TI穩壓IC-火棒? 包裹
熱棒封裝翻轉硅芯片，并將其直接放置在引線框架上，以比較大限度地減少由運行開關電流的引腳上的鍵合線引起的寄生電感。圖16顯示了HotRod軟件包的結構和優點。
隨著功率回路電感的改善，熱棒式封裝也有助于降低功率路徑中的電阻，從而提高效率，同時使較小的解決方案尺寸成為可能。
HotRod封裝中設備的另一個好處是，它們有助于并行輸入路徑引腳，即DC/DC轉換器輸入電容的布局安排。通過優化DC/DC轉換器的引腳，使輸入電容器的布局具有對稱性，輸入功率回路產生的反向磁場位于對稱回路內，從而將對附近系統的發射降至比較低。平行輸入路徑進一步將高頻EMI降至比較低，尤其是在**嚴格的FM頻段，如下圖17所示。
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低噪音和精度-TI穩壓IC發展趨勢-2
增強電源和信號完整性，以提高系統級保護和準確性。
為了比較大限度地提高系統性能和可靠性，監控、調節和處理電源鏈中信號的能力至關重要。高精度系統需要精確的低噪聲基準，以及低噪聲和紋波的供電軌。TI使用**工藝組件和先進的電路和測試技術，以提高精度并將失真降至比較低。
?高級功能，如陶瓷封裝和電路板應力管理技術
管理硅和電路板壓力。
系統噪音緩解
?技術進步，使系統級抗干擾性更好
具有高電源抑制比（PSRR）、低壓差調節器（LDO）和片上濾波的干擾和噪聲。
高PSRR可實現更好的濾波和更低的輸出噪聲。
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包裹散熱-穩壓IC知識
?熱棒? 包裝材料
?增強型熱棒QFN，支持熱墊
HotRodTM封裝消除了鍵合線，同時保持了優異的熱性能。
支持小型無源器件的拓撲和電路
?多電平變流器拓撲
?高級功率級門驅動器
多級拓撲結構可實現更小的磁性。
集成比較大限度地減少寄生并減少系統占用F
?MicroSiP 3D模塊集成
?具有低回路電感的GaN和驅動器多芯片模塊（MCM）
GaN+柵驅動器MCM可減少寄生，提高功率密度。
支持3D集成的MicroSiP軟件包。
Tech-Trekt提供全系列TI穩壓IC。
取消繞組-TI穩壓IC技術專題
為了幫助很好小化無源濾波的尺寸，針對高功率密度5至20伏交流/直流適配器的65瓦有源箝位反激式硅場效應晶體管參考設計采用了隔離轉換器特有的基于消除繞組和屏蔽的方法。如圖15所示，改進后的內部變壓器結構在內部一次和二次層之間插入了一個額外的輔助繞組層（如黑色所示），用于CM平衡。輔助CM平衡層屏蔽了內半初級到次級接口，并有助于產生抵消CM電壓，使外半初級層的CM注入為零。均衡輔助繞組和一次外層到二次層的寄生電容有助于通過從抵消層推送反相CM電流，使從外半初級層注入二次層的CM電流為零。凈效應（流入二次層的CM電流接近于零）減少了CM發射，明顯幫助設計滿足EMI頻譜標準，且CM濾波很好小。
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低靜態電流（IQ）-穩壓IC趨勢知識
在不影響電池操作系統的系統性能的情況下延長電池和保質期，在空載或輕載條件下實現高效率需要電源解決方案在保持**電源電流的同時嚴格調節輸出。
憑借TI的**智商技術和產品組合，您可以比較大限度地延長電池運行時間，并在下一次設計中實現低功耗。
低待機功率
?使用**泄漏組件和新型控制拓撲延長電池運行時間
快速響應時間
?通過快速喚醒電路和自適應偏置增強系統功能，以提高動態響應時間，同時保持**靜態功耗
小外形尺寸
?應用程序支持模具和封裝尺寸，無需通過TI的**電路技術，降低靜態功耗。
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5.線性調節器（LDO）-穩壓IC概述和選擇指南-
穩壓IC概述穩壓IC低壓差線性穩壓器（LDO）是一種簡單、有效的調節由較高輸入電壓供電的輸出電壓的方法。德州儀器（TI）擁有***的LDO產品組合，其特點是小尺寸封裝、低靜態電流（低IQ）以擴展電池壽命長，低噪聲LDO具有高電源抑制比（PSRR），低固有噪聲，高輸出電流和快速瞬態響應速度快，高壓LDO適用于惡劣的汽車環境。
穩壓IC減少解決方案大小：
使用小尺寸、高性能LDO，當今電子設計的復雜性和密度相當于有限的PCB空間。為了應對電子設備越來越小的趨勢，穩壓IC-LDO必須提供相同的性能，同時消耗盡可能少的空間。TI提供了許多LDO，可滿足高性能需求和微小的解決方案規模。
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