是由P-導(dǎo)體和N-導(dǎo)體組成的四層結(jié)構(gòu)，有三個PN結(jié)，它們與只有一個PN結(jié)的硅整流二極管有很大的不同。目前，可以生產(chǎn)出幾百安培甚至幾千安培的可控硅元件。一般而言，5安培以下的可控硅稱為低功率可控硅，50安培以上的可控硅稱為大功率晶閘管。晶閘管（可控硅整流器）是一種高功率的電氣元件，也稱為晶閘管。具有體積小、效率高、使用壽命長的優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，它可以作為大功率驅(qū)動裝置，對大功率設(shè)備進(jìn)行小功率控制。大規(guī)模應(yīng)用于交直流電機調(diào)速系統(tǒng)、功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)和伺服系統(tǒng)中。可控硅與晶閘管有什么區(qū)別晶閘管可分為單向晶閘管和雙向晶閘管。雙向晶閘管又稱三端雙向晶閘管，簡稱三端雙向晶閘管。雙向晶閘管在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個單向晶閘管反向連接，這種晶閘管具有雙向?qū)щ姽δ堋Ｆ渫〝酄顟B(tài)由控制極G決定。在控制極G中加入一個正脈沖(或負(fù)脈沖)可以啟動正(或反向)傳導(dǎo)。該裝置的優(yōu)點是控制電路簡單，不存在反向耐壓問題，特別適用于交流無觸點開關(guān)。晶閘管(Thyristor)也稱為晶閘管整流器，以前稱為晶閘管。1957年，通用電氣公司開發(fā)了世界上個晶閘管產(chǎn)品，并于1958年將其商業(yè)化。晶閘管為PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，具有陽極、陰極和控制極三極.晶閘管具有硅整流器的特點。淄博正高電氣將“素質(zhì)化、人性化、制度化”作為公司管理理念。湖北可控硅整流模塊價格

目前使用較多的是雙向可控硅模塊；可控硅模塊具有體積小、結(jié)構(gòu)相對來說簡單以及功能性強、重量輕等優(yōu)點。但是，可控硅模塊本身也是存在著抗干擾能力差、在控制大電感負(fù)載時會干擾電網(wǎng)和自干擾等缺點，正高的小編就和大家看看怎樣來避免可控硅模塊的這些缺點：一靈敏度雙向可控硅是一個三端元件，但我們不再稱其兩極為陰陽極，而是稱作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通，二可控硅模塊過載的保護可控硅模塊優(yōu)點很多，但是它過載能力差，短時間的過流，過壓都會造成元件損壞，因此為保證元件正常工作，需有：1外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓，否則控制極將不起作用；2可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按極大電流的～2倍來取；3為保證控制極可靠觸發(fā)，加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值。三可控硅模塊控制大電感負(fù)載時的干擾電網(wǎng)和自干擾的解決方法可控硅模塊控制大電感負(fù)載時會有干擾電網(wǎng)和自干擾的現(xiàn)象，其原因是當(dāng)可控硅模塊控制一個連接電感性負(fù)載的電路斷開或閉合時，其線圈中的電流通路被切斷，其變化率極大，因此在電感上產(chǎn)生一個高電壓，這個電壓通過電源的內(nèi)阻加在開關(guān)觸點的兩端。東營單相可控硅調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家淄博正高電氣公司秉承著“標(biāo)準(zhǔn)、精細(xì)、超越、求精”的質(zhì)量方針。

小編給大家?guī)淼氖牵涸鯓佑帽韥頊y試可控硅的好壞。希望對大家有所幫助。我們都知道：可控硅是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點，從而在交直流電機調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了普遍的應(yīng)用。怎么判斷判定可控硅的電極小功率可控硅的電極從外形上可以差別，一般陽極為外殼，陰極線比控制極引線長。如果其它型式的封裝，不知電極引線時可以用萬用表的電阻檔進(jìn)行判別。方法是將負(fù)表筆試接某一電極，正表筆依次碰觸另外兩個電極，假如有一次阻值很小(約幾百歐姆)，另一次阻值很大(約幾千歐姆)，說明負(fù)表筆接的正是控制極(G)。在阻值小的那次測量中，接正表筆的一端是陰極(C或K)，阻值大的那次，接正表筆的是陽極(A)；若兩次測出的阻值均很大，說明負(fù)表筆接的不是控制極，應(yīng)更換另外一個電極，重復(fù)上述判別．怎么檢查可控硅的好壞對于一個良好的可控硅應(yīng)包括以下內(nèi)容：1.三個PN結(jié)均是良好的。2.可控硅反向電壓時能夠阻斷，不導(dǎo)通3可控硅正向在控制極開路時能夠阻斷4如果控制極加了正向電流，而陽極加正向電壓時可控硅可以導(dǎo)通，且撤去控制極電流后仍能維持導(dǎo)通。檢查好壞的方法：測極電阻。

用螺旋雙線或屏蔽線。門極和MT1間加電阻1kΩ或更小，高頻旁路電容和門極間串接電阻。另一解決辦法，選用H系列低靈敏度雙向可控硅。規(guī)則5若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起問題，在MT1和MT2間加入RC緩沖電路。若高dICOM/dt可能引起問題，加入一幾mH的電感和負(fù)載串聯(lián)。另一種解決辦法，采用Hi-Com雙向可控硅。準(zhǔn)則6假如雙向可控硅模塊的VDRM在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出，采用下列措施之一：負(fù)載上串聯(lián)電感量為幾μH的不飽和電感，以限制IT/dt；用MOV跨接于電源，并在電源側(cè)增加濾波電路。準(zhǔn)則7選用好的門極觸發(fā)電路，避開3+象限工況，可以限度提高雙向可控硅模塊的dIT/dt承受能力。準(zhǔn)則8若雙向可控硅模塊的dIT/dt有可能被超出，負(fù)載上串聯(lián)一個幾μH的無鐵芯電感或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對電阻性負(fù)載采用零電壓導(dǎo)通。準(zhǔn)則9器件固定到散熱器時，避免讓雙向可控硅模塊受到應(yīng)力。固定，然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。準(zhǔn)則10為了長期可靠工作，應(yīng)保證Rthj-a足夠低，維持Tj不高于Tjmax，其值相應(yīng)于可能的環(huán)境溫度。以上就是可控硅模塊的使用準(zhǔn)則，正確使用，既能延長可控硅模塊的使用壽命，又能保證可控硅模塊的穩(wěn)定運行。淄博正高電氣以客戶永遠(yuǎn)滿意為標(biāo)準(zhǔn)的一貫方針。

在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時，可控硅模塊被觸發(fā)導(dǎo)通。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導(dǎo)通的時間就早；Ug到來得晚，可控硅模塊導(dǎo)通的時間就晚。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導(dǎo)通的時間就早；Ug到來得晚，可控硅模塊導(dǎo)通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個周期定為180，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內(nèi)可控硅模塊導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現(xiàn)了可控整流。以上就是可控硅模塊在整流電路中的應(yīng)用，希望對您有所幫助。你知道可控硅模塊轉(zhuǎn)換電壓的變化率是什么嗎？可控硅模塊經(jīng)常會出現(xiàn)在我們的周圍，在生活中也會經(jīng)常的用到。不斷開發(fā)新的產(chǎn)品，并建立了完善的服務(wù)體系。云南可控硅整流模塊

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