穩壓IC的EMI，除了了解特定應用的適當標準外，了解如何測量EMI也很重要，因為這些知識將使您深入了解如何減少EMI。EMI測量通常分為傳導和輻射，這揭示了測量方法和EMI的產生方式。雖然傳導發射通常與較低頻率（<30 MHz）相關，而輻射發射通常與較高頻率（>30 MHz）相關，但兩者之間的區別并不那么簡單，因為傳導和輻射頻率范圍確實重疊。
傳導發射測量旨在量化設備產生并返回其電源的EMI。重要的是：減少許多應用中的這些排放，因為其他敏感電路通常連接到相同的電源線。在處理現代汽車中數量不斷增加的長線束時，降低傳導電磁干擾尤為重要。
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低噪音和精度-TI穩壓IC發展趨勢-2
增強電源和信號完整性，以提高系統級保護和準確性。
為了比較大限度地提高系統性能和可靠性，監控、調節和處理電源鏈中信號的能力至關重要。高精度系統需要精確的低噪聲基準，以及低噪聲和紋波的供電軌。TI使用**工藝組件和先進的電路和測試技術，以提高精度并將失真降至比較低。
?高級功能，如陶瓷封裝和電路板應力管理技術
管理硅和電路板壓力。
系統噪音緩解
?技術進步，使系統級抗干擾性更好
具有高電源抑制比（PSRR）、低壓差調節器（LDO）和片上濾波的干擾和噪聲。
高PSRR可實現更好的濾波和更低的輸出噪聲。
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升壓穩壓器-穩壓IC
將輸入電壓高效轉換到更高的輸出電壓
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我們品類豐富的升壓穩壓器產品系列包括同步和非同步器件，這些器件能夠以高達 96% 的效率滿足從幾毫安到 100A 等各種應用的需求。我們的產品具有有助于延長電池壽命的低靜態電流 (IQ)、實現小尺寸的高功率密度和實現低 EMI 的展頻技術等關鍵特性。您可以找到升壓、SEPIC 和反激式解決方案。
按類別分類:
升壓控制器（外部開關）
升壓轉換器（集成開關）
升壓模塊（集成電感器）
按類型選擇
控制器
我們提供靈活的同步和非同步升壓控制器以支持更高的功率級別。
我們的低功耗升壓轉換器可滿足您對小尺寸解決方案、低系統成本和高功率密度的需求。
我們的升壓模塊支持小解決方案尺寸、高功率密度和快速設計。
圖8說明了時域和頻域中的這些參數。-穩壓IC技術專題
在CISPR 25等標準中，通常會將fm設置在9 kHz左右，以優化低頻段，但這恰好也在音頻范圍內。為了解決這一問題，您可以進一步以偽隨機方式調制三角調制，以傳播可聽能量，而不會對傳導和輻射EMI性能產生重大影響。下頁的圖9說明了時域和頻域中的這種調制模式，這是TPS55165-Q1（同步降壓-升壓轉換器）上的一個功能。
EMI不僅限于單個頻帶（因此也限于單個RBW），而是多個頻帶的事實帶來了困境，因為擴頻通常只能針對單個頻帶的改進。解決這個問題的一種新方法是一種稱為雙隨機擴頻（DRSS）的數字擴頻技術。DRS背后的基本原理是疊加兩個調制剖面，每個調制剖面針對不同的RBW。有關更多信息，請參閱應用報告“EMI抑制技術，雙隨機擴頻”
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取消繞組-TI穩壓IC技術專題
為了幫助很好小化無源濾波的尺寸，針對高功率密度5至20伏交流/直流適配器的65瓦有源箝位反激式硅場效應晶體管參考設計采用了隔離轉換器特有的基于消除繞組和屏蔽的方法。如圖15所示，改進后的內部變壓器結構在內部一次和二次層之間插入了一個額外的輔助繞組層（如黑色所示），用于CM平衡。輔助CM平衡層屏蔽了內半初級到次級接口，并有助于產生抵消CM電壓，使外半初級層的CM注入為零。均衡輔助繞組和一次外層到二次層的寄生電容有助于通過從抵消層推送反相CM電流，使從外半初級層注入二次層的CM電流為零。凈效應（流入二次層的CM電流接近于零）減少了CM發射，明顯幫助設計滿足EMI頻譜標準，且CM濾波很好小。
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TI穩壓IC的EMI不再是事后諸葛亮，因為它有可能在設計階段后期造成重大挫折，這將耗費時間和金錢。
開關電源（SMPS）是現代技術中**普遍的電路之一，在大多數應用中，它比線性穩壓器的效率有了極大的提高。
但這種效率是有代價的，因為開關電源中的功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的開關使其
是電磁干擾的主要來源，而電磁干擾反過來又會影響可靠性。EMI主要來自不連續的輸入電流、開關節點上的快速轉換率、，
以及功率環路中寄生電感引起的沿開關邊緣的附加振鈴。
下頁的圖1說明了這些元素中的每一個如何使用buck轉換器拓撲在不同的頻帶中表現出來。
例如。隨著壓力的增加，增加開關頻率以減小尺寸和成本，并增加轉換率以提高
效率、電磁干擾問題加劇。因此，有必要結合具有成本效益且易于集成的EMI緩解技術不要影響電源設計。
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