公司成立于2023年，總部設(shè)立在深圳，同時(shí)在成都設(shè)有研發(fā)中心。**研發(fā)團(tuán)隊(duì)來自國(guó)內(nèi)外前列半導(dǎo)體公司，擁有多位海歸大廠技術(shù)骨干，都擁有著10年以上的芯片開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，擁有強(qiáng)大的研發(fā)創(chuàng)新能力。創(chuàng)立之初便推出了多款移動(dòng)電源SOC，幫助客戶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品升級(jí)，受到客戶的高度認(rèn)可。移動(dòng)電源SOC具有高集成、多協(xié)議雙向快充，集成了同步開關(guān)升降壓變換器、電池充放電管理模塊、電量計(jì)算模塊、顯示模塊、協(xié)議模塊，并提供輸入/輸出的過壓/欠壓，電池過充/過放、NTC過溫、放電過流、輸出短路保護(hù)等保護(hù)功能，支持1-6節(jié)電池。移動(dòng)電源soc芯片DS5136B+MPP無線充 （QI2.0）22.5W 單串移動(dòng)電源+無線充.北京XBM325賽芯集成MOS 兩節(jié)鋰保

XBM3360   用于3串鋰電池的保護(hù)芯片，3串 集成Sense   芯片內(nèi)置高精度電壓檢測(cè)電路和電流檢測(cè)電路，支持電池過充電、過放電、充電過電流、放電過電流和短路保護(hù)功能，具備25mV過充電檢測(cè)精度， 鋰電池具備電壓高、能量密度大、循環(huán)壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，在各種需要儲(chǔ)能的場(chǎng)景都有廣泛應(yīng)用。但對(duì)于鋰電池而言，過充、過放、過壓、過流等情況都會(huì)導(dǎo)致電池異常，影響電池使用壽命。因此，多串鋰電池需要保護(hù)IC來監(jiān)控和保護(hù)電池，避免出現(xiàn)危險(xiǎn)狀況\多串鋰電池保護(hù)IC及其特點(diǎn)江門DS6036賽芯內(nèi)置MOS 兩節(jié)鋰保XF5131是賽芯退出的一款集成充電管理、鋰電池保護(hù)、低功耗二合一芯片。

XBM5244 用于3-4串鋰電池的保護(hù)芯片，芯片內(nèi)置高精度電壓檢測(cè)電路和電流檢測(cè)電路，支持電池過充電、過放電、充電過電流、放電過電流和短路保護(hù)功能，具備25mV過充電檢測(cè)精度，3~4串集成均衡/NTC/Sense/SSOP16  概述鋰電池具備電壓高、能量密度大、循環(huán)壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，在各種需要儲(chǔ)能的場(chǎng)景都有廣泛應(yīng)用。但對(duì)于鋰電池而言，過充、過放、過壓、過流等情況都會(huì)導(dǎo)致電池異常，影響電池使用壽命。因此，多串鋰電池需要保護(hù)IC來監(jiān)控和保護(hù)電池，避免出現(xiàn)危險(xiǎn)狀況

    多節(jié)鋰電保護(hù)產(chǎn)品二級(jí)保護(hù)解析二級(jí)保護(hù)的定義和作用在鋰電池應(yīng)用中，由于過充電、過放電以及過充電過放電電流等情況會(huì)導(dǎo)致電池內(nèi)部發(fā)生化學(xué)副反應(yīng)，嚴(yán)重影響電池性能與使用壽命，甚至引發(fā)安全問題，因此需要對(duì)電池進(jìn)行保護(hù)。一級(jí)保護(hù)通常由IC和MOSFET在充電和放電周期期間為電池組提供，而二級(jí)保護(hù)則是在一級(jí)保護(hù)的基礎(chǔ)上，確保完整的用戶安全，為裝置在正常操作范圍之外的情況下提供保護(hù)14。二級(jí)保護(hù)的具體體現(xiàn)電壓異常保護(hù)過充電保護(hù)：當(dāng)電池充電時(shí)，若任意一節(jié)電池達(dá)到充滿狀態(tài)，二級(jí)保護(hù)會(huì)發(fā)揮作用。設(shè)計(jì)的8串15A放電鋰電保護(hù)板中，任意一節(jié)電池充滿，相應(yīng)的OC口會(huì)變?yōu)榈碗娖剑箤?duì)應(yīng)的管子截止，進(jìn)而讓OC變?yōu)榈碗娖剑Y(jié)束充電周期。 4-5串鋰電池保護(hù) XBM4451/4551 4串和5串/集成Sense/NTC/SOP16。

    主要描述XBM4530系列產(chǎn)品內(nèi)置高精度的電壓檢測(cè)電路和延遲電路，是一款用于可充電電池組的二級(jí)保護(hù)芯片，通過檢測(cè)電池包中每一節(jié)電芯的電壓，為電池包提供過充電保護(hù)和過放保護(hù)1。功能特點(diǎn)高精度電池電壓檢測(cè)功能：過充電檢測(cè)電壓-（步進(jìn)50mV），精度±25mV；過充電電壓0-（步進(jìn)50mV），精度±50mV；過放電檢測(cè)電壓-（步進(jìn)100mV），精度±80mV；過放電電壓0V-（步進(jìn)100mV），精度±100mV1。保護(hù)延時(shí)內(nèi)置可選：可根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的保護(hù)延時(shí)1。內(nèi)置斷線保護(hù)功能（可選）：增加了電池使用的安全性1。輸出方式可選：有CMOS輸出、N溝道開路漏級(jí)輸出、P溝道開路漏級(jí)輸出三種方式1。輸出邏輯可選：動(dòng)態(tài)輸出H、動(dòng)態(tài)輸出。 正極保護(hù)的鋰電池保護(hù)方案。蘇州DS6066賽芯廠家

鋰保PCB應(yīng)用注意事項(xiàng)-布局。北京XBM325賽芯集成MOS 兩節(jié)鋰保

鋰電保護(hù)應(yīng)用原理圖①按鋰電池保護(hù)芯片的典型原理圖設(shè)計(jì)，鋰電保護(hù)的GND接電池的B-，不能接外部大地，芯片的VM接外部大地。②帶EPAD的芯片，一般EPAD接芯片的GND（B-），請(qǐng)嚴(yán)格按照規(guī)格書中的典型原理圖來做。③鋰電池保護(hù)芯片帶VT腳的，VT腳通常可接芯片GND（B-），或者懸空。④典型應(yīng)用圖中的100Ω/1KΩ電阻與，濾除電池電壓的劇烈波動(dòng)和外部強(qiáng)烈電壓干擾，使得VDD電壓盡量穩(wěn)定，該電阻和電容缺一不可，缺少任何一個(gè)都會(huì)有少燒芯片的可能，增加生產(chǎn)的不良率（XB5432不加電容）。不同IC的電阻取值有差異，請(qǐng)根據(jù)***版的Datesheet的典型應(yīng)用圖或FAE的建議選擇電阻的取值。⑤馬達(dá)應(yīng)用、LED照明應(yīng)用、射頻干擾應(yīng)用、負(fù)載電流劇烈變化的應(yīng)用如音頻功放等，可能需要增大RC濾波的網(wǎng)絡(luò)的R和C的值，如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等，比較大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之間靠近管腳加一個(gè)，可以增強(qiáng)鋰電保護(hù)電路的系統(tǒng)級(jí)ESD，增強(qiáng)對(duì)尖峰電壓等外部信號(hào)的抗干擾能力。⑦鋰電保護(hù)芯片可并聯(lián)使用，減小內(nèi)阻，增強(qiáng)持續(xù)電流，多芯片并聯(lián)使用時(shí)，芯片VDD的RC網(wǎng)絡(luò)，電阻可共用，但電容須要一個(gè)保護(hù)芯片配一個(gè)電容。北京XBM325賽芯集成MOS 兩節(jié)鋰保