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LM3478MMX/NOPB穩壓IC

來源： 發布時間：2023-05-28

功率MOSFET概述：

TI基于穩壓IC的電源管理創新NexFET?技術，與穩壓IC完美結合將垂直電流與橫向功率MOSFET相結合。它提供了一個低導通電阻，需要極低的柵極電荷和行業標準封裝外形，這是以前現有硅平臺無法實現的組合。

NexFET技術為N溝道和P溝道提供高性能功率MOSFET器件。設計師能夠實現90%的供電高輸出電流和低占空比，從輕負載到全負載的效率，**了離散設計的突破。
功率MOSFET，穩壓IC主要包括：N溝道MOSFET晶體管和 P溝道MOSFET晶體管。 特克電子十年IC代理，海量現貨，經營德州儀器穩壓IC，歡迎新老客戶來旬！LM3478MMX/NOPB穩壓IC

降低低頻和高頻范圍內電磁干擾的常規方法2-穩壓IC技術專題


另一種緩解EMI的傳統方法是使用擴頻（或時鐘抖動）來調制開關電源的開關頻率，這將減少與基本開關頻率及其諧波相關的頻譜峰值，但以增加噪聲地板為代價，如圖5所示。
擴頻技術是一種很有吸引力的技術，因為它易于實現，而且您可以將其與其他EMI降低方法結合使用。然而，它并不是***的，因為它只能相對減少現有的電磁干擾，而且本質上，它的性能隨著開關頻率的降低而降低。此外，您傳統上只能將擴頻應用于單個頻帶，原因我們將在下一節中探討。


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UCC28084穩壓IC的說明

UCC38083/4/5/6穩壓IC是一系列BiCMOS脈寬調制（PWM）控制器，用于直流到直流或離線固定頻率電流模式開關電源。雙輸出級配置為推拉拓撲。兩個輸出都使用切換觸發器以振蕩器頻率的一半進行切換。兩個輸出之間的死區時間通常為110ns，將每個輸出的占空比限制在50%以下。
UCC38083穩壓IC和UCC38085穩壓IC設備的開啟/關閉閾值為12.5 V/8.3 V，而UCC38084穩壓IC和UCC38086穩壓IC的開啟/關閉閾值為4.3 V/4.1 V。每個設備均采用8針TSSOP（PW）、8針SOIC（D）和8針PDIP（P）封裝。

穩壓IC-帶導線的SIMPLESWITCHER®模塊易于使用的模塊，適用于需要高達42V輸入電壓的應用。

?單個外露底部?

支持5-V、12-V和24-V導軌

?輸出電流高達10A

?輸出電流高達10A

穩壓IC-微型IP?模塊解決方案總占地面積**小。

?帶集成蓋和電感器：如TPS826x系列（6MHz）和TPS82740

?*帶集成電感器：如TPS82084/85（6-V輸入）和TPS82130/40/50（17-V輸入）

?**功耗，如TPS82740，只有360nAIQ（運行）

?LMZM23601比較高36-V輸入

TI的電源模塊包括實現DC/DC電源解決方案，可簡化設計、減少解決方案大小并縮短開發時間。產品的電壓高達60V，電流高達50A。

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數據表SMPS設備評估模塊中公布的傳導和輻射EMI結果根據**嚴格的工業和汽車EMI標準進行測試，數據表中公布的結果有助于您提前了解設備的EMI性能。您可以通過單擊設備數據表第一頁上的“針對**EMI要求進行了優化”來訪問詳細的EMI報告。LM62440-Q1數據表中的EMI報告包括CISPR 25 5級傳導和輻射設置的完整數據。
此外，TI可以在內部執行系統級EMI建模和測量，以幫助您驗證EMI性能并加快循環時間。
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特克集團，專業經營電源穩壓IC，專業產品顧問為您服務！專業顧問為您服務！UCC2808APW-2穩壓IC

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包裹散熱-穩壓IC知識
?熱棒? 包裝材料
?增強型熱棒QFN，支持熱墊
HotRodTM封裝消除了鍵合線，同時保持了優異的熱性能。
支持小型無源器件的拓撲和電路
?多電平變流器拓撲
?高級功率級門驅動器
多級拓撲結構可實現更小的磁性。
集成比較大限度地減少寄生并減少系統占用F
?MicroSiP 3D模塊集成
?具有低回路電感的GaN和驅動器多芯片模塊（MCM）
GaN+柵驅動器MCM可減少寄生，提高功率密度。

支持3D集成的MicroSiP軟件包。

Tech-Trekt提供全系列TI穩壓IC。 LM3478MMX/NOPB穩壓IC

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