節能：使用低IQ穩壓ICLDOTI的穩壓IC
低IQLDO有助于在各種應用程序中節省電源。通過將靜態電流消耗保持在比較低限度，這些LDO延長了電池壽命，管理了備用電源，并優化了電池備份系統。清理電源：使用穩壓IC低噪音LDO.TI的**噪聲LDO解決方案為**敏感的負載供電提供了一種簡單有效的方法。低噪聲LDO消除電壓紋波，提供清潔的直流電源，確保比較好信號完整性。
具有寬VIN和電流保護的魯棒LDO 穩壓IC 增強了系統可靠性.
TI的寬輸入電壓LDO（高達100V）有助于管理自動化系統、電器和HVAC應用的大瞬態電壓。寬VINLDO具有折疊電流、反向電流、熱穩定性和對地短路保護等其他高性能功能，可保護任何系統免受損壞。
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TI穩壓IC-火棒? 包裹
熱棒封裝翻轉硅芯片，并將其直接放置在引線框架上，以比較大限度地減少由運行開關電流的引腳上的鍵合線引起的寄生電感。圖16顯示了HotRod軟件包的結構和優點。
隨著功率回路電感的改善，熱棒式封裝也有助于降低功率路徑中的電阻，從而提高效率，同時使較小的解決方案尺寸成為可能。
HotRod封裝中設備的另一個好處是，它們有助于并行輸入路徑引腳，即DC/DC轉換器輸入電容的布局安排。通過優化DC/DC轉換器的引腳，使輸入電容器的布局具有對稱性，輸入功率回路產生的反向磁場位于對稱回路內，從而將對附近系統的發射降至比較低。平行輸入路徑進一步將高頻EMI降至比較低，尤其是在**嚴格的FM頻段，如下圖17所示。
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結論
電子技術的快速發展給功率轉換器的設計帶來了巨大的壓力，因為復雜的系統被塞進了越來越小的空間。敏感系統的接近性使得抑制EMI具有挑戰性。在設計功率轉換器時，必須格外小心，以符合標準機構規定的限制，以確保關鍵系統能夠在噪聲環境中安全運行。
低EMI設計可以節省大量開發周期時間，同時還可以減少電路板面積和解決方案成本。TI提供多種功能和技術來緩解EMI，如擴頻、有源EMI濾波、抵消繞組、封裝創新、集成輸入旁路電容器和真正的轉換速率控制方法。
低噪音和精度-TI穩壓IC發展趨勢
增強電源和信號完整性，以提高系統級保護和準確性。
為了比較大限度地提高系統性能和可靠性，監控、調節和處理電源鏈中信號的能力至關重要。高精度系統需要精確的低噪聲基準，以及低噪聲和紋波的供電軌。TI使用**工藝組件和先進的電路和測試技術，以提高精度并將失真降至比較低。
減少和緩解IC錯誤源
?利用TI高度優化的低噪聲互補金屬氧化物半導體（CMOS）工藝，減少工藝的非理想性。
?利用先進的電路和測試技術減少工藝非理想性的影響。
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高壓電源-穩壓IC：
交流/直流和隔離直流/直流MOSFET和IGBT柵極驅動器TI的100多個門驅動器產品組合提供了業界**快的開關電源，同時滿足了各種規格。優點包括在高開關頻率下具有快速開啟/關閉時間的穩健設計，可減少功率損耗并實現更好的系統性能。TI的門驅動器系列包括低壓側驅動器、半橋驅動器和隔離驅動器。
UCC2751x和UCC2752x
?選定產品的版本
?AEC-Q100適用于部分產品
?非對稱驅動和分離輸出選項可在選定的單通道驅動器上使用
?前列的傳播延遲和與MOSFET功率開關更高的VDD兼容性
?兩個系列都具有TTL和CMOS輸入閾值
UCC27531，UCC27531-Q1
?可采用D和DBV包裝
?FET和IGBT單柵驅動器
?2.5A和5A，35V比較大VDD
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取消繞組-TI穩壓IC技術專題
為了幫助很好小化無源濾波的尺寸，針對高功率密度5至20伏交流/直流適配器的65瓦有源箝位反激式硅場效應晶體管參考設計采用了隔離轉換器特有的基于消除繞組和屏蔽的方法。如圖15所示，改進后的內部變壓器結構在內部一次和二次層之間插入了一個額外的輔助繞組層（如黑色所示），用于CM平衡。輔助CM平衡層屏蔽了內半初級到次級接口，并有助于產生抵消CM電壓，使外半初級層的CM注入為零。均衡輔助繞組和一次外層到二次層的寄生電容有助于通過從抵消層推送反相CM電流，使從外半初級層注入二次層的CM電流為零。凈效應（流入二次層的CM電流接近于零）減少了CM發射，明顯幫助設計滿足EMI頻譜標準，且CM濾波很好小。
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