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UCD7230RGWR穩壓IC

來源： 發布時間：2023-05-24

降低低頻和高頻范圍內電磁干擾的常規方法-穩壓IC技術專題
當系統共享公共物理觸點時，開關電源中不連續電流產生的輸入電壓紋波可傳導至其他系統。如果沒有適當的緩解措施，過大的輸入或輸出電壓紋波可能會危及電源、負載或相鄰系統的運行。
傳統上，您可以通過使用基于無源電感電容器（LC）的EMI濾波器來**小化輸入紋波，如圖4所示。LC濾波器提供滿足EMI規范所需的衰減。
取舍是根據所需衰減對系統的尺寸和成本進行懲罰，這將降低總體功率密度。而且用于輸入EMI濾波器設計的大型電感器由于其較低的自諧振頻率而在大于30 MHz的頻率下失去衰減，因此需要鐵氧體磁珠等附加組件來處理高頻衰減。

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功率MOSFET概述：

TI基于穩壓IC的電源管理創新NexFET?技術，與穩壓IC完美結合將垂直電流與橫向功率MOSFET相結合。它提供了一個低導通電阻，需要極低的柵極電荷和行業標準封裝外形，這是以前現有硅平臺無法實現的組合。

NexFET技術為N溝道和P溝道提供高性能功率MOSFET器件。設計師能夠實現90%的供電高輸出電流和低占空比，從輕負載到全負載的效率，**了離散設計的突破。
功率MOSFET，穩壓IC主要包括：N溝道MOSFET晶體管和 P溝道MOSFET晶體管。 TPS53014DGS穩壓IC電源穩壓IC，就選特克集團，原廠代理！期待您的光臨！

升壓升壓轉換器-數據表規定了-穩壓IC

集成功率MOSFET開關。可實現的實際輸出電流的粗略估計是占空比的函數，可以使用以下公式進行估計：IOUT=0.65xISwitch（**小）x（VIN/VOUT）降壓升壓轉換器-ADC/DC轉換器必須能夠在所有可能的輸入電壓條件下調節輸出電壓，無論VIN高于或低于VOUT。

TI的單電感buck-boost變換器在芯片上集成了四個功率MOSFET，以節省空間并在操作模式之間無縫過渡。

分軌變流器-TPS6513x分軌系列的每個成員

轉換器（+VOUT1/–VOUT2）從一個輸入軌產生調節的正負電源電壓。這降低了BOM成本和空間，同時為工業和汽車應用提供了前列的性能。

取消繞組-TI穩壓IC技術專題

與非隔離變流器不同，隔離邊界上的額外發射路徑是隔離變流器***模（CM）EMI的關鍵原因。下頁的圖14顯示了標準反激變換器中隔離變壓器上存在的寄生電容。CM電流可通過與每個開關節點相關的寄生電容直接從一次側流向接地。由于繞組之間的寄生電容，CM電流也從初級流向次級，導致測量的CM EMI增加。按照慣例，您可以通過在輸入功率路徑中使用大型CM扼流圈來衰減這種額外干擾。

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設計低 EMI 電源-穩壓IC
探索這個綜合培訓系列，了解更多關于 EMI 的基礎知識、有助于減少排放的各種技術等
隨著電子系統變得越來越密集和互連，減少電磁干擾 (EMI) 的影響正成為越來越重要的系統設計考慮因素。EMI 不再是事后的想法，因為它有可能在設計階段后期造成重大挫折，耗費時間和金錢。
TI 提供多種功能和技術來減輕所有相關頻段中的 EMI。我們的設備和技術不僅可以幫助設計人員改進濾波器尺寸和成本，還可以減少設計時間和復雜性。
為了幫助您設計更高效的電源以滿足 EMI 要求，請從我們的綜合培訓系列開始，我們首先提供 EMI 的基礎知識，然后深入了解特定的 IC 和封裝創新、有關外部組件選擇和布局的設計技巧以及以特定應用的 EMI 主題結束。

本培訓系列的主題概述：
EMI 的基本原理
通過 IC 和封裝創新降低 EMI
通過輸入濾波器設計、PCB 和 BOM 優化降低 EMI
特定應用的 EMI 注意事項
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穩壓IC專題

由于DC/DC轉換器的功率路徑中存在寄生電感，高轉換率還會導致高頻開關節點振鈴，從而進一步增加振鈴頻率及以上的發射。 UCD7230RGWR穩壓IC
下頁的圖7顯示了切換節點上的轉換速率和相關振鈴如何影響排放。限制開關轉換引起的EMI發射的傳統方法是通過在開關設備的柵極驅動路徑中添加有意的電阻來降低它們的速度。這會導致轉換速度變慢，導致更快的發射衰減，并在振鈴頻率下減少8到10 dB的發射。然而，這種開關邊緣的減速會導致開關轉換器的峰值電流效率降低2%-3%。

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