包裹散熱-穩壓IC知識
?熱棒? 包裝材料
?增強型熱棒QFN，支持熱墊
HotRodTM封裝消除了鍵合線，同時保持了優異的熱性能。
支持小型無源器件的拓撲和電路
?多電平變流器拓撲
?高級功率級門驅動器
多級拓撲結構可實現更小的磁性。
集成比較大限度地減少寄生并減少系統占用F
?MicroSiP 3D模塊集成
?具有低回路電感的GaN和驅動器多芯片模塊（MCM）
GaN+柵驅動器MCM可減少寄生，提高功率密度。
支持3D集成的MicroSiP軟件包。
Tech-Trekt提供全系列TI穩壓IC。
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取消繞組-TI穩壓IC技術專題
為了幫助很好小化無源濾波的尺寸，針對高功率密度5至20伏交流/直流適配器的65瓦有源箝位反激式硅場效應晶體管參考設計采用了隔離轉換器特有的基于消除繞組和屏蔽的方法。如圖15所示，改進后的內部變壓器結構在內部一次和二次層之間插入了一個額外的輔助繞組層（如黑色所示），用于CM平衡。輔助CM平衡層屏蔽了內半初級到次級接口，并有助于產生抵消CM電壓，使外半初級層的CM注入為零。均衡輔助繞組和一次外層到二次層的寄生電容有助于通過從抵消層推送反相CM電流，使從外半初級層注入二次層的CM電流為零。凈效應（流入二次層的CM電流接近于零）減少了CM發射，明顯幫助設計滿足EMI頻譜標準，且CM濾波很好小。
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為減少電源中的電磁干擾而進行的省時、經濟高效的創新-IT穩壓IC關鍵技術
隨著電子系統變得越來越密集和互連，減少電磁干擾（EMI）的影響成為越來越重要的系統設計考慮因素。
1、什么是EMI？
電磁干擾（EMI）是一種電磁能量，是開關電流和電壓產生的不良副產品，它來自各種物理現象，并在嚴格的電磁干擾測試中表現出來。
2、減少電磁干擾的常規方法
減少電磁干擾是一項充滿權衡的努力。減少電磁干擾的傳統方法包括使用大型、昂貴的濾波器或降低開關轉換率，這是一種直接影響效率的技術。
3、減少電磁干擾的創新
為了實現開關電源的所有優點，降低EMI技術必須解決傳統的權衡問題。這需要針對低頻和高頻EMI的創造性解決方案，以及精確的建模技術。
圖8說明了時域和頻域中的這些參數。-穩壓IC技術專題
在CISPR 25等標準中，通常會將fm設置在9 kHz左右，以優化低頻段，但這恰好也在音頻范圍內。為了解決這一問題，您可以進一步以偽隨機方式調制三角調制，以傳播可聽能量，而不會對傳導和輻射EMI性能產生重大影響。下頁的圖9說明了時域和頻域中的這種調制模式，這是TPS55165-Q1（同步降壓-升壓轉換器）上的一個功能。
EMI不僅限于單個頻帶（因此也限于單個RBW），而是多個頻帶的事實帶來了困境，因為擴頻通常只能針對單個頻帶的改進。解決這個問題的一種新方法是一種稱為雙隨機擴頻（DRSS）的數字擴頻技術。DRS背后的基本原理是疊加兩個調制剖面，每個調制剖面針對不同的RBW。有關更多信息，請參閱應用報告“EMI抑制技術，雙隨機擴頻”
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取消繞組-TI穩壓IC技術專題
與非隔離變流器不同，隔離邊界上的額外發射路徑是隔離變流器***模（CM）EMI的關鍵原因。下頁的圖14顯示了標準反激變換器中隔離變壓器上存在的寄生電容。CM電流可通過與每個開關節點相關的寄生電容直接從一次側流向接地。由于繞組之間的寄生電容，CM電流也從初級流向次級，導致測量的CM EMI增加。按照慣例，您可以通過在輸入功率路徑中使用大型CM扼流圈來衰減這種額外干擾。
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UCC28084穩壓IC的說明
UCC38083/4/5/6穩壓IC是一系列BiCMOS脈寬調制（PWM）控制器，用于直流到直流或離線固定頻率電流模式開關電源。雙輸出級配置為推拉拓撲。兩個輸出都使用切換觸發器以振蕩器頻率的一半進行切換。兩個輸出之間的死區時間通常為110ns，將每個輸出的占空比限制在50%以下。
UCC38083穩壓IC和UCC38085穩壓IC設備的開啟/關閉閾值為12.5 V/8.3 V，而UCC38084穩壓IC和UCC38086穩壓IC的開啟/關閉閾值為4.3 V/4.1 V。每個設備均采用8針TSSOP（PW）、8針SOIC（D）和8針PDIP（P）封裝。
UC3867NG4穩壓IC
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