另一解決辦法，選用H系列低靈敏度雙向可控硅。規(guī)則5若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起問(wèn)題，在MT1和MT2間加入RC緩沖電路。若高dICOM/dt可能引起問(wèn)題，加入一幾mH的電感和負(fù)載串聯(lián)。另一種解決辦法，采用Hi-Com雙向可控硅。準(zhǔn)則6假如雙向可控硅模塊的VDRM在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過(guò)程中有可能被超出，采用下列措施之一：負(fù)載上串聯(lián)電感量為幾μH的不飽和電感，以限制IT/dt；用MOV跨接于電源，并在電源側(cè)增加濾波電路。準(zhǔn)則7選用好的門(mén)極觸發(fā)電路，避開(kāi)3+象限工況，可以限度提高雙向可控硅模塊的dIT/dt承受能力。準(zhǔn)則8若雙向可控硅模塊的dIT/dt有可能被超出，負(fù)載上串聯(lián)一個(gè)幾μH的無(wú)鐵芯電感或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對(duì)電阻性負(fù)載采用零電壓導(dǎo)通。準(zhǔn)則9器件固定到散熱器時(shí)，避免讓雙向可控硅模塊受到應(yīng)力。固定，然后焊接引線(xiàn)。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。準(zhǔn)則10為了長(zhǎng)期可靠工作，應(yīng)保證Rthj-a足夠低，維持Tj不高于Tjmax，其值相應(yīng)于可能的環(huán)境溫度。以上就是可控硅模塊的使用準(zhǔn)則，正確使用，既能延長(zhǎng)可控硅模塊的使用壽命，又能保證可控硅模塊的穩(wěn)定運(yùn)行。江西可控硅智能調(diào)壓模塊淄博正高電氣得到市場(chǎng)的一致認(rèn)可。

連接位置可在交流側(cè)或直流側(cè)，額定電流在交流側(cè)，通常采用交流側(cè)。過(guò)電壓保護(hù)通常發(fā)生在有電感的電路中，或交流側(cè)有干擾的浪涌電壓或交流側(cè)暫態(tài)過(guò)程產(chǎn)生的過(guò)電壓。由于過(guò)電壓峰值高、動(dòng)作時(shí)間短，常用電阻和電容吸收電路來(lái)控制過(guò)電壓。控制大感性負(fù)載時(shí)的電網(wǎng)干擾及自干擾的避免在控制較大的感性負(fù)載時(shí)，會(huì)對(duì)電網(wǎng)產(chǎn)生干擾和自干擾。其原因是當(dāng)控制一個(gè)連接感性負(fù)載的電路斷開(kāi)或閉合時(shí)，線(xiàn)圈中的電流通路被切斷，變化率很大。因此，在電感上產(chǎn)生一個(gè)高電壓，通過(guò)電源的內(nèi)阻加到開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)的兩端，然后感應(yīng)到電壓應(yīng)該一次又一次地放電，直到感應(yīng)電壓低于放電所需的電壓。在這個(gè)過(guò)程中，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)大的脈沖光束。這些脈沖光束疊加在電源電壓上，并將干擾傳輸?shù)诫娫淳€(xiàn)或輻射到周?chē)臻g。這種脈沖幅度大，頻率寬，開(kāi)關(guān)點(diǎn)有感性負(fù)載是強(qiáng)噪聲源。1.為了防止或者是降低噪音，移相的控制交流調(diào)壓常用的方法就是電感的電容濾波電路以及阻容阻尼電路還有雙向的二極管阻尼電路等等。2.另一種防止或降低噪聲的方法是利用開(kāi)關(guān)比來(lái)控制交流調(diào)壓。其原理是在電源電壓為零時(shí)，即控制角為零時(shí)，利用過(guò)零觸發(fā)電路控制雙向晶閘管模塊的通斷。這樣，可以在負(fù)載上獲得完整的正弦波。

在設(shè)計(jì)雙向可控硅模塊觸發(fā)電路時(shí)，盡可能避免使用3+象限（wt2-，+）。為了減少雜波吸收，將柵極連接的長(zhǎng)度變小，可以直接返回線(xiàn)直接連接到MT1(或陰極)。如果使用硬線(xiàn)，則使用雙螺旋線(xiàn)或屏蔽線(xiàn)。閘門(mén)與MT1之間的電阻小于等于1K。高頻旁路電容器與柵電阻串聯(lián)。另一種解決方案是使用H系列低靈敏度雙向可控硅模塊。規(guī)則5：如果DVD/DT或DVCOM/DT出現(xiàn)了問(wèn)題，可以再在MT1和MT2之間增加RC緩沖電路。如果高的DICOM/DT可能會(huì)引起問(wèn)題，增加幾個(gè)mh電感和負(fù)載串聯(lián)。另一種解決方案是使用hi-com雙向可控硅模塊。標(biāo)準(zhǔn)6：在嚴(yán)重和異常供電的瞬時(shí)過(guò)程中，如果可能超過(guò)雙向可控硅模塊的電壓互感器，則采取以下措施之一：在負(fù)載上設(shè)置幾個(gè)μH的串聯(lián)電感，以限制DIT/DT的電壓互感器；連接電源，并在電源側(cè)增加濾波電路。準(zhǔn)則7：選擇一個(gè)良好的觸發(fā)電路，避免象限條件，可以較大限度地提高雙向可控硅模塊的DIT/DT承載能力。標(biāo)準(zhǔn)8：如果雙向可控硅模塊的DIT/DT可能超過(guò)，在負(fù)載上串聯(lián)一個(gè)沒(méi)有電感或負(fù)溫度系數(shù)為幾μH的熱敏電阻。另一種解決方案是電阻負(fù)載的零電壓傳導(dǎo)。規(guī)則9：當(dāng)裝置固定在散熱器上時(shí)，避免對(duì)雙向可控硅模塊施加壓力，然后焊接導(dǎo)線(xiàn)。不斷開(kāi)發(fā)新的產(chǎn)品，并建立了完善的服務(wù)體系。

當(dāng)變流裝置內(nèi)部的結(jié)構(gòu)元件損壞、控制或者觸發(fā)系統(tǒng)之間發(fā)生的一些故障、可逆?zhèn)鲃?dòng)環(huán)流過(guò)大或逆變失敗、交流電壓過(guò)高或過(guò)低或缺相、負(fù)載過(guò)載等原因，都會(huì)引起裝置中電力電子元器件耳朵電流超過(guò)正常的工作電流。由于可控硅模塊的過(guò)流比一般的電氣設(shè)備的能力要低得多，因此，我們必須采取防過(guò)電流保護(hù)可控硅模塊的措施。接下來(lái)可控硅生產(chǎn)廠家正高為大家詳細(xì)講解一些可控硅模塊裝置中可能采用的4種過(guò)電流保護(hù)管理措施：1、交流進(jìn)線(xiàn)串接漏電阻大的整流變壓器，利用短路電流受電抗限制，但交流電流大時(shí)會(huì)存在交流壓降。2、電檢測(cè)和過(guò)電流檢測(cè)繼電器電流與設(shè)定值進(jìn)行比較，當(dāng)取樣電流超過(guò)設(shè)定值時(shí)，比較器輸出信號(hào)使所述相移角增加以減小電流或拉逆變器相比較。有時(shí)一定要停止。3、直流快速開(kāi)關(guān)對(duì)于變流裝置功率大且短路可能性較多的場(chǎng)合，可采用動(dòng)作時(shí)間只有2ms的直流快速開(kāi)關(guān)，它可以先于快速熔斷器斷開(kāi)，從而保護(hù)了可控硅模塊，但價(jià)格昂貴所以使用不多。4、將快速熔斷器與普通熔斷器進(jìn)行對(duì)比，快速熔斷器是專(zhuān)門(mén)可以用來(lái)作為保護(hù)電力半導(dǎo)體功率控制器件過(guò)電流的元件，它具有快速熔斷的特性，在流過(guò)6倍額定工作電流時(shí)其熔斷時(shí)間成本小于工頻的一個(gè)周期（20ms）。地理位置優(yōu)越，交通十分便利。河南可控硅集成模塊生產(chǎn)廠家

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不要將鉚釘芯軸放在設(shè)備接口件的側(cè)面。規(guī)則10：確保Rthj-a足夠低，使可控硅模塊長(zhǎng)期可靠地工作，使TJ保持在不高于Tjmax的值，對(duì)應(yīng)于可能的高環(huán)境溫度。識(shí)別可控硅模塊的三個(gè)極的方法非常簡(jiǎn)單。根據(jù)P-N結(jié)的原理，可以用萬(wàn)用表測(cè)量三個(gè)電極之間的電阻。由于缺乏這方面的相關(guān)知識(shí)，許多客戶(hù)在識(shí)別可控硅模塊的三極方面存在一些問(wèn)題，詳情如下：鑒別可控硅模塊三個(gè)極的方法控制極與陰極之間存在P≤N結(jié)，其正向電阻在幾歐姆到幾百歐元之間，反向電阻大于正向電阻。但是，控制極二極管的特性不理想，反向沒(méi)有完全阻塞，并且可以通過(guò)較大的電流。因此，有時(shí)測(cè)量到的控制極反向電阻相對(duì)較小，這并不意味著控制極的特性不好。此外，在測(cè)量控制極的正向和后向電阻時(shí)，應(yīng)將萬(wàn)用表放置在R≥10或R≤1齒輪上，以防止過(guò)高電壓的控制極反向擊穿。如果陰極和陽(yáng)極的正負(fù)短路，或陽(yáng)極和控制極之間的短路，或控制極和陰極之間的反向短路，或控制極和陰極之間的開(kāi)路，則部件已損壞。與其它半導(dǎo)體器件一樣，可控硅模塊具有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、運(yùn)行可靠的優(yōu)點(diǎn)。半導(dǎo)體技術(shù)以其出現(xiàn)，從弱電領(lǐng)域進(jìn)入強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通、科研、商業(yè)、民用電器等領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)采用的一個(gè)組成部分。日照可控硅異相觸發(fā)器模塊價(jià)格

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