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TPS51120RHBR穩(wěn)壓IC

來源: 發(fā)布時間:2023-05-31

升壓穩(wěn)壓器-穩(wěn)壓IC
將輸入電壓高效轉(zhuǎn)換到更高的輸出電壓
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我們品類豐富的升壓穩(wěn)壓器產(chǎn)品系列包括同步和非同步器件,這些器件能夠以高達 96% 的效率滿足從幾毫安到 100A 等各種應(yīng)用的需求。我們的產(chǎn)品具有有助于延長電池壽命的低靜態(tài)電流 (IQ)、實現(xiàn)小尺寸的高功率密度和實現(xiàn)低 EMI 的展頻技術(shù)等關(guān)鍵特性。您可以找到升壓、SEPIC 和反激式解決方案。
按類別分類:
升壓控制器(外部開關(guān))
升壓轉(zhuǎn)換器(集成開關(guān))
升壓模塊(集成電感器)
按類型選擇
控制器
我們提供靈活的同步和非同步升壓控制器以支持更高的功率級別。
我們的低功耗升壓轉(zhuǎn)換器可滿足您對小尺寸解決方案、低系統(tǒng)成本和高功率密度的需求。
我們的升壓模塊支持小解決方案尺寸、高功率密度和快速設(shè)計。
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TI穩(wěn)壓IC-火棒? 包裹

熱棒封裝翻轉(zhuǎn)硅芯片,并將其直接放置在引線框架上,以比較大限度地減少由運行開關(guān)電流的引腳上的鍵合線引起的寄生電感。圖16顯示了HotRod軟件包的結(jié)構(gòu)和優(yōu)點。
隨著功率回路電感的改善,熱棒式封裝也有助于降低功率路徑中的電阻,從而提高效率,同時使較小的解決方案尺寸成為可能。
HotRod封裝中設(shè)備的另一個好處是,它們有助于并行輸入路徑引腳,即DC/DC轉(zhuǎn)換器輸入電容的布局安排。通過優(yōu)化DC/DC轉(zhuǎn)換器的引腳,使輸入電容器的布局具有對稱性,輸入功率回路產(chǎn)生的反向磁場位于對稱回路內(nèi),從而將對附近系統(tǒng)的發(fā)射降至比較低。平行輸入路徑進一步將高頻EMI降至比較低,尤其是在**嚴格的FM頻段,如下圖17所示。

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EMI建模能力
對任何電路進行建模都是早期評估設(shè)計性能的重要方法,因此在縮短設(shè)計周期方面起著關(guān)鍵作用。
EMI建模是一個復(fù)雜的過程,涉及PCB的時域電路分析和頻域電磁仿真。
通過減少設(shè)計迭代次數(shù),對EMI發(fā)射進行建??梢愿焖俚貪M足EMI標準限制。
讓我們回顧一下可用于建模EMI的一些選項。
使用WEBENCH®設(shè)計工具進行低頻EMI設(shè)計
WEBENCH輸入濾波器設(shè)計工具可幫助您自動設(shè)計適當(dāng)?shù)妮斎霝V波器,以減輕符合CISPR 32和CISPR 25等標準的低頻(<30 MHz)傳導(dǎo)EMI噪聲。該工具優(yōu)化過濾器大小,同時確保設(shè)計符合特定標準。在設(shè)計濾波器時,保證了濾波器的穩(wěn)定性和變換器回路的穩(wěn)定性。此在線工具支持100多個TI power設(shè)備。
讓輸入EMI濾波器電感器保持無阻尼狀態(tài)是一個常見的錯誤,這會對總體設(shè)計穩(wěn)定性產(chǎn)生負面影響。WEBENCH設(shè)計工具對輸入濾波器和開關(guān)電源進行阻抗分析(如下圖23所示),并建議適當(dāng)?shù)淖枘峤M件以確保穩(wěn)定性。

真回轉(zhuǎn)率控制
盡管有上述技術(shù),在一些設(shè)計中,高頻EMI(60至250 MHz)可能仍不在規(guī)定的標準限值范圍內(nèi)。為了通過行業(yè)標準,減輕和提高裕度的一種方法是使用與開關(guān)轉(zhuǎn)換器的啟動電容串聯(lián)的電阻器。使用電阻器可以降低開關(guān)邊緣轉(zhuǎn)換率,從而降低EMI,但會帶來效率降低的預(yù)期損失。
LM61440-Q1和LM62440-Q1等開關(guān)轉(zhuǎn)換器的設(shè)計使得可以使用電阻器來選擇高側(cè)FET驅(qū)動器在開啟期間的強度。如下頁圖22所示,通過RBOOT引腳(teal虛線環(huán))的電流被倍增,并從CBOOT(紅色虛線)穿過,以打開高壓側(cè)功率MOSFET。通過這樣做,電阻器可以控制轉(zhuǎn)換速率,但不會遭受串聯(lián)啟動電阻器運行大部分電流時發(fā)生的效率損失。當(dāng)RBOOT對CBOOT短路時,上升時間很快;開關(guān)節(jié)點諧波在高于150 MHz之前不會衰減。如果CBOOT和RBOOT通過700Ω保持連接,則在將13.5 V轉(zhuǎn)換為5 V時,回轉(zhuǎn)時間將增加到10 ns。此緩慢上升時間可使開關(guān)節(jié)點諧波中的能量在大多數(shù)情況下在50 MHz附近衰減。
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德州儀器 穩(wěn)壓IC技術(shù)專題

圖13顯示了在400 kHz開關(guān)頻率下運行的buck變換器的EMI測量結(jié)果,比較了有源和無源EMI濾波方法。為了有效滿足CISPR 25 5級頻譜屏蔽,無源EMI濾波器需要一個3.3μH的DM電感和一個10μF的DM電容。有源濾波方法可以通過*1μH的DM電感器以及100 nF的傳感和注入電容實現(xiàn)相同的有效衰減。這有助于將無源濾波器的大小和體積分別減小到原始值的43%和27%。對于更大電流的轉(zhuǎn)換器,可以通過降低電感直流電阻來獲得成本和效率方面的進一步好處。 電源穩(wěn)壓IC,就選特克集團,原裝現(xiàn)貨!專業(yè)產(chǎn)品顧問為您服務(wù)!LM5122ZPWPT穩(wěn)壓IC

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什么是穩(wěn)壓IC的EMI?
在需要電磁兼容性(EMC)的系統(tǒng)中,用作電磁源的組件設(shè)計用于減少其干擾,易受干擾的組件設(shè)計用于降低其敏感性。當(dāng)終端設(shè)備制造商集成來自不同供應(yīng)商的組件時,確保干擾源和敏感電路能夠和平共存的***方法是制定一套通用規(guī)則,其中干擾限制在一定水平,敏感電路能夠處理該水平的干擾。
這些規(guī)則是在行業(yè)標準規(guī)范中制定的,如國際擾動無線電委員會(CISPR)25用于汽車行業(yè),CISPR32用于多媒體設(shè)備。CISPR標準對于EMI設(shè)計至關(guān)重要,因為它們將規(guī)定任何EMI緩解技術(shù)的目標性能。本文的重點是減少干擾,因為開關(guān)電源通常是電磁干擾源。有關(guān)EMI標準的***列表,請參閱白皮書“電源傳導(dǎo)EMI規(guī)范概述”和“電源輻射EMI規(guī)范概述”
TPS51120RHBR穩(wěn)壓IC

特克集團,2013-11-01正式啟動,成立了集成電路,芯片,IC,二三極管等幾大市場布局,應(yīng)對行業(yè)變化,順應(yīng)市場趨勢發(fā)展,在創(chuàng)新中尋求突破,進而提升TI,ST,MAXIM,MICROCHIP,INFINEON,ADI,NXP,VISHAY,DIODES,TTESEMI的市場競爭力,把握市場機遇,推動電子元器件產(chǎn)業(yè)的進步。是具有一定實力的電子元器件企業(yè)之一,主要提供集成電路,芯片,IC,二三極管等領(lǐng)域內(nèi)的產(chǎn)品或服務(wù)。隨著我們的業(yè)務(wù)不斷擴展,從集成電路,芯片,IC,二三極管等到眾多其他領(lǐng)域,已經(jīng)逐步成長為一個獨特,且具有活力與創(chuàng)新的企業(yè)。值得一提的是,特克集團致力于為用戶帶去更為定向、專業(yè)的電子元器件一體化解決方案,在有效降低用戶成本的同時,更能憑借科學(xué)的技術(shù)讓用戶極大限度地挖掘TI,ST,MAXIM,MICROCHIP,INFINEON,ADI,NXP,VISHAY,DIODES,TTESEMI的應(yīng)用潛能。