利用其電路對(duì)電網(wǎng)進(jìn)行控制和改造是一種簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)的方法。然而，該裝置的運(yùn)行會(huì)產(chǎn)生波形失真，降低功率因數(shù)，影響電網(wǎng)質(zhì)量。雙向晶閘管可以看作是一對(duì)反向并聯(lián)晶閘管的集成，常用于交流調(diào)壓調(diào)功電路中。正負(fù)脈沖均可觸發(fā)傳導(dǎo)，因此其控制電路相對(duì)簡(jiǎn)單。其缺點(diǎn)是換相能力差，觸發(fā)靈敏度低，關(guān)斷時(shí)間長(zhǎng)。其電平已超過2000V/500A。光控晶閘管是利用光信號(hào)控制晶閘管觸發(fā)和導(dǎo)通的裝置。它具有較強(qiáng)的抗干擾能力、良好的高壓絕緣性能和較高的暫態(tài)過電壓承受能力，因此被廣泛應(yīng)用于高壓直流輸電（HVDC）、靜止無功補(bǔ)償（SVC）等領(lǐng)域。其發(fā)展水平約為8000v/3600a。逆變晶閘管關(guān)斷時(shí)間短（10～15s），主要用于中頻感應(yīng)加熱。在逆變電路中，它已經(jīng)被GTR、GTO和IGBT等新器件所取代。目前容量在2500V/1600A/1kHz至800V/50A/20kHz之間。不對(duì)稱晶閘管是一種具有不對(duì)稱正反向電壓耐受能力的晶閘管。反向?qū)ňчl管只是不對(duì)稱晶閘管的一個(gè)特例。它是一種功率集成器件，它將晶閘管與二極管反向并聯(lián)在同一個(gè)芯片上。與普通晶閘管相比，它具有關(guān)斷時(shí)間短、正向壓降小、額定結(jié)溫高、高溫特性好等優(yōu)點(diǎn)。主要用于逆變器和整流器。目前，國(guó)內(nèi)生產(chǎn)廠家生產(chǎn)3000V/900A不對(duì)稱晶閘管模塊。淄博正高電氣大力弘揚(yáng)開拓進(jìn)取，企業(yè)精神。北京晶閘管驅(qū)動(dòng)模塊

發(fā)出個(gè)觸發(fā)脈沖的時(shí)刻都相同，也就是控制角和導(dǎo)通角都相等，那么，單結(jié)晶體管張弛振蕩器怎樣才能與交流電源準(zhǔn)確地配合以實(shí)現(xiàn)有效的控制呢?為了實(shí)現(xiàn)整流電路輸出電壓“可控”，必須使晶閘管模塊承受正向電壓的每半個(gè)周期內(nèi)，觸發(fā)電路發(fā)出個(gè)觸發(fā)脈沖的時(shí)刻都相同，這種相互配合的工作方式，稱為觸發(fā)脈沖與電源同步。十、怎樣才能做到同步呢?大家再看調(diào)壓器的電路圖(圖1)。請(qǐng)注意，在這里單結(jié)晶體管張弛振蕩器的電源是取自橋式整流電路輸出的全波脈沖直流電壓。在晶閘管模塊沒有導(dǎo)通時(shí)，張弛振蕩器的電容器C被電源充電，UC按指數(shù)規(guī)律上升到峰點(diǎn)電壓UP時(shí)，單結(jié)晶體管VT導(dǎo)通，在VS導(dǎo)通期間，負(fù)載RL上有交流電壓和電流，與此同時(shí)，導(dǎo)通的VS兩端電壓降很小，迫使張弛振蕩器停止工作。當(dāng)交流電壓過零瞬間，晶閘管VS被迫關(guān)斷，張弛振蕩器得電，又開始給電容器C充電，重復(fù)以上過程。這樣，每次交流電壓過零后，張弛振蕩器發(fā)出個(gè)觸發(fā)脈沖的時(shí)刻都相同，這個(gè)時(shí)刻取決于RP的阻值和C的電容量。調(diào)節(jié)RP的阻值，就可以改變電容器C的充電時(shí)間，也就改變了個(gè)Ug發(fā)出的時(shí)刻，相應(yīng)地改變了晶閘管的控制角，使負(fù)載RL上輸出電壓的平均值發(fā)生變化，達(dá)到調(diào)壓的目的。雙向晶閘管模塊的T1和T2不能互換。濟(jì)寧晶閘管智能模塊淄博正高電氣以滿足客戶要求為重點(diǎn)。

但應(yīng)注意以下問題：1.模塊的交流輸入端采用整流變壓器與電網(wǎng)進(jìn)行隔離，以減少模塊與電網(wǎng)的相互干擾。2.和普通電力半導(dǎo)體器件一樣，晶閘管智能模塊承受過電壓和電流的性能較差，短時(shí)間的過電壓和過電流都會(huì)使模塊損壞。正高帶你了解快速晶閘管模塊的特點(diǎn)。普通晶閘管不能在較高的頻率下工作。因?yàn)槠骷膶?dǎo)通或關(guān)斷需要一定時(shí)間，同時(shí)陽極電壓上升速度太快時(shí)，會(huì)使元件誤導(dǎo)通；陽極電流上升速度太快時(shí)，會(huì)燒毀元件。人們?cè)谥圃旃に嚭徒Y(jié)構(gòu)上采取了一些改進(jìn)措施，做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管模塊，我們將它稱為快速晶閘管模塊。它具有以下幾個(gè)特點(diǎn)。一、關(guān)斷時(shí)間(toff)短導(dǎo)通的晶閘管模塊，當(dāng)切斷正向電流時(shí)。并不能馬上"關(guān)斷"，這時(shí)如立即加上正向電壓，它還會(huì)繼續(xù)導(dǎo)通。從切斷正向電流直到控制極恢復(fù)控制能力需要的時(shí)間，叫做關(guān)斷時(shí)間。用t0仟表示。晶閘管的關(guān)斷過程，實(shí)際上是儲(chǔ)存載流子的消失過程。為了加速這種消失過程，制造快速晶閘管時(shí)采用了摻金工藝，把金摻到硅中減少基區(qū)少數(shù)載流子的壽命。硅中摻金量越多，t0仟越小，但摻金量過多會(huì)影響元件的其它性能。二、導(dǎo)通速度快.能耐較高的電流上升率(dI/dt)控制極觸發(fā)導(dǎo)通的晶閘管模塊。

則晶閘管模塊往往不能維持導(dǎo)通狀態(tài)。考慮負(fù)載是強(qiáng)感性的情況，本系統(tǒng)采用高電平觸發(fā)，其缺點(diǎn)是晶閘管模塊損耗過大。晶閘管模塊在應(yīng)用過程中，影響關(guān)斷時(shí)間的因素有結(jié)溫、通態(tài)電流及其下降率、反向恢復(fù)電流下降率、反向電壓及正向dv/dt值等。其中以結(jié)溫及反向電壓影響大，結(jié)溫愈高，關(guān)斷時(shí)間愈長(zhǎng)；反壓越高，關(guān)斷時(shí)間愈短。在系統(tǒng)中，由于感性負(fù)載的存在，在換流時(shí)，電感兩端會(huì)產(chǎn)生很大的反電勢(shì)。這個(gè)異常電壓加在晶閘管模塊兩端，容易引起晶閘管模塊損壞。為了防止這種情況，通常采用浪涌電壓吸收電路。由于感性負(fù)載的存在，應(yīng)考慮加大觸發(fā)脈沖寬度，否則晶閘管模塊在陽極電流達(dá)到擎住電流之前，觸發(fā)信號(hào)減弱，可能會(huì)造成晶閘管模塊不能正常導(dǎo)通。在關(guān)斷時(shí)，感性負(fù)載也會(huì)給晶閘管模塊造成一些問題。以上所述就是晶閘管模塊值得注意的事項(xiàng)，希望你在使用的過程一定要注意以上問題。晶閘管模塊與IGBT模塊的不同之處晶閘管模塊與IGBT模塊都是屬于電氣設(shè)備，有電氣行業(yè)中它們的作用有相似之處，但是它們之間也是有區(qū)別，下面正高來帶你看看晶閘管模塊與IGBT模塊的區(qū)別是什么？晶閘管模塊和IGBT模塊結(jié)構(gòu)不同晶閘管（SCR）又稱晶閘管，在高電壓、大電流的應(yīng)用場(chǎng)合。淄博正高電氣創(chuàng)新發(fā)展，努力拼搏。

但是有很多人對(duì)于晶閘管模塊的專業(yè)術(shù)語并不清楚，下面正高來講幾個(gè)晶閘管模塊的專業(yè)術(shù)語，會(huì)對(duì)您以后的使用和選購有幫助。①控制角：在u2的每個(gè)正半周，從晶閘管模塊承受正向電壓到加入門極觸發(fā)電壓、使晶閘管模塊開始導(dǎo)通之間的電角度叫做控制角，又稱為觸發(fā)脈沖的移相角，用α表示。②導(dǎo)通角：在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管模塊導(dǎo)通時(shí)間對(duì)應(yīng)圖4-4單相半波可控整流的電角度叫做導(dǎo)通角，用θ表示。顯然在這里α+θ=π。③移相范圍：α的變化范圍稱為移相范圍。很明顯，α和π都是用來表示晶閘管模塊在承受正向電壓的半個(gè)周期內(nèi)的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅龋梢愿淖冇|發(fā)脈沖的出現(xiàn)時(shí)刻，也就可以改變輸出電壓的大小，實(shí)現(xiàn)了可控整流。以上就是晶閘管模塊的專業(yè)術(shù)語，希望對(duì)您有所幫助。正高講晶閘管模塊值得注意的事項(xiàng)晶閘管模塊是一種開關(guān)器件，在電氣行業(yè)中有著較為廣的應(yīng)用，在設(shè)備中起著較為重要的作用，但是晶閘管模塊還是有它需要注意的問題的，下面正高給您講解一下。當(dāng)觸發(fā)脈沖的持續(xù)時(shí)間較短時(shí)，脈沖幅度必須相應(yīng)增加，同時(shí)脈沖寬度也取決于陽極電流達(dá)到擎住電流的時(shí)間。在系統(tǒng)中，由于感性負(fù)載的存在，陽極電流上升率低，若不施加寬脈沖觸發(fā)。淄博正高電氣會(huì)為您提供技術(shù)培訓(xùn)，科學(xué)管理與運(yùn)營(yíng)。河南晶閘管調(diào)壓模塊廠家

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經(jīng)常發(fā)生事故的參數(shù)有：電壓、電流、dv/dt、di/dt、漏電、開通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間等，甚至有時(shí)控制極也可燒壞。由于晶閘管模塊各參數(shù)性能的下降或線路問題會(huì)造成晶閘管模塊燒損，從表面看來每個(gè)參數(shù)所造成晶閘管模塊燒損的現(xiàn)象是不同的，因此通過解剖燒損的晶閘管模塊就可以判斷出是由哪個(gè)參數(shù)造成晶閘管模塊燒壞的。一般情況下陰極表面或芯片邊緣有一燒損的小黑點(diǎn)說明是由于電壓引起的，由電壓引起燒壞晶閘管模塊的原因有兩中可能，一是晶閘管模塊電壓失效，就是我們常說的降伏，電壓失效分早期失效、中期失效和晚期失效。二是線路問題，線路中產(chǎn)生了過電壓，且對(duì)晶閘管模塊所采取的保護(hù)措施失效。電流燒壞晶閘管模塊通常是陰極表面有較大的燒損痕跡，甚至將芯片、管殼等金屬大面積溶化。由di/dt所引起的燒壞晶閘管模塊的現(xiàn)象較容易判斷，一般部是門極或放大門極附近燒成一小黑點(diǎn)。我們知道晶閘管模塊的等效電路是由兩只可控硅構(gòu)成，門極所對(duì)應(yīng)的可控硅做觸發(fā)用，目的是當(dāng)觸發(fā)信號(hào)到來時(shí)將其放大，然后盡快的將主可控硅導(dǎo)通，然而在短時(shí)間內(nèi)如果電流過大，主可控硅還沒有完全導(dǎo)通，大的電流主要通過相當(dāng)于門極的可控硅流過，而此可控硅的承載電流的能力是很小的。北京晶閘管驅(qū)動(dòng)模塊

山東正高電氣供應(yīng)，2011-01-06正式啟動(dòng)，成立了可控硅模塊，晶閘管智能模塊，觸發(fā)板，電力調(diào)整器等幾大市場(chǎng)布局，應(yīng)對(duì)行業(yè)變化，順應(yīng)市場(chǎng)趨勢(shì)發(fā)展，在創(chuàng)新中尋求突破，進(jìn)而提升山東正高電氣的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，把握市場(chǎng)機(jī)遇，推動(dòng)電子元器件產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步。是具有一定實(shí)力的電子元器件企業(yè)之一，主要提供可控硅模塊，晶閘管智能模塊，觸發(fā)板，電力調(diào)整器等領(lǐng)域內(nèi)的產(chǎn)品或服務(wù)。我們強(qiáng)化內(nèi)部資源整合與業(yè)務(wù)協(xié)同，致力于可控硅模塊，晶閘管智能模塊，觸發(fā)板，電力調(diào)整器等實(shí)現(xiàn)一體化，建立了成熟的可控硅模塊，晶閘管智能模塊，觸發(fā)板，電力調(diào)整器運(yùn)營(yíng)及風(fēng)險(xiǎn)管理體系，累積了豐富的電子元器件行業(yè)管理經(jīng)驗(yàn)，擁有一大批專業(yè)人才。山東正高電氣供應(yīng)始終保持在電子元器件領(lǐng)域優(yōu)先的前提下，不斷優(yōu)化業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)。在可控硅模塊，晶閘管智能模塊，觸發(fā)板，電力調(diào)整器等領(lǐng)域承攬了一大批高精尖項(xiàng)目，積極為更多電子元器件企業(yè)提供服務(wù)。