由可控硅組成的調(diào)工系統(tǒng)以及交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)得到了普遍的應(yīng)用。再說(shuō)說(shuō)晶閘管“晶閘管”是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，也被叫做可控硅整流器，之前被簡(jiǎn)稱為可控硅。晶閘管它的結(jié)構(gòu)是PNPN半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，有三個(gè)極：陰極，陽(yáng)極以及控制極。晶閘管因?yàn)樗髌鞯奶匦裕黄毡閼?yīng)用在高電壓，大電流等工作中。接下來(lái)說(shuō)一下兩者的區(qū)別晶閘管又叫可控硅，可控硅是簡(jiǎn)稱，它屬于功率器件領(lǐng)域，是一種半導(dǎo)體的開(kāi)關(guān)元件。可控硅可以分為單向和雙向可控硅?？煽毓栌腥齻€(gè)，分別由陽(yáng)極、陰極以及控制極三者組成。而單向可控硅和雙向可控硅的符號(hào)也不相同。單向可控硅有三個(gè)PN結(jié)，而單向可控硅有其獨(dú)特的特性：當(dāng)陽(yáng)極接反向電壓，或者陽(yáng)極接正向電壓但控制極不加電壓時(shí)，它都不導(dǎo)通，而陽(yáng)極和控制極同時(shí)接正向電壓時(shí)，它就會(huì)變成導(dǎo)通狀態(tài)。雙向可控硅的引腳大多按照T1、T2、G的順序從左到右來(lái)排列。與單向可控硅的區(qū)別是，雙向可控硅G極上觸發(fā)脈沖的極性改變時(shí)，其導(dǎo)通方向就隨著極性的變化而改變，從而能夠控制交流電負(fù)載。而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從陽(yáng)極向陰極單方向?qū)?，所以可控硅有單雙向之分?？煽毓韬途чl管的區(qū)分，你學(xué)會(huì)了嗎？可控硅（也叫晶閘管）分為單向可控硅和雙向可控硅兩種類型。淄博正高電氣公司依托便利的區(qū)位和人才優(yōu)勢(shì)。東營(yíng)可控硅異相觸發(fā)器模塊

開(kāi)關(guān)的開(kāi)啟和關(guān)閉引起的脈沖電壓分為以下兩類：（1）交流電源接通、斷開(kāi)產(chǎn)生的過(guò)電壓如交流開(kāi)關(guān)分合、交流側(cè)熔斷器熔斷等引起的過(guò)電壓，由于變壓器繞組的分布電容、漏抗引起的諧振回路、電容分壓等原因，這些過(guò)電壓值是正常值的2～10倍以上。一般來(lái)說(shuō)，開(kāi)閉速度越快，過(guò)電壓越高，則在無(wú)負(fù)載下斷開(kāi)晶閘管模塊時(shí)過(guò)電壓就越高。（2）直流側(cè)產(chǎn)生的過(guò)電壓例如，如果切斷電路的電感較大，或者切斷時(shí)電流值較大，就會(huì)產(chǎn)生較大的過(guò)電壓。當(dāng)負(fù)載被移除，可控硅模塊的開(kāi)路被打開(kāi)，或者快速熔斷器的熔體燃燒是由電流的突然變化引起時(shí)，就會(huì)發(fā)生這種情況。以上就是可控硅模塊受過(guò)電壓的損壞，希望通過(guò)這篇文章可以對(duì)您有所幫助。可控硅模塊分為壓接式和焊接式，兩者有什么區(qū)別呢？可控硅模塊具有體積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、方便操作、安全可靠等優(yōu)點(diǎn)，對(duì)于電氣行業(yè)起著至關(guān)重要的作用，它的分類也是比較多，不同類型具有不同的功能，下面正高電氣來(lái)說(shuō)說(shuō)壓接式可控硅模塊和焊接式可控硅模塊的區(qū)別有哪些？①?gòu)碾娏鞣矫鎭?lái)講，焊接式可控硅模塊可以做到160A電流，同時(shí)壓接式模塊的電流就能夠達(dá)到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時(shí)也有壓接式的。②從外形方面來(lái)講。江蘇可控硅智能模塊淄博正高電氣會(huì)為您提供專業(yè)培訓(xùn)，科學(xué)管理與運(yùn)營(yíng)。

    在設(shè)計(jì)雙向可控硅模塊觸發(fā)電路時(shí)，盡可能避免使用3+象限（wt2-，+）。為了減少雜波吸收，將柵極連接的長(zhǎng)度變小，可以直接返回線直接連接到MT1(或陰極)。如果使用硬線，則使用雙螺旋線或屏蔽線。閘門與MT1之間的電阻小于等于1K。高頻旁路電容器與柵電阻串聯(lián)。另一種解決方案是使用H系列低靈敏度雙向可控硅模塊。規(guī)則5：如果DVD/DT或DVCOM/DT出現(xiàn)了問(wèn)題，可以再在MT1和MT2之間增加RC緩沖電路。如果高的DICOM/DT可能會(huì)引起問(wèn)題，增加幾個(gè)mh電感和負(fù)載串聯(lián)。另一種解決方案是使用hi-com雙向可控硅模塊。標(biāo)準(zhǔn)6：在嚴(yán)重和異常供電的瞬時(shí)過(guò)程中，如果可能超過(guò)雙向可控硅模塊的電壓互感器，則采取以下措施之一：在負(fù)載上設(shè)置幾個(gè)μH的串聯(lián)電感，以限制DIT/DT的電壓互感器；連接電源，并在電源側(cè)增加濾波電路。準(zhǔn)則7：選擇一個(gè)良好的觸發(fā)電路，避免象限條件，可以較大限度地提高雙向可控硅模塊的DIT/DT承載能力。標(biāo)準(zhǔn)8：如果雙向可控硅模塊的DIT/DT可能超過(guò)，在負(fù)載上串聯(lián)一個(gè)沒(méi)有電感或負(fù)溫度系數(shù)為幾μH的熱敏電阻。另一種解決方案是電阻負(fù)載的零電壓傳導(dǎo)。規(guī)則9：當(dāng)裝置固定在散熱器上時(shí)，避免對(duì)雙向可控硅模塊施加壓力，然后焊接導(dǎo)線。

溫度計(jì)的放置應(yīng)不受外來(lái)輻射熱與氣流的影響，環(huán)境溫度數(shù)值的讀取與工作溫度數(shù)值的讀取應(yīng)同時(shí)進(jìn)行。2可控硅模塊溫升按下式計(jì)算：式中：Δt--可控硅模塊的溫升(℃)。3可控硅模塊工作溫度的測(cè)定：被測(cè)可控硅模塊溫升的測(cè)定，通常與減速機(jī)的承載能力及傳動(dòng)效率測(cè)定同時(shí)進(jìn)行，也可單獨(dú)進(jìn)行，被測(cè)減速機(jī)在符合規(guī)定時(shí)，讀取它在額定轉(zhuǎn)速、額定輸入功率下的工作溫度相信大家在了解可控硅模塊的升溫測(cè)試方法之后，在以后的使用中就可以測(cè)試溫度，如果溫度過(guò)高就及時(shí)采取降溫措施，這樣能夠提高工作效率，又使機(jī)器受到了保護(hù)。以上便是小編給大家推薦的如何測(cè)試可控硅升溫的方法，希望對(duì)大家有所幫助?？煽毓瑁脖唤凶鼍чl管，它是一種大功率的電器元件。可控硅憑借著體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，從而在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)以及隨動(dòng)系統(tǒng)中都有很普遍的應(yīng)用?？煽毓杩梢苑譃閱蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅這兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴}。淄博正高電氣注重于產(chǎn)品的環(huán)保性能，將應(yīng)用美學(xué)與環(huán)保健康結(jié)合起來(lái)。

    50Hz正弦半波電流的平均值可以在陽(yáng)極和陰極之間連續(xù)通過(guò)。當(dāng)控制極開(kāi)路未觸發(fā)，陽(yáng)極正向電壓不超過(guò)導(dǎo)電電壓時(shí)，正向阻斷峰值電壓vpf可重復(fù)施加在晶閘管兩端。晶閘管的峰值正電壓不應(yīng)超過(guò)手冊(cè)中給出的參數(shù)。反向阻斷峰值電壓vpr當(dāng)受控硅加反向電壓處于反向開(kāi)關(guān)狀態(tài)時(shí)，反向峰值電壓可在受控硅的兩端重復(fù)。使用時(shí)，不能超過(guò)手冊(cè)中給出的此參數(shù)值?？煽毓璧奶攸c(diǎn)：在指定的環(huán)境溫度下，當(dāng)控制極觸發(fā)電流IG1和觸發(fā)電壓VGT被加到陽(yáng)極和陰極之間的特定電壓時(shí)，晶閘管從關(guān)斷狀態(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)所需的較小控制極電流和電壓。將電流IH維持在指定的溫度，控制極開(kāi)路，并保持晶閘管導(dǎo)電所需的較小陽(yáng)極正向電流。許多新型晶閘管元件相繼問(wèn)世，如適用于高頻應(yīng)用的快速晶閘管，可由正、負(fù)觸發(fā)信號(hào)控制，可由正觸發(fā)信號(hào)導(dǎo)通。用負(fù)觸發(fā)信號(hào)把它關(guān)掉的晶閘管，以此類推。可控硅晶閘管模塊和其他設(shè)備一樣，在實(shí)際使用過(guò)程中會(huì)因?yàn)樽陨淼墓亩儫帷Ｈ绻徊扇∵m當(dāng)?shù)拇胧┌l(fā)射熱量，則很可能導(dǎo)致模塊的PN結(jié)溫度急劇上升。該裝置的特性不斷惡化，直至完全損壞。因此，為了保證可控硅晶閘管模塊的正常使用，合理的散熱是非常重要的。淄博正高電氣銳意進(jìn)取，持續(xù)創(chuàng)新為各行各業(yè)提供專業(yè)化服務(wù)。云南單向可控硅模塊廠家

淄博正高電氣以客戶永遠(yuǎn)滿意為標(biāo)準(zhǔn)的一貫方針。東營(yíng)可控硅異相觸發(fā)器模塊

    但其缺點(diǎn)是適用于時(shí)間常數(shù)大于開(kāi)關(guān)周期的系統(tǒng)，如恒溫裝置。可控硅模塊和固態(tài)繼電器的區(qū)別可控硅模塊與固態(tài)繼電器很相似，說(shuō)到它們倆很多人都分不清楚，就更不知道它們兩者有什么區(qū)別和作用，下面正高來(lái)教您如何區(qū)分一下，并看看他們有什么區(qū)別？所謂單相固態(tài)繼電器，它只相當(dāng)于一個(gè)開(kāi)關(guān)，不能起到任何調(diào)節(jié)電流的作用，而晶閘管模塊可以控制導(dǎo)通角，可以調(diào)節(jié)電流的大小，并且在一定程度上，單相固態(tài)繼電器可以用可控硅作主要元件。不同的是，固態(tài)繼電器的動(dòng)作電壓和控制電壓通過(guò)電路的內(nèi)部部分，如光耦分開(kāi)，如果你不明白，相信你可以看看一個(gè)固定繼電器的內(nèi)部。此外，晶閘管模塊可以是單向或雙向、過(guò)零觸發(fā)或移相觸發(fā)。當(dāng)然，固態(tài)繼電器也是如此。可以說(shuō)，晶閘管模塊和單相固態(tài)繼電器的用途和形式都是同一類型的產(chǎn)品。從這一點(diǎn)上來(lái)說(shuō)，可以說(shuō)沒(méi)有區(qū)別。固定繼電器由可控硅制成。可能有很多人說(shuō)，這兩者是沒(méi)有任何差異的，實(shí)際上，晶閘管模塊和單相固態(tài)繼電器是有區(qū)別的。主要區(qū)別在于晶閘管是可控硅模塊，而單相固定繼電器是可控硅+同步觸發(fā)驅(qū)動(dòng)。固態(tài)繼電器是由雙向可控硅發(fā)展來(lái)的，可控硅的觸發(fā)端在實(shí)際使用時(shí)得隔離，固態(tài)繼電器則已經(jīng)集成了隔離的觸發(fā)端。 東營(yíng)可控硅異相觸發(fā)器模塊