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TL594IPWRG4穩壓IC

來源： 發布時間：2023-05-24
取消繞組-TI穩壓IC技術專題

與非隔離變流器不同，隔離邊界上的額外發射路徑是隔離變流器***模（CM）EMI的關鍵原因。下頁的圖14顯示了標準反激變換器中隔離變壓器上存在的寄生電容。CM電流可通過與每個開關節點相關的寄生電容直接從一次側流向接地。由于繞組之間的寄生電容，CM電流也從初級流向次級，導致測量的CM EMI增加。按照慣例，您可以通過在輸入功率路徑中使用大型CM扼流圈來衰減這種額外干擾。

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真回轉率控制
盡管有上述技術，在一些設計中，高頻EMI（60至250 MHz）可能仍不在規定的標準限值范圍內。為了通過行業標準，減輕和提高裕度的一種方法是使用與開關轉換器的啟動電容串聯的電阻器。使用電阻器可以降低開關邊緣轉換率，從而降低EMI，但會帶來效率降低的預期損失。
LM61440-Q1和LM62440-Q1等開關轉換器的設計使得可以使用電阻器來選擇高側FET驅動器在開啟期間的強度。如下頁圖22所示，通過RBOOT引腳（teal虛線環）的電流被倍增，并從CBOOT（紅色虛線）穿過，以打開高壓側功率MOSFET。通過這樣做，電阻器可以控制轉換速率，但不會遭受串聯啟動電阻器運行大部分電流時發生的效率損失。當RBOOT對CBOOT短路時，上升時間很快；開關節點諧波在高于150 MHz之前不會衰減。如果CBOOT和RBOOT通過700Ω保持連接，則在將13.5 V轉換為5 V時，回轉時間將增加到10 ns。此緩慢上升時間可使開關節點諧波中的能量在大多數情況下在50 MHz附近衰減。
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德州儀器 穩壓IC技術專題

圖13顯示了在400 kHz開關頻率下運行的buck變換器的EMI測量結果，比較了有源和無源EMI濾波方法。為了有效滿足CISPR 25 5級頻譜屏蔽，無源EMI濾波器需要一個3.3μH的DM電感和一個10μF的DM電容。有源濾波方法可以通過*1μH的DM電感器以及100 nF的傳感和注入電容實現相同的有效衰減。這有助于將無源濾波器的大小和體積分別減小到原始值的43%和27%。對于更大電流的轉換器，可以通過降低電感直流電阻來獲得成本和效率方面的進一步好處。

升壓升壓轉換器-數據表規定了-穩壓IC

集成功率MOSFET開關。可實現的實際輸出電流的粗略估計是占空比的函數，可以使用以下公式進行估計：IOUT=0.65xISwitch（**小）x（VIN/VOUT）降壓升壓轉換器-ADC/DC轉換器必須能夠在所有可能的輸入電壓條件下調節輸出電壓，無論VIN高于或低于VOUT。

TI的單電感buck-boost變換器在芯片上集成了四個功率MOSFET，以節省空間并在操作模式之間無縫過渡。

分軌變流器-TPS6513x分軌系列的每個成員

轉換器（+VOUT1/–VOUT2）從一個輸入軌產生調節的正負電源電壓。這降低了BOM成本和空間，同時為工業和汽車應用提供了前列的性能。 電源IC、穩壓IC就找特克電子，德州儀器、亞德諾、英飛凌原裝現貨，期待您的光臨！

數據表SMPS設備評估模塊中公布的傳導和輻射EMI結果根據**嚴格的工業和汽車EMI標準進行測試，數據表中公布的結果有助于您提前了解設備的EMI性能。您可以通過單擊設備數據表第一頁上的“針對**EMI要求進行了優化”來訪問詳細的EMI報告。LM62440-Q1數據表中的EMI報告包括CISPR 25 5級傳導和輻射設置的完整數據。
此外，TI可以在內部執行系統級EMI建模和測量，以幫助您驗證EMI性能并加快循環時間。
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增強型熱棒? QFN公司
增強型HotRod quad flat no lead（QFN）封裝提供了HotRod封裝的所有EMI降低功能，并具有更低開關節點電容的額外優勢，從而大降低了振鈴。在具有增強型熱棒QFN的設備中，寄生在輸入電壓（VIN）和接地（GND）引腳上的電阻-導體-電容器（RLC）也較低
與HotRod軟件包相比。
LM60440-Q1降壓轉換器采用增強型熱棒QFN，下頁圖18顯示了引腳和電路板布局。增強型HotRod QFN不僅提高了效率，還包括封裝中心有一個大型模具連接墊（DAP）的封裝外形。與熱棒封裝相比，DAP有助于通過PCB更好地散熱，并將結溫升高降低15%以上。此外，VIN、GND和開關節點引腳上較低的RLC寄生也會提高效率并降低EMI。正如預期的那樣，這會產生更好的EMI，尤其是在交換機節點振鈴頻帶周圍
如下圖19所示。
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