低噪音和精度-TI穩壓IC發展趨勢-2
增強電源和信號完整性，以提高系統級保護和準確性。
為了比較大限度地提高系統性能和可靠性，監控、調節和處理電源鏈中信號的能力至關重要。高精度系統需要精確的低噪聲基準，以及低噪聲和紋波的供電軌。TI使用**工藝組件和先進的電路和測試技術，以提高精度并將失真降至比較低。
?高級功能，如陶瓷封裝和電路板應力管理技術
管理硅和電路板壓力。
系統噪音緩解
?技術進步，使系統級抗干擾性更好
具有高電源抑制比（PSRR）、低壓差調節器（LDO）和片上濾波的干擾和噪聲。
高PSRR可實現更好的濾波和更低的輸出噪聲。
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有源EMI濾波-TI穩壓IC技術專題
為了大幅改善低頻頻譜中的發射，LM25149-Q1降壓控制器采用了有源EMI濾波方法。集成有源EMI濾波器通過充當有效的低阻抗分流器，減少輸入端的DM傳導發射。圖12顯示了buck控制器的有源EMI濾波器如何連接到輸入線。傳感和注入引腳通過各自的電容器連接到輸入端。有源EMI濾波器塊內的有源元件放大感測信號，并通過注入電容器注入適當的反極性信號，以**小化輸入線上的整體干擾。這減少了
過濾所需無源元件的負擔，從而減少其尺寸、體積和成本。
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低靜態電流（IQ）-穩壓IC趨勢知識
在不影響電池操作系統的系統性能的情況下延長電池和保質期，在空載或輕載條件下實現高效率需要電源解決方案在保持**電源電流的同時嚴格調節輸出。
憑借TI的**智商技術和產品組合，您可以比較大限度地延長電池運行時間，并在下一次設計中實現低功耗。
低待機功率
?使用**泄漏組件和新型控制拓撲延長電池運行時間
快速響應時間
?通過快速喚醒電路和自適應偏置增強系統功能，以提高動態響應時間，同時保持**靜態功耗
小外形尺寸
?應用程序支持模具和封裝尺寸，無需通過TI的**電路技術，降低靜態功耗。
功率MOSFET概述：
TI基于穩壓IC的電源管理創新NexFET?技術，與穩壓IC完美結合將垂直電流與橫向功率MOSFET相結合。它提供了一個低導通電阻，需要極低的柵極電荷和行業標準封裝外形，這是以前現有硅平臺無法實現的組合。
NexFET技術為N溝道和P溝道提供高性能功率MOSFET器件。設計師能夠實現90%的供電高輸出電流和低占空比，從輕負載到全負載的效率，**了離散設計的突破。
功率MOSFET，穩壓IC主要包括：N溝道MOSFET晶體管和 P溝道MOSFET晶體管。
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穩壓IC-開放式機架PTH08T2xx“T2”電源模塊高電流模塊，
用于需要高達50A的應用。
?高達50A的高輸出電流
?渦輪變速器?可調瞬態響應特性
?均流（50-A版本）
穩壓IC-QFN電源模塊易于使用的高功率密度模塊，
適用于占地面積小的應用。
?輸入電壓范圍：2.95至60V
?輸出電流高達30A
?功能豐富靈活
?只需要三個外部組件
穩壓IC-帶導線的SIMPLESWITCHER®模塊易于使用的模塊，
適用于需要高達42V輸入電壓的應用。
?單個外露底部
?支持5-V、12-V和24-V導軌
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TI穩壓IC-減少高頻發射的創新
到目前為止，我們描述的EMI緩解技術通常會減少低頻發射（<30 MHz），相應減少所需的無源濾波量以及相關的尺寸、體積和成本效益。現在，讓我們看看設計用于緩解高頻發射（>30 MHz）的技術。
火棒? 包裹
減少高頻發射的主要方法之一是非常小化功率回路電感。TI的降壓轉換器，如LM53635-Q1、LMS3655-Q1、LM61495-Q1、LMR33630-Q1和LM61460-Q1
從鍵合線封裝到基于引線框架的倒裝芯片（熱棒）封裝，有助于降低功率回路電感，進而減少開關節點振鈴。
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